铝阳极氧化皮膜
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN104619891B

    公开(公告)日:2017-08-15

    申请号:CN201380047118.3

    申请日:2013-09-24

    Inventor: 细川护 高田悟

    CPC classification number: C25D11/04 C25D11/06 C25D11/08 C25D11/10 C25D11/12

    Abstract: 本发明提供一种铝阳极氧化皮膜,其是在由铝或铝合金构成的基材表面上形成的阳极氧化皮膜,是皮膜结构为单层的阳极氧化皮膜或皮膜结构不同的2种以上的阳极氧化皮膜层叠的而成阳极氧化皮膜,最表面侧的阳极氧化皮膜的由下述(1)式规定的皮膜形成率为1.3以上,并且该阳极氧化皮膜的厚度以相对于皮膜整体的厚度的比例计为3%以上,由此抑制弯曲部裂纹的发生,其结果是,抑制腐蚀气体气氛下的基材的腐蚀,和皮膜裂纹造成的耐电压性的降低,从而能够高耐电压性化。皮膜形成率=阳极氧化皮膜厚度/阳极氧化处理时的基材减少厚度…(1)。

    半导体液晶制造装置用表面处理构件的制造方法

    公开(公告)号:CN101805916A

    公开(公告)日:2010-08-18

    申请号:CN200910259037.5

    申请日:2009-12-09

    CPC classification number: C25D11/24 H01L29/4908

    Abstract: 本发明提供一种能够利用简便的方法形成硬度高于利用以往方法形成的阳极氧化被膜而且没有发生裂缝的方面的问题、高硬度且低裂缝的平衡出色的阳极氧化被膜的半导体液晶制造装置用表面处理构件的制造方法。该制造方法是在将铝合金或纯铝作为基材的构件的表面形成阳极氧化被膜,然后浸渍于纯水中而对所述阳极氧化被膜进行水合处理的半导体液晶制造装置用表面处理构件的制造方法,其中,在满足处理温度:80℃~100℃、处理时间(分钟)≥-1.5×处理温度(℃)+270的条件下实施所述水合处理。

    半导体制造装置用表面处理部件及其制造方法

    公开(公告)号:CN101521145A

    公开(公告)日:2009-09-02

    申请号:CN200910006390.2

    申请日:2009-02-16

    CPC classification number: C25D11/246

    Abstract: 本发明提供能抑制半导体制造装置在使用中电特性经时变化的半导体制造装置用表面处理部件及其制造方法。半导体制造装置用表面处理部件(1)具备:由铝或铝合金形成的基材(2);和形成于所述基材(2)的表面的、实施了水合处理的阳极氧化被膜(3);和形成于所述阳极氧化被膜(3)的表面的氟高浓度化层(4),其特征在于,所述氟高浓度化层(4)的氟浓度为1质量%以上。一种半导体制造装置用表面处理部件(1)的制造方法的特征在于包括下述工序:在由铝或铝合金形成的基材(2)的表面形成阳极氧化被膜(3)的阳极氧化被膜形成工序;和对所述阳极氧化被膜(3)实施水合处理的水合处理工序;和在阳极氧化被膜(3)的表面形成氟浓度高浓度化为1质量%以上的氟高浓度化层(4)的氟高浓度化层形成工序。

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