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公开(公告)号：CN103022129A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210309467.5
申请日：2012-08-28
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7802 , H01L29/0619 , H01L29/0634 , H01L29/0638 , H01L29/0696 , H01L29/0878 , H01L29/1095 , H01L29/404 , H01L29/7811
Abstract: 本发明提供一种提高了耐压的半导体装置及其制造方法。第1半导体层具有多个第1扩散层。第2半导体层具有多个第2扩散层。第3半导体层具有多个第3扩散层。多个第1扩散层的第1方向的宽度相互相同。多个第1扩散层内的杂质量随着从第1半导体层的下端向上端而逐渐变大。多个第2扩散层的第1方向的宽度相互相同。多个第2扩散层内的杂质量相互相同。多个第3扩散层的第1方向的宽度比处于同一层的第1扩散层的第1方向的宽度以及第2扩散层的第1方向的宽度窄，并且随着从第3半导体层的下端向上端而逐渐变窄。多个第3扩散层内的杂质量相互相同。
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公开(公告)号：CN103022127A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210068356.X
申请日：2012-03-15
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L29/0623 , H01L29/0619 , H01L29/0638 , H01L29/0878 , H01L29/1095 , H01L29/404 , H01L29/66712 , H01L29/7395 , H01L29/7811
Abstract: 本发明的实施方式的功率用半导体装置具备第1导电类型的第1半导体层、高电阻的外延层、第2导电类型的第2半导体层、第1导电类型的第3半导体层、栅电极、第1电极、以及第2电极。高电阻的外延层具有第1柱区域和第2柱区域。第1柱区域具有交替排列的多个第1导电类型的第1柱和多个第2导电类型的第2柱。第2柱区域在第1柱区域侧的一端中具有第3柱，在另一端中具有第4柱。第3柱的实质的杂质量比第1柱的实质的杂质量以及第2柱的实质的杂质量还少，比第4柱的实质的杂质量还多。
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公开(公告)号：CN102420249A
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN201110277860.6
申请日：2011-09-19
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L29/78 , H01L29/0619 , H01L29/0634 , H01L29/0638 , H01L29/0878 , H01L29/1095 , H01L29/402 , H01L29/42356 , H01L29/42372 , H01L29/7811 , H01L29/7813
Abstract: 一种功率半导体装置，在第一导电型的第一半导体层(1)的第一表面上，相邻接地包括第一柱区域(6)、第二柱区域(10)、及第一导电型的外延层(3)。第一柱区域(6)具有交替配置的多个第二导电型的第一柱层(4)及多个第一导电型的第二柱层(5)，多个第二导电型的第一基极层(11)相隔开地连接在多个第一柱层(4)的各个之上。第二柱区域(10)相邻接地具有第二导电型的第三柱层(7)、第一导电型的第四柱层(8)、及第二导电型的第五柱层(9)。多个第二导电型的第二基极层(12)相隔开地连接在第三柱层及第五柱层的各个之上。多个源极层选择性地形成在多个第一基极层各自的表面。
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公开(公告)号：CN102694028B
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201210051614.3
申请日：2012-03-02
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L29/7802 , H01L29/0634 , H01L29/0696 , H01L29/0878 , H01L29/1095 , H01L29/4238 , H01L29/66712
Abstract: 实施方式的电力用半导体装置具备：第1导电型的第1半导体层(1)；设置于其上的第1导电型的第2半导体层(3)；设置于第2半导体层中的多个柱状的第2导电型的第3半导体层(4)；设置于第3半导体层的上端部的多个岛状的第2导电型的第4半导体层(5)；多个第1导电型的第5半导体层(6)；多个第2导电型的第6半导体层(8)；栅电极(11)；层间绝缘膜(12)；第1电极(13)以及第2电极(14)。第5半导体层设置于第4半导体层的表面。第6半导体层将相邻的两个第4半导体层相互连接起来。第1电极与第1半导体层连接。第2电极通过层间绝缘膜与栅电极绝缘，且经由栅电极的开口部与第4半导体层以及第5半导体层连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103022129B
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201210309467.5
申请日：2012-08-28
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7802 , H01L29/0619 , H01L29/0634 , H01L29/0638 , H01L29/0696 , H01L29/0878 , H01L29/1095 , H01L29/404 , H01L29/7811
