镀敷处理方法、镀敷处理装置、及感测器装置

    公开(公告)号:CN108884583A

    公开(公告)日:2018-11-23

    申请号:CN201780021517.0

    申请日:2017-03-28

    Abstract: 本发明是一面于长度方向搬送基板(FS)一面对利用导电体形成于基板(FS)的表面的导电图案(PT)的一部分选择性地实施镀敷的镀敷处理方法,且包括:利用导电材料于基板(FS)上形成连接于导电图案(PT)中的特定图案部分(SPT)且沿长度方向延伸的辅助图案(APT);使基板(FS)的表面沿长度方向遍及既定距离地接触于电解镀敷液(LQ1);于基板(FS)上的至少特定图案部分(SPT)与电解镀敷液(LQ1)接触的期间,使设置于基板(FS)的表面自电解镀敷液(LQ1)分离的位置的电极构件(19)与辅助图案(APT)接触,且经由电极构件(19)对电解镀敷液(LQ1)施加电压。

    晶体管的制造方法及晶体管

    公开(公告)号:CN103733319B

    公开(公告)日:2017-06-16

    申请号:CN201280037825.X

    申请日:2012-08-06

    CPC classification number: H01L51/0021 H01L51/0545 H01L51/0558 H01L51/105

    Abstract: 本发明的目的是提供一种有机半导体与电极之间的接触电阻降低且生产性良好的晶体管的制造方法。本发明是一种晶体管的制造方法,特征在于:形成载持无电解镀敷用触媒的基底膜;对基底膜载持无电解镀敷用触媒进行第1无电解镀敷;于通过第1无电解镀敷所形成的电极的表面进行第2无电解镀敷,形成源极、漏极电极;及,形成与源极、漏极电极相对的面接触的半导体层;且,第2无电解镀敷中使用的材料的功函数、与半导体层的材料中的用于电子移动的分子轨道的能量位准的能量位准差小于第1无电解镀敷中使用的材料的功函数、与上述分子轨道的能量位准的能量位准差。

    感测器装置、及土壤环境的监视方法

    公开(公告)号:CN111060570B

    公开(公告)日:2022-06-07

    申请号:CN201911351896.7

    申请日:2017-03-28

    Abstract: 本发明提供一种感测器装置、及土壤环境的监视方法,感测器装置是埋设于耕地的土壤中并计测土壤的环境特性的感测器装置,具备:电极部,具有形成于沿着具有可挠性的长条的薄片基板的长度方向的离散的多数位置的各者,具有可与土壤接触的电极;检测电路部,设置于每一电极部,检测电极部的一对电极间的电性变化;导电性的电源线部,为了对各个检测电路部供给电源电压而沿长度方向连续地形成于上述薄片基板上;导电性的信号传输线部,为传输由各个检测电路部检测的检测信号而沿长度方向连续地形成于薄片基板上;收纳槽,沿着薄片基板的长度方向的离散的位置的各者,设有通过水分的薄膜所形成的密闭空间,将种植在耕地的种子保持在密闭空间的各者。

    图案形成方法
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102782580A

    公开(公告)日:2012-11-14

    申请号:CN201180010819.0

    申请日:2011-02-15

    Abstract: 本发明的目的在于提供一种图案形成方法,其能够促进硅烷偶联剂的分解反应,缩短作业时间。本发明包括:在基板(1)上配置由通式(1)表示的硅烷偶联剂(2),针对硅烷偶联剂(2)使光催化剂(3)存在的工序,和对硅烷偶联剂(2)和光催化剂(3)照射包含硅烷偶联剂(2)和光催化剂(3)的吸收波长的光的光L的工序。(下述式中,R1表示因光照射而发生脱离的光反应性保护基团,R2表示由于R1的脱离而产生具有与R1不同的亲疏液性的官能团的有机基团,X1表示烷氧基或卤素原子,X2、X3表示选自氢原子、烷基、烯基、烷氧基、卤素原子中的取代基。X1、X2、X3可以相同也可以不同。)R1-R2-SiX1X2X3 …(1)

    图案形成方法
    10.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102782580B

    公开(公告)日:2015-04-22

    申请号:CN201180010819.0

    申请日:2011-02-15

    Abstract: 本发明的目的在于提供一种图案形成方法,其能够促进硅烷偶联剂的分解反应,缩短作业时间。本发明包括:在基板(1)上配置由通式(1)表示的硅烷偶联剂(2),针对硅烷偶联剂(2)使光催化剂(3)存在的工序,和对硅烷偶联剂(2)和光催化剂(3)照射包含硅烷偶联剂(2)和光催化剂(3)的吸收波长的光的光L的工序。(下述式中,R1表示因光照射而发生脱离的光反应性保护基团,R2表示由于R1的脱离而产生具有与R1不同的亲疏液性的官能团的有机基团,X1表示烷氧基或卤素原子,X2、X3表示选自氢原子、烷基、烯基、烷氧基、卤素原子中的取代基。X1、X2、X3可以相同也可以不同。)R1-R2-SiX1X2X3 …(1)。

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