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公开(公告)号：CN100459174C
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200580000804.0
申请日：2005-01-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L31/0336
CPC classification number: H01L31/0749 , H01L31/022483 , H01L31/02363 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种太阳电池，其包括：基板(21)，在基板(21)上形成的导电膜(22)，形成于导电膜(22)上且具有包含Ib族元素、IIIb族元素及VIb族元素的p型半导体晶体的化合物半导体层(23)，形成于化合物半导体层(23)上且具有开口(29)的n型窗层(24)，在n型窗层(24)上以及在n型窗层(24)的开口之下的化合物半导体层(23)上形成的n型透明导电膜。其中，化合物半导体层(23)具有高电阻部(23B)，高电阻部(23B)在与导电膜(22)相反一侧的表面附近的部分区域形成，含有掺杂在p型半导体晶体中的n型杂质；且高电阻部(23B)配置在n型窗层(24)的开口(29)之下。
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公开(公告)号：CN1938458A
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN200580010595.8
申请日：2005-03-31
Applicant: 松下电器产业株式会社 , 森勇介
CPC classification number: C30B9/10 , C30B29/403 , C30B29/406 , Y10T117/1092 , Y10T117/1096
Abstract: 本发明提供了一种制造第III族元素氮化物晶体的方法，使用该方法可以提高生长速率，并且在短时间内生长出较大的高质量晶体，还提供其中所用的制造装置以及使用该方法和该装置得到的半导体元件。该方法是一种制造第III族元素氮化物晶体的方法，其包括使含有第III族元素、氮及碱金属和碱土金属中的至少一种的材料溶液在含氮气体的气氛中加压加热，以使材料溶液中的氮和第III族元素相互反应生长晶体的晶体生长过程。该方法还包括在晶体生长过程之前制造材料溶液的材料制造过程，制造方式是在含氮气体的气氛中将环境温度和环境压力的至少之一设置到高于晶体生长过程的条件，从而使氮可以溶解在含有第III族元素及碱金属和碱土金属中的至少一种的熔体中。本发明的方法可使用例如图7所示的制造装置进行。
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公开(公告)号：CN1922345A
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：CN200580005394.9
申请日：2005-02-18
Applicant: 松下电器产业株式会社 , 森勇介
CPC classification number: C30B29/406 , C30B9/10 , C30B19/02 , C30B19/063 , C30B19/064 , Y10T117/1016
Abstract: 本发明提供一种能够提高生长速率，在短时间内培养出晶体均匀性高的大单晶的化合物单晶的制造方法以及用于该制造方法的制造装置。在原料液中，搅拌所述原料液以产生从与原料气体相接的气液界面向着所述原料液的内部的流动，同时使化合物单晶生长。通过所述搅拌，可以容易地将原料气体溶解在原料液中，可以在短时间内实现过饱和状态，能够提高化合物单晶的生长速率，而且，通过所述搅拌，由于形成从原料气体浓度高的气液界面向着原料气体浓度低的原料液内部的流动，原料气体的溶解也变得均匀，因此可以抑制在气液界面产生不均匀的晶核，还可以提高所得到的化合物单晶的质量。
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公开(公告)号：CN1148872A
公开(公告)日：1997-04-30
申请号：CN96190205.1
申请日：1996-03-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C01B13/0255 , A23L3/3418 , A23L3/3436 , A47J27/04 , B01D53/326 , B01D2257/104 , B01D2257/80 , C01B3/0005 , C01B13/0251 , C01B2210/0046 , C01B2210/0053 , Y02E60/324
Abstract: 一种选择性透气的气体泵，具有通过在固体电解质层的两面形成第1和第2电极而成的第1电极/固体电解质/第2电极的面成型体和在上述第1和第2电极间附加直流电压的电源和用于将上述固体电解质层加热至一定工作温度的加热手段。至少可将氧气选择性地从第1环境气体排出或供给至第2环境气体，形成稀氧环境气体或富氧环境气体，从而产生适合于食品保存的环境气体和使开暖气时易缺氧的室内保持富氧状态等，并可在各领域进行广泛的应用。
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公开(公告)号：CN100494520C
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200580010595.8
申请日：2005-03-31
Applicant: 松下电器产业株式会社 , 森勇介
CPC classification number: C30B9/10 , C30B29/403 , C30B29/406 , Y10T117/1092 , Y10T117/1096
Abstract: 本发明提供了一种制造第III族元素氮化物晶体的方法，使用该方法可以提高生长速率，并且在短时间内生长出较大的高质量晶体，还提供其中所用的制造装置以及使用该方法和该装置得到的半导体元件。该方法是一种制造第III族元素氮化物晶体的方法，其包括使含有第III族元素、氮及碱金属和碱土金属中的至少一种的材料溶液在含氮气体的气氛中加压加热，以使材料溶液中的氮和第III族元素相互反应生长晶体的晶体生长过程。该方法还包括在晶体生长过程之前制造材料溶液的材料制造过程，制造方式是在含氮气体的气氛中将环境温度和环境压力的至少之一设置到高于晶体生长过程的条件，从而使氮可以溶解在含有第III族元素及碱金属和碱土金属中的至少一种的熔体中。本发明的方法可使用例如图7所示的制造装置进行。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1930327A
