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公开(公告)号:CN101017733A
公开(公告)日:2007-08-15
申请号:CN200610156756.0
申请日:2003-10-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明涉及片式电容和用它的IC插座、片式电容的制造方法。本发明的片式电容具有在嵌入IC的连接用插头的贯通孔中在需要与上述IC的连接用插头电连接的贯通孔内形成的接触部分、和与该接触部分连接的电容元件。又本发明的片式电容具有绝缘基板和安装在该绝缘基板上的电容元件。绝缘基板分别在上面具有与IC连接用的接合面,在下面具有与印刷电路配线板连接用的接合面。电容元件与绝缘基板上下的各连接用接合面电连接。用任何一种构成,通过直接在IC近旁连接大电容量低ESL的电容元件,能够增大IC的周边电路的安装面积。
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公开(公告)号:CN1124401A
公开(公告)日:1996-06-12
申请号:CN95108043.1
申请日:1995-06-23
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01G9/008
CPC classification number: H01G9/151 , H01G9/15 , Y10T29/417
Abstract: 本发明涉及一种铝电解电容器的制造方法,按本发明,使从电容器主体的同一端面引出的一对引出线穿经、并插入绝缘板上的通孔内,然后,将弯折后的该对引线伸出于绝缘板端面的部分切断,以使其能收置于设于绝缘板外表面上的凹部内。由此,可使伸出于绝缘板端面的所述一对引出线的伸出尺寸没有偏差,并保持恒定。
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公开(公告)号:CN1319085C
公开(公告)日:2007-05-30
申请号:CN200310104724.2
申请日:2003-10-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01G4/40 , H01L23/66 , H01L24/81 , H01L2224/8121 , H01L2224/81815 , H01L2924/09701 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/19011 , H01L2924/19103 , H01L2924/3011 , H05K1/0231 , H05K1/141 , H05K1/162 , H05K2201/049 , H05K2201/10325 , H05K2201/10515 , H05K2201/1059 , H05K2201/10689 , H05K2201/10704 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及片式电容和用它的IC插座、片式电容的制造方法。本发明的片式电容具有在嵌入IC的连接用插头的贯通孔中在需要与上述IC的连接用插头电连接的贯通孔内形成的接触部分、和与该接触部分连接的电容元件。又本发明的片式电容具有绝缘基板和安装在该绝缘基板上的电容元件。绝缘基板分别在上面具有与IC连接用的接合面,在下面具有与印刷电路配线板连接用的接合面。电容元件与绝缘基板上下的各连接用接合面电连接。用任何一种构成,通过直接在IC近旁连接大电容量低ESL的电容元件,能够增大IC的周边电路的安装面积。
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公开(公告)号:CN1499544A
公开(公告)日:2004-05-26
申请号:CN200310104724.2
申请日:2003-10-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01G4/40 , H01L23/66 , H01L24/81 , H01L2224/8121 , H01L2224/81815 , H01L2924/09701 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/19011 , H01L2924/19103 , H01L2924/3011 , H05K1/0231 , H05K1/141 , H05K1/162 , H05K2201/049 , H05K2201/10325 , H05K2201/10515 , H05K2201/1059 , H05K2201/10689 , H05K2201/10704 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及片式电容和用它的IC插座、片式电容的制造方法。本发明的片式电容具有在嵌入IC的连接用插头的贯通孔中在需要与上述IC的连接用插头电连接的贯通孔内形成的接触部分、和与该接触部分连接的电容元件。又本发明的片式电容具有绝缘基板和安装在该绝缘基板上的电容元件。绝缘基板分别在上面具有与IC连接用的接合面,在下面具有与印刷电路配线板连接用的接合面。电容元件与绝缘基板上下的各连接用接合面电连接。用任何一种构成,通过直接在IC近旁连接大电容量低ESL的电容元件,能够增大IC的周边电路的安装面积。
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公开(公告)号:CN1975942B
公开(公告)日:2010-05-19
