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公开(公告)号：CN101287861A
公开(公告)日：2008-10-15
申请号：CN200680037811.2
申请日：2006-11-13
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: C25D11/04 , H01L21/205 , C25D11/08
Abstract: 本发明的目的在于，提供一种形成有耐气体腐蚀性及耐等离子体性优异的，并且紧贴性优异的阳极氧化皮膜的铝构件或铝合金构件，以及由这种耐腐蚀性优异的铝构件或铝合金构件构成的真空装置用构件。另外，本发明在利用等离子体的过程中，为了使等离子体状态保持稳定，以提供具有充分的耐电压性的构件为目的。该目的通过以下的方法达成。(1)阳极氧化皮膜的阻抗在10－2Hz的频率下为107Ω以上，且皮膜硬度以维氏硬度(Hv)计为400以上，或者(2)阳极氧化皮膜的阻抗在10－2Hz的频率下为108Ω以上，且皮膜硬度以维氏硬度(Hv)计为350以上。
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公开(公告)号：CN102460233B
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201080024297.5
申请日：2010-06-15
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: C22C21/00 , C23C14/185 , C23C14/3414 , G02B5/0808 , Y10T428/12993 , Y10T428/24355
Abstract: 本发明提供一种铝合金反射膜，其在利用溅射法成膜的情况下具有比纯Al膜高的反射率，并且具有优异的耐碱性、耐酸性以及耐湿性，因而即使没有保护被膜，也很难引起反射率降低，本发明的铝合金反射膜合计含有0.4～2.5at％的选自Sc、Y、La、Gd、Tb及Lu中的1种以上的元素，余量包含Al及不可避免的杂质，用原子力显微镜测定出的膜表面的平均粗糙度Ra为4nm以下。另外，提供具有该反射膜的汽车用灯具、照明设备。此外，提供用于形成该反射膜的铝合金溅射靶。
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公开(公告)号：CN101809467B
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN200880108612.5
申请日：2008-09-25
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: G02B5/0858 , C23C14/14 , C23C14/165 , F21S41/37 , F21V7/22 , G02B5/0808 , G02B5/085 , H01L51/5203 , H01L51/5271 , H05B33/26 , Y10T428/12896 , Y10T428/265 , Y10T428/31507 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明提供一种难以产生Ag薄膜的由于热引起的凝集或硫化的反射膜、反射膜层叠体及具备该反射膜、反射膜层叠体中的任一种的LED、有机EL显示器、有机EL照明器具。本发明的反射膜形成在基体上，其特征在于，是如下这样的Ag合金膜：以Ag为主要成分，含有0.02原子％以上的Bi，还以合计0.02原子％以上含有V、Ge、Zn中的一种以上，并且在所述V、Ge、Zn中的一种以上的含有率为[A](原子％)，Bi的含有率为[Bi](原子％)时满足下述式(1)。另外，本发明的反射膜层叠体形成在基体上，其特征在于，在含有Ag合金膜的第一膜上形成有含有Si的氧化物的第二膜，其中所述Ag合金膜以Ag为主要成分，含有0.02原子％以上的Bi，还以合计0.02原子％以上含有V、Ge、Zn中的一种以上，并且在所述V、Ge、Zn中的一种以上的含有率为[A](原子％)，Bi的含有率为[Bi](原子％)时满足下述式(1)，7×[A]+13×[Bi]≤8…(1)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101809467A
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200880108612.5
申请日：2008-09-25
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: G02B5/0858 , C23C14/14 , C23C14/165 , F21S41/37 , F21V7/22 , G02B5/0808 , G02B5/085 , H01L51/5203 , H01L51/5271 , H05B33/26 , Y10T428/12896 , Y10T428/265 , Y10T428/31507 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明提供一种难以产生Ag薄膜的由于热引起的凝集或硫化的反射膜、反射膜层叠体及具备该反射膜、反射膜层叠体中的任一种的LED、有机EL显示器、有机EL照明器具。本发明的反射膜形成在基体上，其特征在于，是如下这样的Ag合金膜：以Ag为主要成分，含有0.02原子％以上的Bi，还以合计0.02原子％以上含有V、Ge、Zn中的一种以上，并且在所述V、Ge、Zn中的一种以上的含有率为[A](原子％)，Bi的含有率为[Bi](原子％)时满足下述式(1)。另外，本发明的反射膜层叠体形成在基体上，其特征在于，在含有Ag合金膜的第一膜上形成有含有Si的氧化物的第二膜，其中所述Ag合金膜以Ag为主要成分，含有0.02原子％以上的Bi，还以合计0.02原子％以上含有V、Ge、Zn中的一种以上，并且在所述V、Ge、Zn中的一种以上的含有率为[A](原子％)，Bi的含有率为[Bi](原子％)时满足下述式(1)，7×[A]+13×[Bi]≤8…(1)。
