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公开(公告)号：CN117813550A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202280054650.7
申请日：2022-08-08
Applicant: 株式会社尼康
IPC: G03F7/004 , C07C323/16 , C07C329/06 , C08F20/38 , G03F7/38 , H01L21/288 , H01L21/336 , H01L29/786 , H10K71/20
Abstract: 一种感光性表面处理剂，包含下述式(1)所表示的化合物或由下述式(1)衍生的高分子化合物。[式(1)中，R1为氢原子或碳数1～5的烷基，R2及R3分别独立地为碳数1～3的烷基或碳数1～13的氟烷基，R4为氢原子或硝基，n1为0或1，Y为含聚合性基的基或碳数1～20的直链状或支链状的烷基]#imgabs0#
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公开(公告)号：CN105706220A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201480060991.0
申请日：2014-11-20
Applicant: 株式会社尼康
IPC: H01L21/336 , C23C18/31 , C23C18/32 , C23C28/00 , H01L21/28 , H01L21/288 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L29/41 , H01L29/786 , H01L51/05
CPC classification number: H01L51/0529 , C23C18/2086 , C23C18/31 , C23C18/32 , H01L21/823437 , H01L21/823462 , H01L29/4908 , H01L29/786 , H01L51/0017 , H01L51/052 , H01L51/0541 , H01L51/055
Abstract: 本发明的晶体管的制造方法具有下述工序：在具有源极(6)、漏极(7)、半导体层(9)的基板(2)上，覆盖半导体层(9)，形成以含氟树脂为形成材料的第1绝缘体层(10)；覆盖第1绝缘体层(10)，形成第2绝缘体层(11)；在第2绝缘体层(11)的表面的至少一部分形成基底膜(12)；在基底膜(12)的表面析出作为无电解镀覆用催化剂的金属后，利用无电解镀覆在基底膜的表面形成栅极，形成基底膜(12)的工序是将作为基底膜(12)的形成材料的液态物(12S)涂布于第2绝缘体层(11)的表面来进行的，与第1绝缘体层(10)相比，第2绝缘体层(11)对于液态物(12S)具有更高的亲液性。
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公开(公告)号：CN119631020A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202380057426.8
申请日：2023-08-22
Applicant: 株式会社尼康
Abstract: 一种感光性表面处理剂，其包含下述式(M1)所示的化合物。式(M1)中，R1为直链状、支链状或环状的碳原子数1～6的烷基，Y1为直链状或支链状的碳原子数1～4的亚烷基、或单键。R1的烷基的末端的碳原子可以与构成Y1的亚烷基的碳原子键合而使R1和Y1形成环。R2为氢原子或碳原子数1～6的烷基，R3和R4各自独立地为碳原子数1～3的烷基，n0为0以上的整数，X为卤原子或烷氧基。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN113574459B
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202080021585.9
申请日：2020-03-18
Applicant: 株式会社尼康
IPC: G03F7/20
Abstract: [课题]在对具有感光性保护基团的化合物的层进行曝光而形成亲液/疏液图案后、在形成布线图案前，判断保护基团的脱离是否充分。[解决手段]一种曝光系统，其是对基板上的包含感光性保护基团的层进行曝光，在层中形成包含亲液区域和疏液区域的亲液/疏液图案的曝光系统，其中，具备：曝光装置，对层进行曝光；检查装置，以非接触方式对被曝光装置曝光的区域进行检查；以及控制装置，基于检查装置的检查结果，对曝光系统中包含的装置中的任意一个以上的装置进行控制。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113574459A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202080021585.9
申请日：2020-03-18
Applicant: 株式会社尼康
IPC: G03F7/20
Abstract: [课题]在对具有感光性保护基团的化合物的层进行曝光而形成亲液/疏液图案后、在形成布线图案前，判断保护基团的脱离是否充分。[解决手段]一种曝光系统，其是对基板上的包含感光性保护基团的层进行曝光，在层中形成包含亲液区域和疏液区域的亲液/疏液图案的曝光系统，其中，具备：曝光装置，对层进行曝光；检查装置，以非接触方式对被曝光装置曝光的区域进行检查；以及控制装置，基于检查装置的检查结果，对曝光系统中包含的装置中的任意一个以上的装置进行控制。
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公开(公告)号：CN111433675B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN201880079273.6
申请日：2018-12-11
Applicant: 株式会社尼康
Inventor： 川上雄介
Abstract: 本发明提供一种图案形成方法，其是在对象物的被处理面上形成图案的图案形成方法，其包括下述工序：第1层形成工序，在上述被处理面上形成第1层，该第1层包含具有能够用酸分解、并且还能够用光分解的保护基团的化合物；第2层形成工序，在上述第1层上形成包含通过曝光而产生酸的光产酸剂的第2层；曝光工序，对上述第1层和上述第2层进行曝光，在上述第1层上形成由曝光区域和未曝光区域构成的潜像；以及配置工序，将图案形成材料配置在上述曝光区域或上述未曝光区域。
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公开(公告)号：CN105980600A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201580008353.9
申请日：2015-02-26
Applicant: 株式会社尼康
IPC: C23C18/18
CPC classification number: H01L51/0021 , C23C18/1605 , C23C18/204 , C23C18/2086 , C23C18/285 , C23C18/30 , C23C18/32 , C23C18/42 , C23C18/54 , H01L51/0545 , H01L51/055 , H01L51/105
Abstract: 本发明的布线图案的制造方法具有下述步骤：在基板(2)上形成含有第1形成材料的镀覆基底膜的前体膜(3x)，所述第1形成材料具有由光反应性的保护基保护的氨基；在所述前体膜的表面形成由光致抗蚀剂材料构成的光致抗蚀剂层(4A)；以所需图案光对所述光致抗蚀剂层进行曝光；以所需图案光对所述前体膜进行曝光，形成所述镀覆基底膜(3)；使经曝光的所述光致抗蚀剂层显影的同时去除脱保护后的保护基；使无电解镀覆用催化剂(5)在露出的所述镀覆基底膜的表面析出。
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公开(公告)号：CN111183143B
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN201880065020.3
申请日：2018-10-03
IPC: C07F7/18 , C23C18/18 , C23C18/20 , C23C18/28 , C23C18/31 , G03F7/075 , G03F7/20 , G03F7/40 , H05K3/18
Abstract: 一种化合物，其由下述通式(1)所表示。[式中，X表示卤原子或烷氧基，R1是选自碳原子数为1～5的烷基、下述式(R2‑1)表示的基团、下述式(R2‑2)表示的基团中的任一种基团，R2是下述式(R2‑1)或(R2‑2)表示的基团，n0为0以上的整数，n1为0～5的整数，n2为1～5的自然数。]
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公开(公告)号：CN110198946B
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN201880007674.0
申请日：2018-01-30
IPC: C07F7/18 , H01L21/28 , H01L21/288 , H01L21/336 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/786
Abstract: 一种化合物，其由下述通式(1)所表示。
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