-
公开(公告)号：CN101026360A
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200710001712.5
申请日：2007-01-12
Applicant: 株式会社瑞萨科技
CPC classification number: H03G3/3047 , H03F1/302 , H03F3/195 , H03F3/343 , H03F2200/447 , H03F2200/451
Abstract: 本发明针对根据HBT的接地发射极电流放大系数的随时间的变化、温度相关性、偏差等补偿RF功率模块的电特性。化合物半导体集成电路将取决于HBT的hFE的参考HBT的参考电流提供到硅半导体集成电路的偏置电路的第一电流反射镜的输入端。从硅半导体集成电路的第一电流反射镜的输出端，利用响应于HBT的hFE的减小而增大的偏置电流，化合物半导体集成电路的输出HBT的基极被偏置。
-
公开(公告)号：CN1838530B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200610068259.5
申请日：2006-03-22
Applicant: 株式会社瑞萨科技
CPC classification number: H03G3/3042 , H03G3/004 , H03G3/3047 , H03G2201/708
Abstract: 本发明提供一种能够降低高频功率放大器电路的输出功率的温度相关性的技术，其中该电路将恒定的偏置电压提供给放大设备的控制端，并按照用于控制其输出功率的输出请求电平来控制工作电源电压。高频功率放大器电路包括放大设备，其控制端(栅极或基极端)被提供以偏置电压。高频功率放大器电路使该偏置电压保持恒定以使放大设备工作于饱和区。高频功率放大器电路依据输出请求电平来控制提供给该放大设备的工作电源电压，从而控制输出功率。工作电源电压控制电路设置有具有温度相关性的设备(二极管)，该控制电路依据该输出请求电平来控制该放大设备的工作电源电压。该工作电源电压控制电路被配置为生成与该设备的稳定特性相应的工作电源电压，并将其提供给放大设备。
-
公开(公告)号：CN1838530A
公开(公告)日：2006-09-27
申请号：CN200610068259.5
申请日：2006-03-22
Applicant: 株式会社瑞萨科技
CPC classification number: H03G3/3042 , H03G3/004 , H03G3/3047 , H03G2201/708
Abstract: 本发明提供一种能够降低高频功率放大器电路的输出功率的温度相关性的技术，其中该电路将恒定的偏置电压提供给放大设备的控制端，并按照用于控制其输出功率的输出请求电平来控制工作电源电压。高频功率放大器电路包括放大设备，其控制端(栅极或基极端)被提供以偏置电压。高频功率放大器电路使该偏置电压保持恒定以使放大设备工作于饱和区。高频功率放大器电路依据输出请求电平来控制提供给该放大设备的工作电源电压，从而控制输出功率。工作电源电压控制电路设置有具有温度相关性的设备(二极管)，该控制电路依据该输出请求电平来控制该放大设备的工作电源电压。该工作电源电压控制电路被配置为生成与该设备的稳定特性相应的工作电源电压，并将其提供给放大设备。
-
公开(公告)号：CN1610251A
公开(公告)日：2005-04-27
申请号：CN200410085267.1
申请日：2004-10-18
Applicant: 株式会社瑞萨科技
CPC classification number: H03G1/0005 , H03F1/301 , H03F2200/294 , H03F2200/372 , H03G2201/103 , H03G2201/206 , H03G2201/307 , H03G2201/40
Abstract: 在使用一种电流镜方法向放大FET提供偏压的高频功率放大器电路中，能够自动校正因FET沟道杂质浓度的耗散所导致的临界电压Vth的耗散、以及因短沟道效应所导致的临界电压Vth和沟道长度调制系数λ的耗散所产生的一个偏压点的偏移，并且能够减小高频功率放大特性的耗散。在使用一种电流镜方法向放大放大FET提供偏压的高频功率放大器电路中，电流模拟晶体管拥有与放大晶体管相同的沟道长度或基极宽度，并且按与放大晶体管相同的工艺加以形成。一个偏压生成电路，用于把一个根据施加于晶体管的电流所形成的一个电压与一个由把来自恒流电路的电流转换成电压的电流－电压转换元件所生成的一个参考电压加以比较，并向所述放大晶体管和电流模拟晶体管提供一个能够禁止放大晶体管的无功电流因短沟道效应或早期效应而变化的偏压。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.034 seconds)
