片型电子部件
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102332350A

    公开(公告)日:2012-01-25

    申请号:CN201110157840.5

    申请日:2011-06-02

    CPC classification number: H01G4/2325 H01C1/142 H01C7/18 H01G4/30

    Abstract: 本发明提供一种片型电子部件,其为在安装有片型电子部件的基板上产生了挠曲的情况下,也能够抑制、防止陶瓷基体产生裂纹而受到致命的损伤的、可靠性高的片型电子部件。其构成包括:陶瓷基体(10),其具有内部电极(3a、3b);树脂电极层(12a、12b),其形成于至少包含陶瓷基体(10)的端面(10a、10b)的区域,且直接或间接地与内部电极(3a、3b)连接,并且,与陶瓷基体(10)接合;镀敷金属层(13a、13b),其以覆盖树脂电极层的方式形成,且使陶瓷基体和树脂电极层之间的密合强度比树脂电极层和镀敷金属层之间的密合强度大。

    层叠线圈部件以及层叠线圈部件的制造方法

    公开(公告)号:CN110875123A

    公开(公告)日:2020-03-10

    申请号:CN201910795064.8

    申请日:2019-08-27

    Abstract: 本发明提供一种能够降低直流电阻的层叠线圈部件。一种层叠线圈部件,具备:元件主体,其是层叠多个绝缘层而构成的;线圈,其埋设于上述元件主体的内部,并由设置于上述绝缘层间的线圈导体层构成;以及第1外部电极和第2外部电极,它们设置于上述元件主体的外表面,并与上述线圈电连接,其中,在沿上述层叠方向形成剖面的视图中,上述线圈导体层的朝向上述元件主体外侧的端面沿着上述层叠方向呈直线状,上述线圈导体层的朝向上述元件主体内侧的端面相对于上述层叠方向倾斜或者弯曲。

    片型电子部件
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102332350B

    公开(公告)日:2013-05-08

    申请号:CN201110157840.5

    申请日:2011-06-02

    CPC classification number: H01G4/2325 H01C1/142 H01C7/18 H01G4/30

    Abstract: 本发明提供一种片型电子部件,其为在安装有片型电子部件的基板上产生了挠曲的情况下,也能够抑制、防止陶瓷基体产生裂纹而受到致命的损伤的、可靠性高的片型电子部件。其构成包括:陶瓷基体(10),其具有内部电极(3a、3b);树脂电极层(12a、12b),其形成于至少包含陶瓷基体(10)的端面(10a、10b)的区域,且直接或间接地与内部电极(3a、3b)连接,并且,与陶瓷基体(10)接合;镀敷金属层(13a、13b),其以覆盖树脂电极层的方式形成,且使陶瓷基体和树脂电极层之间的密合强度比树脂电极层和镀敷金属层之间的密合强度大。

    陶瓷电子元件及其制造方法

    公开(公告)号:CN102315017A

    公开(公告)日:2012-01-11

    申请号:CN201110161080.5

    申请日:2011-06-15

    CPC classification number: H01G4/12 H01C1/14 H01G4/005 H01G4/232

    Abstract: 在通过镀覆来形成如层叠陶瓷电容器那样的陶瓷电子元件的外部端子电极时,有时镀生长会一直到不希望之处。为此,本发明提供一种陶瓷电子元件,其中,元件主体(2)提供的陶瓷面具有:例如由钛酸钡类陶瓷构成并显示出较高的镀生长力的高镀生长区域(11);和例如由锆酸钙类陶瓷构成并显示出较低的镀生长力的低镀生长区域(12)。构成作为外部端子电极的基底的第一层(13)的镀膜,以内部电极(5)及(6)的露出端所提供的导电面为起点,在如下的状态下通过析出的镀析出物生长而形成:限制生长使得生长不向着低镀生长区域(12)侧地越过高镀生长区域(11)和低镀生长区域(12)之间的边界。

    天线线圈及天线装置
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101529655A

    公开(公告)日:2009-09-09

    申请号:CN200780040219.2

    申请日:2007-08-28

    Abstract: 通过在磁芯(102)卷绕柔性基板(104)构成天线线圈(100)。在柔性基板(104)上形成:由卷绕方向互相相反的第一接收用线圈部(107a)和第二接收用线圈部(107b)组成的接收用线圈(106);以及由卷绕方向互相相反的第一发送用线圈部(109a)和第二发送用线圈部(109b)组成的发送用线圈(108)。形成接收用线圈(106)的区域和形成发送用线圈(108)的区域在俯视下至少一部分互相重叠,在各线圈(106、108)的第一线圈部(107a、109a)与第二线圈部(107b、109b)之间为线圈非卷绕部(110)。

