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公开(公告)号：CN103540987B
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201310424558.8
申请日：2008-04-18
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: C25D11/04
Abstract: 本发明涉及一种具有阳极氧化膜的Al或Al合金，所述阳极氧化膜在其厚度方向具有硬度不同的部位，其中的硬度最大部位的硬度与硬度最小部位的硬度的差以维氏硬度计为5以上。优选所述Al或Al合金的硬度最小部位的硬度以维氏硬度计为300以上。另外，优选所述Al或Al合金的阳极氧化膜的Fe含量500ppm以下。本发明的Al或Al合金即使为高硬度，仍具有耐裂纹性优异的阳极氧化膜。
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公开(公告)号：CN101805916A
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200910259037.5
申请日：2009-12-09
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: C25D11/24 , H01L29/4908
Abstract: 本发明提供一种能够利用简便的方法形成硬度高于利用以往方法形成的阳极氧化被膜而且没有发生裂缝的方面的问题、高硬度且低裂缝的平衡出色的阳极氧化被膜的半导体液晶制造装置用表面处理构件的制造方法。该制造方法是在将铝合金或纯铝作为基材的构件的表面形成阳极氧化被膜，然后浸渍于纯水中而对所述阳极氧化被膜进行水合处理的半导体液晶制造装置用表面处理构件的制造方法，其中，在满足处理温度：80℃～100℃、处理时间(分钟)≥-1.5×处理温度(℃)+270的条件下实施所述水合处理。
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公开(公告)号：CN101521145A
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200910006390.2
申请日：2009-02-16
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: C25D11/246
Abstract: 本发明提供能抑制半导体制造装置在使用中电特性经时变化的半导体制造装置用表面处理部件及其制造方法。半导体制造装置用表面处理部件(1)具备：由铝或铝合金形成的基材(2)；和形成于所述基材(2)的表面的、实施了水合处理的阳极氧化被膜(3)；和形成于所述阳极氧化被膜(3)的表面的氟高浓度化层(4)，其特征在于，所述氟高浓度化层(4)的氟浓度为1质量％以上。一种半导体制造装置用表面处理部件(1)的制造方法的特征在于包括下述工序：在由铝或铝合金形成的基材(2)的表面形成阳极氧化被膜(3)的阳极氧化被膜形成工序；和对所述阳极氧化被膜(3)实施水合处理的水合处理工序；和在阳极氧化被膜(3)的表面形成氟浓度高浓度化为1质量％以上的氟高浓度化层(4)的氟高浓度化层形成工序。
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公开(公告)号：CN101372731A
公开(公告)日：2009-02-25
申请号：CN200810135759.5
申请日：2008-07-11
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: C22C21/00 , C22C21/02 , C22C21/08 , C22F1/04 , C22F1/043 , C22F1/047 , C22F1/05 , C25D11/04
Abstract: 本发明的目的在于，提供一种即使在高硬度下，仍兼备耐久性和低污染性的阳极氧化处理铝合金。一种具有如下铝合金和在该铝合金的表面所形成的阳极氧化皮膜的阳极氧化处理铝合金，作为合金成分，该铝合金含有Mg：0.1～2.0％(“质量％”的意思，下同。)、Si：0.1～2.0％、Mn：0.1～2.0％，Fe、Cr和Cu的各含量分别规定在0.03％以下，余量由Al和不可避免的杂质构成，在所述阳极氧化皮膜的厚度方向上具有硬度不同的部位，使硬度最大的部位和最小的部位的差以维氏硬度计为5以上。
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公开(公告)号：CN103540987A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201310424558.8
申请日：2008-04-18
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: C25D11/04
Abstract: 本发明涉及一种具有阳极氧化膜的Al或Al合金，所述阳极氧化膜在其厚度方向具有硬度不同的部位，其中的硬度最大部位的硬度与硬度最小部位的硬度的差以维氏硬度计为5以上。优选所述Al或Al合金的硬度最小部位的硬度以维氏硬度计为300以上。另外，优选所述Al或Al合金的阳极氧化膜的Fe含量500ppm以下。本发明的Al或Al合金即使为高硬度，仍具有耐裂纹性优异的阳极氧化膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101680103A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200880014768.7
