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公开(公告)号：CN1841213B
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN200610076499.X
申请日：2003-01-28
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G03F7/32 , G03F7/26 , G03F7/20 , H01L21/027
Abstract: 一种进行曝光有所希望的图案的感光性抗蚀剂膜的显影的显影方法，包括：对曝光的上述感光性抗蚀剂膜进行第1显影处理；对进行了第1显影处理的感光性抗蚀剂膜，提供对该抗蚀剂膜表面具有氧化性的，或者是碱性的洗净液，进行第1洗净处理；对完成了第1洗净处理的上述感光性抗蚀剂膜进行第2显影处理；对进行了第2显影处理的上述感光性抗蚀剂膜进行第2洗净处理。
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公开(公告)号：CN100565355C
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200610138995.3
申请日：2002-03-07
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 提供包含激光加工装置、成膜系统和图案形成系统的电子装置的制造系统。该激光加工装置包括：发出选择地去除被加工衬底的一部分的激光的激光振荡器、将从激光振荡器发出的激光照射到上述被加工衬底的任意位置上的扫描系统、使从上述激光振荡器发出的激光大致垂直入射到上述被加工衬底的入射装置。
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公开(公告)号：CN101441418A
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200810174269.6
申请日：2006-05-15
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G03F7/2041 , G03F7/11 , Y10S430/162
Abstract: 一种图案的形成方法，其包括：在被加工膜上形成感光性树脂膜；通过涂布法在上述感光性树脂膜上形成用于保护上述感光性树脂膜的保护膜；通过浸渍液对上述感光性树脂膜的部分区域选择性地进行液浸曝光，将上述浸渍液提供到上述感光性树脂膜上；在形成上述保护膜后，且在对上述感光性树脂膜的部分区域进行选择性液浸曝光之前，将上述保护膜的表面平滑化；除去上述保护膜；以及，通过选择性地除去上述感光性树脂膜的曝光区域或者非曝光区域，形成由上述感光性树脂膜构成的图案。
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公开(公告)号：CN100474119C
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200610058208.4
申请日：2006-02-24
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G03F7/20 , G03F7/30 , G03F7/38 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/2022 , G03F7/2028 , G03F7/70341 , G03F7/7045
Abstract: 抗蚀剂图形形成方法，包括以下的工序：在衬底上形成抗蚀剂膜；通过以在后述的显影中足够使上述抗蚀剂膜溶解的曝光量向上述衬底的外缘部分的规定区域的上述抗蚀剂膜照射光，在外缘部分的抗蚀剂膜上形成潜像；清洗外缘部分被照射了光的抗蚀剂膜；对清洗后的抗蚀剂膜的所希望的曝光区域，在曝光区域与曝光装置的投影光学系统的最为靠近上述衬底侧的构成要素的上述衬底侧的面之间存在着折射率比空气更大的液体的状态下通过投影光学系统照射所希望的图形的光；对刻胶膜的曝光区域进行显影。
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公开(公告)号：CN100437895C
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200510005081.5
申请日：2005-01-31
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/00 , H01L21/66 , H01L21/027 , G03F7/00 , G01B11/00
CPC classification number: G03F7/70625 , G01N21/956
Abstract: 本发明据以下所确定的各物质的构成比确定被评价物的结构：测定设于预定环境中被评价物的反射光强度的波长色散；准备构成上述被评价物及上述波长色散测定的上述环境各物质的复折射率；设定假定构成上述被评价物的物质与构成上述环境的物质的混合率的多个设想构成比；相对于各设想构成比，通过应用上述各物质的复折射率的多重干涉计算从而算出设想反射率波长色散；从上述多个设想反射率波长色散中，提取多个与上述反射率波长色散测定值误差小的类似反射率波长色散计算值；将提取的类似反射率波长色散的计算中所用的设想构成比按上述误差越小权重越大进行加权平均以确定上述各物质的构成比。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101078875A