    透镜天线
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1222082C

    公开(公告)日:2005-10-05

    申请号:CN02140573.5

    申请日:2002-07-03

    CPC classification number: H01Q19/08 H01Q15/08

    Abstract: 本发明提供在高温下在透镜主体和匹配层不容易产生裂纹的透镜天线。其解决方法是,用包含热可塑性弹性体的材料构成所述透镜天线的透镜主体,或在有匹配层的情况下用包含热可塑性弹性体的材料构成透镜主体和匹配层中的至少一方。

    层叠型电子部件及其制造方法

    公开(公告)号:CN102194571A

    公开(公告)日:2011-09-21

    申请号:CN201110030997.1

    申请日:2011-01-25

    CPC classification number: H01G4/30 H01F17/0013 H01G4/005 H01G13/00 H01L41/293

    Abstract: 本发明提供一种层叠型电子部件及其制造方法。通过对部件主体中的多个内部电极的各端部露出的部分实施电镀,从而在形成了外部端子电极时,有时电镀液会从外部端子电极的端缘与部件主体之间的间隙渗入,会降低所得到的层叠型电子部件的可靠性。在作为外部端子电极而形成用于互相连接多个内部电极的第一电镀层、和在该第一电镀层之上形成用于提高层叠型电子部件的安装性的第二电镀层时,在形成第一电镀层之后,利用防水处理剂处理部件主体整体,接着在除去第一电镀层上的防水处理剂之后,形成第二电镀层。在部件主体的外表面上的第一镀膜的端缘与部件主体的外表面之间的间隙内填充防水处理剂。

    树脂涂布金属颗粒的制备方法、树脂涂布金属颗粒和形成电路的调色剂

    公开(公告)号:CN100422232C

    公开(公告)日:2008-10-01

    申请号:CN200480030108.X

    申请日:2004-09-15

    Abstract: [问题]专利文献1描述的用于形成电路的粉状调色剂,用树脂涂布导电材料的反应体系的控制很复杂,且树脂涂布条件根据金属表面状态不同而显著变化。专利文献2描述的用于形成导电图案的金属调色剂,当将提供了聚合催化剂的金属颗粒分散在气相中时加入气相单体,使聚合反应在颗粒表面上进行。因此需要大型设施且要求高度控制反应体系。[解决措施]树脂涂布金属颗粒的制备方法,该方法包括用二氧化硅涂布铜颗粒表面;通过使用硅烷偶合剂使可聚合基团吸附在二氧化硅涂布的铜颗粒表面上;通过将吸附了可聚合基团的铜颗粒与可聚合单体、聚合引发剂,以及分散剂混合,以聚合可聚合单体和可聚合基团,用聚合物树脂涂布二氧化硅涂布的铜颗粒表面的步骤。

    透镜天线
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1395341A

    公开(公告)日:2003-02-05

    申请号:CN02140573.5

    申请日:2002-07-03

    CPC classification number: H01Q19/08 H01Q15/08

    Abstract: 本发明提供在高温下在透镜主体和匹配层不容易产生裂纹的透镜天线。其解决方法是,用包含热可塑性弹性体的材料构成所述透镜天线的透镜主体,或在有匹配层的情况下用包含热可塑性弹性体的材料构成透镜主体和匹配层中的至少一方。

    陶瓷电子元件及其制造方法

    公开(公告)号:CN102315017B

    公开(公告)日:2013-05-08

    申请号:CN201110161080.5

    申请日:2011-06-15

    CPC classification number: H01G4/12 H01C1/14 H01G4/005 H01G4/232

    Abstract: 在通过镀覆来形成如层叠陶瓷电容器那样的陶瓷电子元件的外部端子电极时,有时镀生长会一直到不希望之处。为此,本发明提供一种陶瓷电子元件,其中,元件主体(2)提供的陶瓷面具有:例如由钛酸钡类陶瓷构成并显示出较高的镀生长力的高镀生长区域(11);和例如由锆酸钙类陶瓷构成并显示出较低的镀生长力的低镀生长区域(12)。构成作为外部端子电极的基底的第一层(13)的镀膜,以内部电极(5)及(6)的露出端所提供的导电面为起点,在如下的状态下通过析出的镀析出物生长而形成:限制生长使得生长不向着低镀生长区域(12)侧地越过高镀生长区域(11)和低镀生长区域(12)之间的边界。

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