公开(公告)号：CN100365936C

公开(公告)日：2008-01-30

申请号：CN200410070224.6

申请日：2004-07-30

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 畑山薰 ,  炭田昌哉 ,  岸下景介 ,  沼道男

IPC: H03K19/094 ,  H03K19/01

CPC classification number: H03K19/0016

Abstract: 根据本发明的半导体集成电路包括：包含MOS晶体管的作为控制目标的电路，其中控制电位(至少衬底电位和源电位中的一个)将得到控制；用于基于作为控制目标的电路的内部信号对于控制电位产生控制信号的控制信号生成电路；以及用来基于控制信号控制MOS晶体管的控制电位(衬底电位/源电位)的控制电位控制电路。

公开(公告)号：CN1702660A

公开(公告)日：2005-11-30

申请号：CN200510071971.6

申请日：2005-05-25

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 畑山薰 ,  笹川幸宏

IPC: G06F17/50

CPC classification number: G06F17/5081

Abstract: 根据本发明的电路分析设备包括：电容值提取单元，用于从包括半导体集成电路布局信息的设计信息中提取功能元件的电容值；电容值输出单元，用于根据功能元件的电容值，以有区别的方式在包括半导体集成电路布局信息的设计图上显示该半导体集成电路中的功能元件或者与该功能元件连接的功能元件连接布线，或者包括每一属性电容值运算单元，用于基于功能元件属性库和该功能元件的电容值对每一属性执行电容值的运算，所述功能元件属性库保存有半导体集成电路中功能元件的属性信息；每一属性电容值输出单元，用于输出由每一属性电容值运算单元计算出的每一属性的电容值。

公开(公告)号：CN1585271A

公开(公告)日：2005-02-23

申请号：CN200410070224.6

申请日：2004-07-30

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 畑山薰 ,  炭田昌哉 ,  岸下景介 ,  沼道男

IPC: H03K19/094 ,  H03K19/01

CPC classification number: H03K19/0016

Abstract: 根据本发明的半导体集成电路包括：包含MOS晶体管的作为控制目标的电路，其中控制电位(至少衬底电位和源电位中的一个)将得到控制；用于基于作为控制目标的电路的内部信号对于控制电位产生控制信号的控制信号生成电路；以及用来基于控制信号控制MOS晶体管的控制电位(衬底电位/源电位)的控制电位控制电路。