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公开(公告)号：CN106103817B
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201580014199.6
申请日：2015-02-19
Applicant: 株式会社理光
Abstract: 在第13族氮化物晶体的制造方法中，将由第13族氮化物晶体制成的晶种布置于包含碱金属和第13族元素的混合熔体中，且向所述混合熔体供应氮气以在所述晶种的主面上生长第13族氮化物晶体。所述晶种通过气相外延而制造。与容纳所述混合熔体的反应容器中的所述混合熔体接触的接触部件的至少一部分由Al2O3制成。在所述晶种和所生长的13族氮化物晶体之间形成具有其波长比所生长的第13族氮化物晶体的光致发光发射峰的波长要长的光致发光发射峰的界面层。
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公开(公告)号：CN102995123B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201210336715.5
申请日：2012-09-12
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: C30B9/12 , C30B9/10 , C30B29/406
Abstract: 本发明提供一种IIIA族氮化物晶体的制造方法，其包括了晶体生长过程，通过由具有六方晶结构的氮化镓晶体的籽晶生长具有六方晶结构的IIIA族氮化物晶体来形成IIIA族氮化物晶体，其中籽晶的c轴方向的长度“L”是9.7毫米或更长，长度“L”与c面上晶体直径“d”的L/d比大于0.813。晶体生长过程包括了在IIIA族氮化物晶体的侧面形成包含{10-10}面的外围和包含{10-11}面的外围，并在IIIA族氮化物晶体的底面形成包含{0001}面的外围的过程。
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公开(公告)号：CN102995123A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201210336715.5
申请日：2012-09-12
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: C30B9/12 , C30B9/10 , C30B29/406
Abstract: 本发明提供一种IIIA族氮化物晶体的制造方法，其包括了晶体生长过程，通过由具有六方晶结构的氮化镓晶体的籽晶生长具有六方晶结构的IIIA族氮化物晶体来形成IIIA族氮化物晶体，其中籽晶的c轴方向的长度“L”是9.7毫米或更长，长度“L”与c面上晶体直径“d”的L/d比大于0.813。晶体生长过程包括了在IIIA族氮化物晶体的侧面形成包含{10-10}面的外围和包含{10-11}面的外围，并在IIIA族氮化物晶体的底面形成包含{0001}面的外围的过程。
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公开(公告)号：CN105745365A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201480044634.5
申请日：2014-08-05
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: C30B9/00 , C30B9/10 , C30B19/02 , C30B19/06 , C30B29/406 , C30B35/002
Abstract: 使用通过使用熔剂方法制造第13族氮化物晶体的设备。所述设备包括反应容器、旋转机构、和结构体。所述反应容器容纳混合熔体和置于所述混合熔体中的种晶。所述混合熔体包含碱金属或碱土金属和第13族元素。所述旋转机构使所述反应容器旋转。所述结构体设置在所述反应容器内部用于搅拌所述混合熔体并且构造成使得所述结构体的接近于所述反应容器的内壁的第一部分的高度高于所述结构体的接近于所述反应容器的中心的第二部分的高度。
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公开(公告)号：CN103668460A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310631284.X
申请日：2013-09-13
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: H01L29/2003 , C30B9/12 , C30B29/403
Abstract: 本发明涉及一种具有六方晶体结构的第13族氮化物晶体，其包含至少一个氮原子和至少一个从B、Al、Ga、In和Tl组成的组中选择的金属原子。平行于c-轴的横截面中底面位错的位错密度为104cm-2或更大。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103320864A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310085505.8
申请日：2013-03-18
Applicant: 株式会社理光
IPC: C30B29/40
CPC classification number: C01B21/064 , C01B21/0632 , C30B9/06 , C30B29/403 , C30B29/406
Abstract: 本发明提供第13族氮化物晶体和第13族氮化物晶体基板。第13族氮化物晶体具有六方晶结构，其含有氮原子和选自B、Al、Ga、In和Tl的至少一种类型的金属原子。所述第13族氮化物晶体具有多个方向的基面位错。所述基面位错的位错密度高于c面的穿透位错的位错密度。
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公开(公告)号：CN101405145A
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200780009312.7
申请日：2007-03-14
Applicant: 株式会社理光 , 协和发酵化学有限公司
Abstract: 提供一种光学记录介质，包括第一信息记录层和第二信息记录层两层，第一信息记录层和第二信息记录层通过中间层层压，其中通过从第一信息记录层侧照射的激光作用，在所述两层进行记录和再现，第二信息记录层包括在基底上的光反射层、染料记录层和无机保护层，并且该基底包括在其表面上的摆动凸出部分，该无机保护层具有3nm到40nm的厚度，该染料记录层包括由通式(I)表示的花青化合物和由通式(II)表示的斯夸鎓化合物：见右上通式(I)见右上通式(II)
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公开(公告)号：CN106103816A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201480077198.1
申请日：2014-11-27
Applicant: 株式会社理光
Abstract: 一种氮化镓晶体的制造方法，其包括：其中通过将氮溶解在包含镓和钠的混合熔体中以生长氮化镓晶体(5)的生长步骤，以及其中使包含镓和钠的合金(51)与使钠离子化的液体(52)反应从而使钠离子和镓(55)从所述合金(51)分离且回收所分离的镓(55)的回收步骤。
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公开(公告)号：CN103668460B
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201310631284.X
申请日：2013-09-13
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: H01L29/2003 , C30B9/12 , C30B29/403
Abstract: 本发明涉及一种具有六方晶体结构的第13族氮化物晶体，其包含至少一个氮原子和至少一个从B、Al、Ga、In和Tl组成的组中选择的金属原子。平行于c‑轴的横截面中底面位错的位错密度为104cm‑2或更大。
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公开(公告)号：CN101542620A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200880000255.0
申请日：2008-03-12
Applicant: 株式会社理光
Abstract: 光记录介质，其包括染料记录层，其中通过使用波长640nm至680nm的激光在染料记录层上形成记录标记部分，并且与记录前相比，记录后该记录标记部分上对激光的反射率较高。
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