申请日：2008-04-18
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: C25D11/04
CPC classification number: C25D11/04
Abstract: 本发明涉及一种具有阳极氧化膜的Al或Al合金，所述阳极氧化膜在其厚度方向具有硬度不同的部位，其中的硬度最大部位的硬度与硬度最小部位的硬度的差以维氏硬度计为5以上。优选所述Al或Al合金的硬度最小部位的硬度以维氏硬度计为300以上。另外，优选所述Al或Al合金的阳极氧化膜的Fe含量500ppm以下。本发明的Al或Al合金即使为高硬度，仍具有耐裂纹性优异的阳极氧化膜。
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公开(公告)号：CN101805916B
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN200910259037.5
申请日：2009-12-09
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: C25D11/24 , H01L29/4908
Abstract: 本发明提供一种能够利用简便的方法形成硬度高于利用以往方法形成的阳极氧化被膜而且没有发生裂缝的方面的问题、高硬度且低裂缝的平衡出色的阳极氧化被膜的半导体液晶制造装置用表面处理构件的制造方法。该制造方法是在将铝合金或纯铝作为基材的构件的表面形成阳极氧化被膜，然后浸渍于纯水中而对所述阳极氧化被膜进行水合处理的半导体液晶制造装置用表面处理构件的制造方法，其中，在满足处理温度：80℃～100℃、处理时间(分钟)≥-1.5×处理温度(℃)+270的条件下实施所述水合处理。
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公开(公告)号：CN102099509A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN200980127780.3
申请日：2009-09-16
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: C25D11/06 , C25D11/024
Abstract: 本发明提供一种阳极氧化处理方法，以高能率形成抑制形成于等离子体处理装置的真空腔内壁等的铝合金表面的阳极氧化皮膜中的裂纹，且热反射率低，耐电压高的阳极氧化皮膜。该阳极氧化皮膜的形成方法，是在硫酸溶液或硫酸和草酸的混酸溶液中，在JIS6061铝合金基材的表面形成阳极氧化皮膜的阳极氧化皮膜的形成方法，其中，所形成的所述阳极氧化皮膜的全厚度中的膜厚方向的积算电压为1650V·μm以上，在电解电压27V以下形成从所述铝合金基材和阳极氧化皮膜的界面起在膜厚方向25μm的位置到所述阳极氧化皮膜表面之间的阳极氧化皮膜，并且，从所述界面到膜厚方向25μm的位置的积算电压为820V·μm以上1000V·μm以下。经该形成方法能够形成热反射率、裂纹密度和处理时间均满足希望标准，高耐电压的阳极氧化皮膜。
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公开(公告)号：CN102099509B
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN200980127780.3
申请日：2009-09-16
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: C25D11/06 , C25D11/024
Abstract: 本发明提供一种阳极氧化处理方法，以高能率形成抑制形成于等离子体处理装置的真空腔内壁等的铝合金表面的阳极氧化皮膜中的裂纹，且热反射率低，耐电压高的阳极氧化皮膜。该阳极氧化皮膜的形成方法，是在硫酸溶液或硫酸和草酸的混酸溶液中，在JIS6061铝合金基材的表面形成阳极氧化皮膜的阳极氧化皮膜的形成方法，其中，所形成的所述阳极氧化皮膜的全厚度中的膜厚方向的积算电压为1650V·μm以上，在电解电压27V以下形成从所述铝合金基材和阳极氧化皮膜的界面起在膜厚方向25μm的位置到所述阳极氧化皮膜表面之间的阳极氧化皮膜，并且，从所述界面到膜厚方向25μm的位置的积算电压为820V·μm以上1000V·μm以下。经该形成方法能够形成热反射率、裂纹密度和处理时间均满足希望标准，高耐电压的阳极氧化皮膜。
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公开(公告)号：CN101680060A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200780028900.5
申请日：2007-07-10
Applicant: 株式会社神户制钢所
Abstract: 本发明的阳极氧化处理用铝合金，作为合金成分，以质量％计，含有Mg：0.1～2.0％、Si：0.1～2.0％和Mn：0.1～2.0％，Fe、Cr和Cu的各含量分别规定在0.3％以下，余量由Al和不可避免的杂质构成。将上述成分组成的铝合金铸锭，以超过550℃、600℃以下的温度进行均热处理，由此能够得到耐久性更优异的合金。另外，铝合金构件通过在上述合金的表面形成阳极氧化皮膜而获得。
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