公开(公告)号：CN101026360A

公开(公告)日：2007-08-29

申请号：CN200710001712.5

申请日：2007-01-12

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 弦卷宏和 ,  长井浩之 ,  古屋富男 ,  原泽良明 ,  田部井慎

IPC: H03F3/24 ,  H03F3/20 ,  H03F3/21 ,  H03F1/30

CPC classification number: H03G3/3047 ,  H03F1/302 ,  H03F3/195 ,  H03F3/343 ,  H03F2200/447 ,  H03F2200/451

Abstract: 本发明针对根据HBT的接地发射极电流放大系数的随时间的变化、温度相关性、偏差等补偿RF功率模块的电特性。化合物半导体集成电路将取决于HBT的hFE的参考HBT的参考电流提供到硅半导体集成电路的偏置电路的第一电流反射镜的输入端。从硅半导体集成电路的第一电流反射镜的输出端，利用响应于HBT的hFE的减小而增大的偏置电流，化合物半导体集成电路的输出HBT的基极被偏置。

公开(公告)号：CN1801643A

公开(公告)日：2006-07-12

申请号：CN200610051336.6

申请日：2006-01-05

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 原泽良明 ,  笠原真澄

IPC: H04B1/38 ,  H04B1/40

CPC classification number: H04W52/028 ,  Y02D70/00

Abstract: 本发明提供从小输出电流到大输出电流的稳定电源电压，不管半导体集成电路器件的工作状态如何。当稳压器的输出电流为小(空闲模式)时，所有的开关断开。从而，经由电阻器向晶体管提供功率，晶体管的负载变大，并且可以减小稳压器的电流消耗。由于晶体管截止，可以降低寄生电容，并且在差分电压比较器的输出和稳压器的输出信号之间可以保证充足的相位裕度。在正常工作中，所有的开关闭合，减小负载电阻以减小噪声，并且提高驱动能力以提供稳定的电源电压。