公开(公告)号：CN101026360A

公开(公告)日：2007-08-29

申请号：CN200710001712.5

申请日：2007-01-12

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 弦卷宏和 ,  长井浩之 ,  古屋富男 ,  原泽良明 ,  田部井慎

IPC: H03F3/24 ,  H03F3/20 ,  H03F3/21 ,  H03F1/30

CPC classification number: H03G3/3047 ,  H03F1/302 ,  H03F3/195 ,  H03F3/343 ,  H03F2200/447 ,  H03F2200/451

Abstract: 本发明针对根据HBT的接地发射极电流放大系数的随时间的变化、温度相关性、偏差等补偿RF功率模块的电特性。化合物半导体集成电路将取决于HBT的hFE的参考HBT的参考电流提供到硅半导体集成电路的偏置电路的第一电流反射镜的输入端。从硅半导体集成电路的第一电流反射镜的输出端，利用响应于HBT的hFE的减小而增大的偏置电流，化合物半导体集成电路的输出HBT的基极被偏置。