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公开(公告)号：CN104937727B
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201380071183.X
申请日：2013-11-25
Applicant: 株式会社理光
IPC: H01L31/0687 , H01L31/043 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/1836 , H01L31/035236 , H01L31/043 , H01L31/0687 , H01L31/06875 , H01L31/1804 , H01L31/1852 , H01L31/1892 , Y02E10/544 , Y02P70/521
Abstract: 光伏电池制造方法包括：在第一硅基底上沉积用于进行晶格驰豫的第一缓冲层；在第一缓冲层上沉积第一光电转换单元，第一光电转换单元是用包括pn结的化合物半导体形成的，并且第一光电转换单元具有比硅的晶格常数高的晶格常数；将支持基底连接至第一光电转换单元以形成第一层状体；和从第一层状体除去第一缓冲层以及第一硅基底。
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公开(公告)号：CN104518245B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201410654056.9
申请日：2014-08-20
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: H03L7/26 , G04F5/145 , H05B3/26 , H05B2203/002 , H05B2203/007 , H05B2203/013
Abstract: 一种加热器基板、碱金属电池单元和原子振荡器。一种用于加热包括碱金属的碱金属电池的加热器基板，包括：形成在围绕碱金属被封装了的碱金属封装部分的区域中的第一加热器布线；形成在围绕碱金属封装部分的区域中并且在第一加热器布线内部的第二加热器布线；以及形成在第一加热器布线外部的第三加热器布线。在第一加热器布线中流动的第一电流被分成在第二加热器布线中流动的第二电流和在第三加热器布线中流动的第三电流。第一电流的方向与第二电流的方向和第三电流的方向相反。
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公开(公告)号：CN103650264B
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201280033276.9
申请日：2012-06-29
Applicant: 株式会社理光
Inventor： 佐藤俊一
IPC: H01S5/183
CPC classification number: H01S5/187 , B82Y20/00 , G04F5/14 , G04F5/145 , H01S5/005 , H01S5/18311 , H01S5/18358 , H01S5/18394 , H01S5/34326 , H01S5/4087 , H01S5/423 , H01S2301/176 , H01S2301/18 , H03L7/26
Abstract: 面发射激光器元件包括：下DBR，形成在基板上；有源层，形成在下DBR之上；上DBR，形成在有源层上。上DBR包括电介质多层，该电介质多层通过交替层叠形成具有不同折射率的电介质而形成，遮光部形成在上DBR之上，并且遮光部在中心区域具有用于发射光的开口部。
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公开(公告)号：CN102970035A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201210419400.7
申请日：2012-07-13
Applicant: 株式会社理光
IPC: H03L7/26
CPC classification number: G04F5/14 , H03L7/26 , Y10T29/49002
Abstract: 公开了一种原子振荡器，包括碱金属单元，将激光束照射至该碱金属单元的光源，以及检测穿过该碱金属单元的光的光检测器。该碱金属单元包括第一元件、第二元件、单元内部以及碱金属原材料。在第一元件中，第一玻璃衬底结合于形成第一开口部分的第一衬底的第二表面。在第二元件中，第二玻璃衬底结合于形成第二开口部分的第二衬底的第四表面。该单元内部通过将第一表面结合至第三表面，由第一开口部分和第二开口部分形成。该碱金属原材料由该单元内部所封装。
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公开(公告)号：CN101939882B
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN200980104470.X
申请日：2009-02-09
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: B41J2/45 , H01S5/0021 , H01S5/18311 , H01S5/18344 , H01S5/18358 , H01S5/423 , H01S2301/166 , H04N1/113 , H04N1/1215
Abstract: 本发明公开一种表面发射激光器元件。所述表面发射激光器元件包括：包括有源层的共振器结构主体、夹住共振器结构主体的第一和第二半导体分布式布拉格反射器以及限制结构，该限制结构能够通过由第一半导体分布式布拉格反射器中的包含铝的待被选择性氧化的层的选择性氧化而形成而同时界限注入电流和振荡光的横向模式。待被选择性氧化的层的厚度是28nm，并且当振荡阈值电流变成最小值时的温度为大约17℃。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102664348A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201210152025.4
申请日：2008-11-13
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: H01S5/18358 , B41J2/45 , H01S5/0021 , H01S5/18313 , H01S5/423
