公开(公告)号：CN105551959B

公开(公告)日：2019-06-18

申请号：CN201510696311.0

申请日：2015-10-23

Applicant: 格罗方德半导体公司

Inventor： X·吴 ,  季明华 ,  E·K·班哈特

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66537 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/16 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/66803 ,  H01L29/66818 ,  H01L29/7851 ,  H01L29/7853

Abstract: 本发明涉及新颖鳍结构及依斜型鳍的多临限电压形态及其形成方法，其中，提供形成具有低掺杂与高掺杂活性部分的FinFET鳍及/或具有斜型侧壁的FinFET鳍以供Vt调整及多Vt形态用的方法及其产生的装置。具体实施例包括形成Si鳍，Si鳍具有顶端活性部分及底端活性部分；在Si鳍的顶端表面上形成硬罩；在Si鳍的对立侧上形成氧化层；将掺质植入Si鳍；使氧化层凹陷以显露Si鳍的活性顶端部分；蚀刻Si鳍的顶端活性部分以形成垂直侧壁；形成包覆各垂直侧壁的氮化物间隔物；使凹陷的氧化层凹陷以显露Si鳍的活性底端部分；以及斜削Si鳍的活性底端部分。

公开(公告)号：CN105551959A

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201510696311.0

申请日：2015-10-23

Applicant: 格罗方德半导体公司

Inventor： X·吴 ,  季明华 ,  E·K·班哈特

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66537 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/16 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/66803 ,  H01L29/66818 ,  H01L29/7851 ,  H01L29/7853 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明涉及新颖鳍结构及依斜型鳍的多临限电压形态及其形成方法，其中，提供形成具有低掺杂与高掺杂活性部分的FinFET鳍及/或具有斜型侧壁的FinFET鳍以供Vt调整及多Vt形态用的方法及其产生的装置。具体实施例包括形成Si鳍，Si鳍具有顶端活性部分及底端活性部分；在Si鳍的顶端表面上形成硬罩；在Si鳍的对立侧上形成氧化层；将掺质植入Si鳍；使氧化层凹陷以显露Si鳍的活性顶端部分；蚀刻Si鳍的顶端活性部分以形成垂直侧壁；形成包覆各垂直侧壁的氮化物间隔物；使凹陷的氧化层凹陷以显露Si鳍的活性底端部分；以及斜削Si鳍的活性底端部分。