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：CN200580008118.8
申请日：2005-04-27
Applicant: 松下电器产业株式会社 , 森勇介
CPC classification number: C30B29/403 , C30B9/10 , C30B29/406 , C30B35/00 , Y10T117/1064 , Y10T117/1096
Abstract: 本发明提供一种可以制造高品质结晶的III族元素氮化物结晶的制造装置以及III族元素氮化物结晶的制造方法。使用本发明的装置进行的结晶生长例如可以按如下的方法进行。向反应容器(120)内导入结晶原料(131)以及含氮气体，用加热器(110)进行加热，并在加压气氛下使结晶生长。上述气体从气体供给装置(180)经由上述反应容器的气体导入口而导入上述反应容器(120)内，随后从上述反应容器的气体排出口排到耐压容器(102)的内部。由于上述气体不经由耐压容器(102)便直接导入反应容器(120)，因而可以防止附着在耐压容器(102)等处的杂质混入到结晶生长的场所。另外，因为上述气体在反应容器(120)内流动，所以不会发生诸如蒸发的碱金属等在气体导入口等处的凝集、以及向气体供给装置(180)等处的流入等问题。其结果，可以提高所得到的III族元素氮化物结晶的质量。
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公开(公告)号：CN1461928A
公开(公告)日：2003-12-17
申请号：CN03138144.8
申请日：2003-05-30
Applicant: 松下电器产业株式会社 , 松下冷机株式会社
IPC: F25C1/18
CPC classification number: F25C5/08 , F25C1/04 , F25C1/18 , F25C2305/022 , F25C2400/10 , F25C2400/14 , F25C2600/04
Abstract: 一种制作清澈冰块的设备，它包括：一冷冻空间；一放置在所述冷冻空间中的器皿，且所述器皿在其底部处的温度低于在其上部处的温度；以及一从器皿顶部向其进给水的给水装置，其中，以5微米/秒或更低的制冰速率制冰，在所述器皿中与大气接触的、一液相部分的一部分水冻结以完成制冰，该液相部分的水在制冰完成之前是不完全过冷的，并且在器皿中的该液相部分的水中，其空气浓度等于或低于空气的过量浓度。
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公开(公告)号：CN100564616C
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200580005394.9
申请日：2005-02-18
Applicant: 松下电器产业株式会社 , 森勇介
CPC classification number: C30B29/406 , C30B9/10 , C30B19/02 , C30B19/063 , C30B19/064 , Y10T117/1016
Abstract: 本发明提供一种能够提高生长速率，在短时间内培养出晶体均匀性高的大单晶的化合物单晶的制造方法以及用于该制造方法的制造装置。在原料液中，搅拌所述原料液以产生从与原料气体相接的气液界面向着所述原料液的内部的流动，同时使化合物单晶生长。通过所述搅拌，可以容易地将原料气体溶解在原料液中，可以在短时间内实现过饱和状态，能够提高化合物单晶的生长速率，而且，通过所述搅拌，由于形成从原料气体浓度高的气液界面向着原料气体浓度低的原料液内部的流动，原料气体的溶解也变得均匀，因此可以抑制在气液界面产生不均匀的晶核，还可以提高所得到的化合物单晶的质量。
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公开(公告)号：CN100535200C
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200580008118.8
申请日：2005-04-27
Applicant: 松下电器产业株式会社 , 森勇介
CPC classification number: C30B29/403 , C30B9/10 , C30B29/406 , C30B35/00 , Y10T117/1064 , Y10T117/1096
Abstract: 本发明提供一种可以制造高品质结晶的III族元素氮化物结晶的制造装置以及III族元素氮化物结晶的制造方法。使用本发明的装置进行的结晶生长例如可以按如下的方法进行。向反应容器(120)内导入结晶原料(131)以及含氮气体，用加热器(110)进行加热，并在加压气氛下使结晶生长。上述气体从气体供给装置(180)经由上述反应容器的气体导入口而导入上述反应容器(120)内，随后从上述反应容器的气体排出口排到耐压容器(102)的内部。由于上述气体不经由耐压容器(102)便直接导入反应容器(120)，因而可以防止附着在耐压容器(102)等处的杂质混入到结晶生长的场所。另外，因为上述气体在反应容器(120)内流动，所以不会发生诸如蒸发的碱金属等在气体导入口等处的凝集、以及向气体供给装置(180)等处的流入等问题。其结果，可以提高所得到的III族元素氮化物结晶的质量。
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公开(公告)号：CN1842920A
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN200580000804.0
申请日：2005-01-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L31/0336
CPC classification number: H01L31/0749 , H01L31/022483 , H01L31/02363 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种太阳电池，其包括：基板(21)，在基板(21)上形成的导电膜(22)，形成于导电膜(22)上且具有包含Ib族元素、IIIb族元素及VIb族元素的p型半导体晶体的化合物半导体层(23)，形成于化合物半导体层(23)上且具有开口(29)的n型窗层(24)，在n型窗层(24)上以及在n型窗层(24)的开口之下的化合物半导体层(23)上形成的n型透明导电膜。其中，化合物半导体层(23)具有高电阻部(23B)，高电阻部(23B)在与导电膜(22)相反一侧的表面附近的部分区域形成，含有掺杂在p型半导体晶体中的n型杂质；且高电阻部(23B)配置在n型窗层(24)的开口(29)之下。
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