申请号:CN200610156754.1
申请日:2003-10-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明涉及片式电容和用它的IC插座、片式电容的制造方法。本发明的片式电容具有在嵌入IC的连接用插头的贯通孔中在需要与上述IC的连接用插头电连接的贯通孔内形成的接触部分、和与该接触部分连接的电容元件。又本发明的片式电容具有绝缘基板和安装在该绝缘基板上的电容元件。绝缘基板分别在上面具有与IC连接用的接合面,在下面具有与印刷电路配线板连接用的接合面。电容元件与绝缘基板上下的各连接用接合面电连接。用任何一种构成,通过直接在IC近旁连接大电容量低ESL的电容元件,能够增大IC的周边电路的安装面积。
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公开(公告)号:CN1088904C
公开(公告)日:2002-08-07
申请号:CN95108043.1
申请日:1995-06-23
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01G9/008
CPC classification number: H01G9/151 , H01G9/15 , Y10T29/417
Abstract: 本发明涉及一种铝电解电容器的制造方法,按本发明,使从电容器主体的同一端面引出的一对引出线穿经、并插入绝缘板上的通孔内,然后,将弯折后的该对引线伸出于绝缘板端面的部分切断,以使其能收置于设于绝缘板外表面上的凹部内。由此,可使伸出于绝缘板端面的所述一对引出线的伸出尺寸没有偏差,并保持恒定。
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公开(公告)号:CN101017733B
公开(公告)日:2010-08-25
申请号:CN200610156756.0
申请日:2003-10-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明涉及片式电容和用它的IC插座、片式电容的制造方法。本发明的片式电容具有在嵌入IC的连接用插头的贯通孔中在需要与上述IC的连接用插头电连接的贯通孔内形成的接触部分、和与该接触部分连接的电容元件。又本发明的片式电容具有绝缘基板和安装在该绝缘基板上的电容元件。绝缘基板分别在上面具有与IC连接用的接合面,在下面具有与印刷电路配线板连接用的接合面。电容元件与绝缘基板上下的各连接用接合面电连接。用任何一种构成,通过直接在IC近旁连接大电容量低ESL的电容元件,能够增大IC的周边电路的安装面积。
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公开(公告)号:CN1975948B
公开(公告)日:2010-08-04
申请号:CN200610156755.6
申请日:2003-10-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明涉及片式电容和用它的IC插座、片式电容的制造方法。本发明的片式电容具有在嵌入IC的连接用插头的贯通孔中在需要与上述IC的连接用插头电连接的贯通孔内形成的接触部分、和与该接触部分连接的电容元件。又本发明的片式电容具有绝缘基板和安装在该绝缘基板上的电容元件。绝缘基板分别在上面具有与IC连接用的接合面,在下面具有与印刷电路配线板连接用的接合面。电容元件与绝缘基板上下的各连接用接合面电连接。用任何一种构成,通过直接在IC近旁连接大电容量低ESL的电容元件,能够增大IC的周边电路的安装面积。
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公开(公告)号:CN1975950A
公开(公告)日:2007-06-06
申请号:CN200610156757.5
申请日:2003-10-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明涉及片式电容和用它的IC插座、片式电容的制造方法。本发明的片式电容具有在嵌入IC的连接用插头的贯通孔中在需要与上述IC的连接用插头电连接的贯通孔内形成的接触部分、和与该接触部分连接的电容元件。又本发明的片式电容具有绝缘基板和安装在该绝缘基板上的电容元件。绝缘基板分别在上面具有与IC连接用的接合面,在下面具有与印刷电路配线板连接用的接合面。电容元件与绝缘基板上下的各连接用接合面电连接。用任何一种构成,通过直接在IC近旁连接大电容量低ESL的电容元件,能够增大IC的周边电路的安装面积。
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公开(公告)号:CN1975950B
公开(公告)日:2010-10-20
申请号:CN200610156757.5
申请日:2003-10-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明涉及片式电容和用它的IC插座、片式电容的制造方法。本发明的片式电容具有在嵌入IC的连接用插头的贯通孔中在需要与上述IC的连接用插头电连接的贯通孔内形成的接触部分、和与该接触部分连接的电容元件。又本发明的片式电容具有绝缘基板和安装在该绝缘基板上的电容元件。绝缘基板分别在上面具有与IC连接用的接合面,在下面具有与印刷电路配线板连接用的接合面。电容元件与绝缘基板上下的各连接用接合面电连接。用任何一种构成,通过直接在IC近旁连接大电容量低ESL的电容元件,能够增大IC的周边电路的安装面积。
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