Abstract: 本发明提供一种提高了耐压的半导体装置及其制造方法。第1半导体层具有多个第1扩散层。第2半导体层具有多个第2扩散层。第3半导体层具有多个第3扩散层。多个第1扩散层的第1方向的宽度相互相同。多个第1扩散层内的杂质量随着从第1半导体层的下端向上端而逐渐变大。多个第2扩散层的第1方向的宽度相互相同。多个第2扩散层内的杂质量相互相同。多个第3扩散层的第1方向的宽度比处于同一层的第1扩散层的第1方向的宽度以及第2扩散层的第1方向的宽度窄，并且随着从第3半导体层的下端向上端而逐渐变窄。多个第3扩散层内的杂质量相互相同。
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公开(公告)号：CN102420249B
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201110277860.6
申请日：2011-09-19
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L29/78 , H01L29/0619 , H01L29/0634 , H01L29/0638 , H01L29/0878 , H01L29/1095 , H01L29/402 , H01L29/42356 , H01L29/42372 , H01L29/7811 , H01L29/7813
Abstract: 一种功率半导体装置，在第一导电型的第一半导体层(1)的第一表面上，相邻接地包括第一柱区域(6)、第二柱区域(10)、及第一导电型的外延层(3)。第一柱区域(6)具有交替配置的多个第二导电型的第一柱层(4)及多个第一导电型的第二柱层(5)，多个第二导电型的第一基极层(11)相隔开地连接在多个第一柱层(4)的各个之上。第二柱区域(10)相邻接地具有第二导电型的第三柱层(7)、第一导电型的第四柱层(8)、及第二导电型的第五柱层(9)。多个第二导电型的第二基极层(12)相隔开地连接在第三柱层及第五柱层的各个之上。多个源极层选择性地形成在多个第一基极层各自的表面。
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公开(公告)号：CN102403357B
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201110254492.3
申请日：2011-08-31
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/0634 , H01L29/0638 , H01L29/0696 , H01L29/0878 , H01L29/1095 , H01L29/402 , H01L29/66712 , H01L29/7395 , H01L29/7802 , H01L29/7811 , H01L29/872
Abstract: 实施方式的功率用半导体装置具备第一导电型的第一半导体层(1)、第一漂移层(5)、第二漂移层(8)、第一电极(24)、和第二电极(25)，具有在第一电极(24)与第二电极(25)之间流过电流的元件部、和其外周的末端部。第一漂移层(5)具有在元件部中在第一方向上交替地配置的第1第一导电型柱层(3)和第1第二导电型柱层(4)，在末端部中具有第一外延层(2)。第二漂移层(8)在第二外延层(8)中的元件部和末端部中，具有沿着第一方向离开配置的第2及第3第二导电型柱层(7、7a)，将被它们分别所夹的第二外延层(8)分别作为第2及第3第一导电型柱层(6、6a)。
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公开(公告)号：CN102694028A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201210051614.3
申请日：2012-03-02
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L29/7802 , H01L29/0634 , H01L29/0696 , H01L29/0878 , H01L29/1095 , H01L29/4238 , H01L29/66712
Abstract: 实施方式的电力用半导体装置具备：第1导电型的第1半导体层(1)；设置于其上的第1导电型的第2半导体层(3)；设置于第2半导体层中的多个柱状的第2导电型的第3半导体层(4)；设置于第3半导体层的上端部的多个岛状的第2导电型的第4半导体层(5)；多个第1导电型的第5半导体层(6)；多个第2导电型的第6半导体层(8)；栅电极(11)；层间绝缘膜(12)；第1电极(13)以及第2电极(14)。第5半导体层设置于第4半导体层的表面。第6半导体层将相邻的两个第4半导体层相互连接起来。第1电极与第1半导体层连接。第2电极通过层间绝缘膜与栅电极绝缘，且经由栅电极的开口部与第4半导体层以及第5半导体层连接。
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公开(公告)号：CN102403357A
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201110254492.3
申请日：2011-08-31
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/0634 , H01L29/0638 , H01L29/0696 , H01L29/0878 , H01L29/1095 , H01L29/402 , H01L29/66712 , H01L29/7395 , H01L29/7802 , H01L29/7811 , H01L29/872
Abstract: 本发明半导体装置具备第一导电型的第一半导体层(1)、第一漂移层(5)、第二漂移层(8)、第一电极(24)、和第二电极(25)，具有在第一电极(24)与第二电极(25)之间流过电流的元件部、和其外周的末端部。第一漂移层(5)具有在元件部中在第一方向上交替地配置的第1第一导电型柱层(3)和第1第二导电型柱层(4)，在末端部中具有第一外延层(2)。第二漂移层(8)在第二外延层(8)中的元件部和末端部中，具有沿着第一方向离开配置的第2及第3第二导电型柱层(7、7a)，将被它们分别所夹的第二外延层(8)分别作为第2及第3第一导电型柱层(6、6a)。
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