Abstract: 公开一种表面发射激光器，其能够容易地制造，具有更高的产率和更长的使用寿命。在表面发射激光器中，选择性氧化层被包括作为上半导体分布式布拉格反射器的低折射率层的一部分；包括选择性氧化层的低折射率层包括邻接选择性氧化层的两个中间层和邻接中间层的两个低折射率层。中间层中的铝含量比率低于选择性氧化层中的，低折射率层中的铝含量比率低于选择性氧化层中的。该构型使得能够提供对氧化层的厚度和氧化速率更多的控制，从而使得能够降低氧化层的厚度的变化。
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公开(公告)号：CN101542854B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200880000717.9
申请日：2008-07-04
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: B41J2/45 , B41J2/455 , B41J2/473 , G02B26/123 , G03G15/04072 , G03G15/0435 , G03G15/326 , G03G2215/0404 , G03G2215/0421 , H01S5/423 , H04N1/0311 , H04N1/113 , H04N1/1135 , H04N1/121 , H04N1/195 , H04N1/19515 , H04N2201/03104
Abstract: 本发明提供了一种表面发射激光器阵列、光学扫描设备和成像设备，其中所述表面发射激光器阵列包括以具有两个正交方向的二维形式布置的多个发光部分。在多个发光部分正交投射在与两个正交方向的一个方向平行的虚拟线上时，在多个发光部分中的两个之间沿着所述虚拟线的间距等于预定值的整数倍。多个发光部分包括第一发光部分、与第一发光部分相邻的第二发光部分以及与第二发光部分相邻的第三发光部分，并且在第一和第二发光部分之间的间距与在第二和第三发光部分之间的间距不同。
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公开(公告)号：CN102498624A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201080041006.3
申请日：2010-09-14
Applicant: 株式会社理光
IPC: H01S5/183
CPC classification number: H01S5/18313 , B82Y20/00 , H01S5/0014 , H01S5/18327 , H01S5/1835 , H01S5/18355 , H01S5/18369 , H01S5/18394 , H01S5/2009 , H01S5/3054 , H01S5/3202 , H01S5/3406 , H01S5/423 , H01S2301/166
Abstract: 一种表面发射激光器，包括基底；设置在基底上的下部半导体多层膜反射体；包括活性层且设置在下部半导体多层膜反射体上的共振体结构；设置在共振体结构上的上部半导体多层膜反射体。该第二半导体多层膜反射体包括一限制结构，在该限制结构中电流通过区域被包含铝的选择性氧化层的氧化部分围绕。发射区域包括中心部分和周围部分，该周围部分覆盖有透明的电介质膜，其反射率比中心部分的反射率低。选择性氧化层具有在从30纳米到40纳米的范围内的厚度。振荡阈值电流被最小化所在的温度是60摄氏度或更低。
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公开(公告)号：CN102474073A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201180002926.9
申请日：2011-05-18
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: G03G15/04 , B41J2/442 , B41J2/471 , G02B26/10 , H01S5/18 , H01S5/18313 , H01S5/18355 , H01S5/18377 , H01S5/18391 , H01S5/18394 , H01S5/3202 , H01S5/423
Abstract: 一种表面发射激光器器件，包括设置在发射区域内并被构造成导致在发生区域内在周边部分的反射率不同于在中心部分的反射率的透明介电层。在表面发射激光器器件中，在发射区域中，接触层的厚度在具有相对高反射率的区域和具有相对低反射率的区域之间不同。接触层设置在上部多层膜反射镜的高折射率层上，并且在具有相对低反射率的区域内，高折射率层和接触层的总光学厚度偏离从发射区域发射的激光的四分之一振荡波长的奇数倍。
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公开(公告)号：CN102255242A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201110110011.1
申请日：2006-02-13
Applicant: 株式会社理光
IPC: H01S5/183
CPC classification number: H01L21/67103 , B82Y20/00 , H01L21/31662 , H01L21/67109 , H01L21/67253 , H01L21/68742 , H01L21/68764 , H01L21/68785 , H01S5/18313 , H01S5/18358 , H01S5/32366 , H01S5/34306 , H01S5/34353 , H01S5/423 , H01S2304/04
Abstract: 一种半导体氧化设备，其配有：由室壁界定的可密封氧化室；设置于氧化室内，并用来支撑半导体样品的基座；用于向所述氧化室供应对所述半导体样品的特定部分进行氧化的水蒸汽的供应部分；监测窗，其设置于所述氧化室的室壁之一内，并且设置于能够面对支撑于所述基座上的所述半导体样品的位置处；监测部分，其设置于所述氧化室之外，并且能够经由所述监测窗面对支撑于所述基座上的半导体样品；以及调整所述基座和所述监测部分之间的距离的调整部分。
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