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公开(公告)号：CN101805916A
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200910259037.5
申请日：2009-12-09
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: C25D11/24 , H01L29/4908
Abstract: 本发明提供一种能够利用简便的方法形成硬度高于利用以往方法形成的阳极氧化被膜而且没有发生裂缝的方面的问题、高硬度且低裂缝的平衡出色的阳极氧化被膜的半导体液晶制造装置用表面处理构件的制造方法。该制造方法是在将铝合金或纯铝作为基材的构件的表面形成阳极氧化被膜，然后浸渍于纯水中而对所述阳极氧化被膜进行水合处理的半导体液晶制造装置用表面处理构件的制造方法，其中，在满足处理温度：80℃～100℃、处理时间(分钟)≥-1.5×处理温度(℃)+270的条件下实施所述水合处理。
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公开(公告)号：CN101521145A
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200910006390.2
申请日：2009-02-16
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: C25D11/246
Abstract: 本发明提供能抑制半导体制造装置在使用中电特性经时变化的半导体制造装置用表面处理部件及其制造方法。半导体制造装置用表面处理部件(1)具备：由铝或铝合金形成的基材(2)；和形成于所述基材(2)的表面的、实施了水合处理的阳极氧化被膜(3)；和形成于所述阳极氧化被膜(3)的表面的氟高浓度化层(4)，其特征在于，所述氟高浓度化层(4)的氟浓度为1质量％以上。一种半导体制造装置用表面处理部件(1)的制造方法的特征在于包括下述工序：在由铝或铝合金形成的基材(2)的表面形成阳极氧化被膜(3)的阳极氧化被膜形成工序；和对所述阳极氧化被膜(3)实施水合处理的水合处理工序；和在阳极氧化被膜(3)的表面形成氟浓度高浓度化为1质量％以上的氟高浓度化层(4)的氟高浓度化层形成工序。
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公开(公告)号：CN101805916B
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN200910259037.5
申请日：2009-12-09
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: C25D11/24 , H01L29/4908
Abstract: 本发明提供一种能够利用简便的方法形成硬度高于利用以往方法形成的阳极氧化被膜而且没有发生裂缝的方面的问题、高硬度且低裂缝的平衡出色的阳极氧化被膜的半导体液晶制造装置用表面处理构件的制造方法。该制造方法是在将铝合金或纯铝作为基材的构件的表面形成阳极氧化被膜，然后浸渍于纯水中而对所述阳极氧化被膜进行水合处理的半导体液晶制造装置用表面处理构件的制造方法，其中，在满足处理温度：80℃～100℃、处理时间(分钟)≥-1.5×处理温度(℃)+270的条件下实施所述水合处理。
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公开(公告)号：CN102460233A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201080024297.5
申请日：2010-06-15
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: C22C21/00 , C23C14/185 , C23C14/3414 , G02B5/0808 , Y10T428/12993 , Y10T428/24355
Abstract: 本发明提供一种铝合金反射膜，其在利用溅射法成膜的情况下具有比纯Al膜高的反射率，并且具有优异的耐碱性、耐酸性以及耐湿性，因而即使没有保护被膜，也很难引起反射率降低，本发明的铝合金反射膜合计含有0.4～2.5at％的选自Sc、Y、La、Gd、Tb及Lu中的1种以上的元素，余量包含Al及不可避免的杂质，用原子力显微镜测定出的膜表面的平均粗糙度Ra为4nm以下。另外，提供具有该反射膜的汽车用灯具、照明设备。此外，提供用于形成该反射膜的铝合金溅射靶。
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