公开(公告)日：2007-11-28
申请号：CN200710109169.0
申请日：2003-10-13
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L21/67115 , G03F7/0042 , G03F7/0392 , G03F7/38 , H01L21/0273 , H01L21/67109
Abstract: 本发明的课题是抑制PEB处理中的酸对于抗蚀剂膜的再次附着。包含：在衬底上形成化学放大型抗蚀剂膜的工序；对上述化学放大型抗蚀剂膜照射能量线以形成潜像的工序；以及对上述化学放大型抗蚀剂膜进行加热处理的工序，一边使加热上述化学放大型抗蚀剂膜的加热部和上述衬底相对地移动，一边在上述加热部下表面与上述化学放大型抗蚀剂膜之间形成相对于上述加热部的相对的移动方向在反方向上流动的气流来进行上述加热处理。
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公开(公告)号：CN1924702A
公开(公告)日：2007-03-07
申请号：CN200610142247.2
申请日：2004-11-19
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G03F7/00 , H01L21/027
Abstract: 本发明涉及图形形成方法和半导体器件的制造方法。本发明的目的在于实现用来形成今后所需要的微细的抗蚀剂图形的图形形成方法。本图形形成方法，具有：在衬底上形成第1抗蚀剂图形的工序(步骤S2)；向第1抗蚀剂图形上照射光的工序(步骤S3)；在第1抗蚀剂图形与抗蚀剂膜之间的界面上形成交联层，形成包括该交联层和第1抗蚀剂图形的第2抗蚀剂图形的工序(步骤S4)，在步骤S3中，根据在步骤S11－S13中预先求得的收缩量和照射量之间的对应关系，将要向第1抗蚀剂图形上照射的光的量设定为使得第2抗蚀剂图形的尺寸变成为规定的尺寸。
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公开(公告)号：CN1292457C
公开(公告)日：2006-12-27
申请号：CN200410062569.7
申请日：2004-06-30
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70683 , G03F7/40
Abstract: 本发明的温度校正方法可以抑制因装置间的温度不同而使得感光性树脂膜所得到的实效性的曝光量在装置间变动。包括：准备多个加热处理装置的工序；用所准备的各个加热处理装置，用多个设定温度，对已形成了曝光量监视图形的衬底进行加热处理的工序；在上述加热处理后进行冷却处理的工序；在上述冷却处理后进行显影处理的工序；在上述冷却处理后或上述显影处理后的任何一者中，测定曝光量监视图形的状态的工序；根据多个设定温度和所测定的曝光量监视图形的状态，对各个加热处理装置求设定温度与实效曝光量的关系的工序；根据所求得的关系，对各个加热处理装置进行修正，使得能够得到规定的实效性的曝光量的工序。
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公开(公告)号：CN1649086A
公开(公告)日：2005-08-03
申请号：CN200510005081.5
申请日：2005-01-31
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/00 , H01L21/66 , H01L21/027 , G03F7/00 , G01B11/00
CPC classification number: G03F7/70625 , G01N21/956
Abstract: 本发明据以下所确定的各物质的构成比确定被评价物的结构：测定设于预定环境中被评价物的反射光强度的波长色散；准备构成上述被评价物及上述波长色散测定的上述环境各物质的复折射率；设定假定构成上述被评价物的物质与构成上述环境的物质的混合率的多个设想构成比；相对于各设想构成比，通过应用上述各物质的复折射率的多重干涉计算从而算出设想反射率波长色散；从上述多个设想反射率波长色散中，提取多个与上述反射率波长色散测定值误差小的类似反射率波长色散计算值；将提取的类似反射率波长色散的计算中所用的设想构成比按上述误差越小权重越大进行加权平均以确定上述各物质的构成比。
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公开(公告)号：CN1201375C
公开(公告)日：2005-05-11
申请号：CN01140672.0
申请日：2001-09-20
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/027 , H01L21/30 , G03F7/16
Abstract: 公开了液态膜干燥方法及干燥装置。所述干燥方法包括以下工序：使具有贯通孔204的整流板200以不接触液态膜的距离靠近该被处理基板上方的工序，使整流板200旋转从而使被处理基板101的上方与整流板200的下表面之间产生气流的工序，使含有溶质的液态膜与气流接触、将液态膜中的溶剂除去，在被处理基板101上形成由前述溶质构成的固相膜的工序。使用该液态膜干燥方法，可获得良好的膜厚均匀性，同时对处理时间进行控制以提高生产率。
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