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    半导体器件的制造装置
    1.
    发明授权
    半导体器件的制造装置 失效

    公开(公告)号：CN100382242C

    公开(公告)日：2008-04-16

    申请号：CN200510002715.1

    申请日：2003-03-04

    Applicant: 株式会社东芝

    Inventor： 伊藤信一 ,  东木达彦 ,  奥村胜弥 ,  川野健二 ,  井上壮一

    IPC: H01L21/027 ,  H01L21/00 ,  G03F7/00

    CPC classification number: G03F7/70625 ,  G03F7/70633 ,  G03F7/70641 ,  G03F7/70675 ,  H01J2237/30438

    Abstract: 提供一种半导体器件的制造方法和半导体器件的制造装置。在半导体衬底主面上形成感光性膜把半导体衬底送到曝光装置；给上述感光性膜选择性曝光掩模上检查标记，在该感光性膜上形成检查标记的潜像；加热至少检查标记的潜像形成区的上述感光性膜，浮现第2检查标记的潜像；测量浮现的检查标记像；根据测量结果，变更选择性曝光时上述曝光装置的设定值，使其曝光条件为设计值；按照变更后的设定值，给上述感光性膜曝光上述感光性膜上掩模上器件图形，使该感光性膜形成器件图形的潜像；加热整个上述感光性膜；以及使上述感光性膜显影。

    曝光方法
    4.
    发明授权
    曝光方法 失效 转让

    公开(公告)号：CN1216403C

    公开(公告)日：2005-08-24

    申请号：CN02153821.2

    申请日：2002-11-28

    Applicant: 株式会社东芝

    Inventor： 高桑真步 ,  浅沼庆太 ,  东木达彦

    IPC: H01L21/027 ,  G03F7/20 ,  G03F9/02

    CPC classification number: G03F7/70525 ,  G03F7/70258 ,  G03F7/70458 ,  G03F7/70541 ,  G03F7/70633

    Abstract: 使用扫描曝光装置，当在下层图形上重叠地形成上层图形之时，谋求提高重叠精度。在所用的各曝光装置，对控制晶片，检测各发射区内在扫描方向4个以上，而且步进方向4个以上矩阵排列形成的，多个标记位置信息的步骤；运算与从重叠层曝光使用的扫描曝光装置得到的标记位置信息的各坐标分量的差分的步骤；由算出的差分，求出各自表示透镜象差参数的步骤；以及根据由求出的参数获得的校正参数，进行上述重叠曝光的步骤。

    曝光处理系统、曝光处理方法和半导体器件的制造方法
    6.
    发明授权
    曝光处理系统、曝光处理方法和半导体器件的制造方法 失效

    公开(公告)号：CN1637620B

    公开(公告)日：2010-05-26

    申请号：CN200510000213.5

    申请日：2005-01-05

    Applicant: 株式会社东芝

    Inventor： 河野拓也 ,  小峰信洋 ,  东木达彦 ,  原川正一 ,  池田诚

    IPC: G03F7/20 ,  H01L21/00

    CPC classification number: H01L21/67253

    Abstract: 一种曝光处理系统，包括：用来对晶片上的抗蚀剂进行曝光的曝光装置；具备多个加热装置单元的加热装置，该加热装置，用从上述多个加热装置单元中选择出来的一个加热装置单元，加热上述晶片上的曝光后的抗蚀剂；具备多个显影装置单元的显影装置，该显影装置，包含用于用从上述多个显影装置单元中选择出来的一个显影装置单元对上述晶片上的曝光且加热后的抗蚀剂进行显影的上述晶片上的曝光后的上述抗蚀剂进行加热的一个加热装置；用于使用修正数据控制上述曝光装置从而对作为处理对象的晶片曝光的控制装置，上述修正数据是用来对起因于作为上述处理对象的上述晶片所使用的加热装置单元·显影装置单元对而产生的晶片面内的抗蚀剂图形的尺寸波动进行修正的数据，上述加热装置单元·显影装置单元对包括上述多个加热装置单元中作为上述处理对象的上述晶片所使用的一个加热装置单元和上述多个显影装置单元中作为上述处理对象的上述晶片所使用的一个显影装置单元。

    半导体器件的制造方法
    7.
    发明授权
    半导体器件的制造方法 失效

    公开(公告)号：CN1294624C

    公开(公告)日：2007-01-10

    申请号：CN03105143.X

    申请日：2003-03-04

    Applicant: 株式会社东芝

    Inventor： 伊藤信一 ,  东木达彦 ,  奥村胜弥 ,  川野健二 ,  井上壮一

    IPC: H01L21/027 ,  G03F7/00

    CPC classification number: G03F7/70625 ,  G03F7/70633 ,  G03F7/70641 ,  G03F7/70675 ,  H01J2237/30438

    Abstract: 提供一种半导体器件的制造方法和半导体器件的制造装置。在半导体衬底主面上形成感光性膜把半导体衬底送到曝光装置；给上述感光性膜选择性曝光掩模上检查标记，在该感光性膜上形成检查标记的潜像；加热至少检查标记的潜像形成区的上述感光性膜，浮现第2检查标记的潜像；测量浮现的检查标记像；根据测量结果，变更选择性曝光时上述曝光装置的设定值，使其曝光条件为设计值；按照变更后的设定值，给上述感光性膜曝光上述感光性膜上掩模上器件图形，使该感光性膜形成器件图形的潜像；加热整个上述感光性膜；以及使上述感光性膜显影。

    曝光方法
    8.
    发明公开
    曝光方法 失效

    公开(公告)号：CN1645256A

    公开(公告)日：2005-07-27

    申请号：CN200510003858.4

    申请日：2002-06-27

    Applicant: 株式会社东芝

    Inventor： 小峰信洋 ,  浅沼庆太 ,  东木达彦

    IPC: G03F7/20 ,  H01L21/027

    CPC classification number: G03F7/70433

    Abstract: 提供可降低3θ象差等的影响并高精度地转印所期望的图案的曝光方法。采用将来自光源系统的照明光照射到形成有掩膜图案的曝光掩膜上，经由投影透镜将透过该曝光掩膜的光的像投影到基板上，且上述照明系统是具有遮光区域的照明形状，通过调整上述照明系统和上述投影透镜之间的上述投影透镜的圆周方向的相对角度，可以使上述遮光区域重叠在分布于上述投影透镜的圆周方向的象差的相位偏离量达到最大时的至少一个位置上。

    曝光方法和曝光装置
    10.
    发明公开
    曝光方法和曝光装置 失效

    公开(公告)号：CN1416019A

    公开(公告)日：2003-05-07

    申请号：CN02146195.3

    申请日：2002-11-04

    Applicant: 株式会社东芝

    Inventor： 藤泽忠仁 ,  浅野昌史 ,  东木达彦

    IPC: G03F7/20

    CPC classification number: G03F9/7026 ,  G03B27/42 ,  G03F7/70258 ,  G03F7/703 ,  G03F9/7034

    Abstract: 在扫描曝光时，校正缝隙分量的弯曲分量，以提高成品率。本发明的曝光方法包括：测定所述曝光光不照射的计测区域中的与所述光学系统的光轴方向有关的位置分布的步骤(S103)；将测定的位置分布分离成倾斜分量和2次以上的分量的步骤(S104)；在所述曝光光照射所述计测区域时，根据分离的倾斜分量，来调整被曝光区域面的与所述光学系统的光轴方向有关的位置，同时根据分离的2次以上的分量，来校正所述光学系统的成像特性的步骤(S107)。

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