公开(公告)号：CN116779719B

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202310740974.2

申请日：2023-06-21

Applicant: 江苏海洋大学

Inventor： 黄增光 ,  张丽娟 ,  宋晓敏 ,  丘家旺 ,  程浩 ,  童锐 ,  尹海鹏

IPC: H10F71/00 ,  H10F77/30 ,  C23C16/455 ,  C23C16/40

Abstract: 本发明公开了一种基于原子层沉积技术的钽掺杂氧化钛薄膜及其制备方法和应用，通过原子层沉积(ALD)Ta掺TiOx(TTO)薄膜在含有氧化层(自然氧化)的c‑Si背面作为钝化接触层，来实现高的光电转换效率。本发明利用低温的ALD沉积技术制备TTO薄膜可以实现良好的钝化效果(少数载流子寿命τeff＝355.31μs)和导电性(接触电阻率ρc＝0.7mΩ·cm2)，从而实现优异的载流子选择性。本发明将钽掺杂氧化钛薄膜应用于N型TOPCon电池的背面作为电子选择性接触层，与传统的载流子选择性接触层相比可以降低寄生吸收和俄歇复合，制备好的电池在130℃空气退火15min得到电池的冠军效率21.5％。

公开(公告)号：CN118398675B

公开(公告)日：2024-12-17

申请号：CN202410560763.5

申请日：2024-05-08

Applicant: 江苏海洋大学

Inventor： 黄增光 ,  丘家旺 ,  张颖 ,  林夕 ,  周忠国 ,  尹海鹏 ,  张经宏 ,  张丽娟 ,  程浩 ,  宋晓敏

IPC: H01L31/02 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/18 ,  H01L21/02 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种基于旋涂法氧化硅的钝化接触太阳电池及其制备方法和应用。该钝化接触太阳电池包括基底，在基底的正面依次设有p+发射极、第一Al2O3钝化层、SiNx减反射层和Ag栅格，在基底的背面依次设有第二Al2O3钝化层、SiO2层、LiF层和Al电极。本发明通过简单的旋涂和低温ALD技术，制备了有效的电子选择接触太阳电池，从而实现了高的转换效率，制备简单，制备成本低，时间成本低，可广泛用于制备IBC太阳电池和TOPCon太阳电池中。

公开(公告)号：CN116779719A

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN202310740974.2

申请日：2023-06-21

Applicant: 江苏海洋大学

Inventor： 黄增光 ,  张丽娟 ,  宋晓敏 ,  丘家旺 ,  程浩 ,  童锐 ,  尹海鹏

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0216 ,  C23C16/455 ,  C23C16/40

Abstract: 本发明公开了一种基于原子层沉积技术的钽掺杂氧化钛薄膜及其制备方法和应用，通过原子层沉积(ALD)Ta掺TiOx(TTO)薄膜在含有氧化层(自然氧化)的c‑Si背面作为钝化接触层，来实现高的光电转换效率。本发明利用低温的ALD沉积技术制备TTO薄膜可以实现良好的钝化效果(少数载流子寿命τeff＝355.31μs)和导电性(接触电阻率ρc＝0.7mΩ·cm2)，从而实现优异的载流子选择性。本发明将钽掺杂氧化钛薄膜应用于N型TOPCon电池的背面作为电子选择性接触层，与传统的载流子选择性接触层相比可以降低寄生吸收和俄歇复合，制备好的电池在130℃空气退火15min得到电池的冠军效率21.5％。

公开(公告)号：CN118398675A

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN202410560763.5

申请日：2024-05-08

Applicant: 江苏海洋大学

Inventor： 黄增光 ,  丘家旺 ,  张颖 ,  林夕 ,  周忠国 ,  尹海鹏 ,  张经宏 ,  张丽娟 ,  程浩 ,  宋晓敏

IPC: H01L31/02 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/18 ,  H01L21/02 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种基于旋涂法氧化硅的钝化接触太阳电池及其制备方法和应用。该钝化接触太阳电池包括基底，在基底的正面依次设有p+发射极、第一Al2O3钝化层、SiNx减反射层和Ag栅格，在基底的背面依次设有第二Al2O3钝化层、SiO2层、LiF层和Al电极。本发明通过简单的旋涂和低温ALD技术，制备了有效的电子选择接触太阳电池，从而实现了高的转换效率，制备简单，制备成本低，时间成本低，可广泛用于制备IBC太阳电池和TOPCon太阳电池中。

公开(公告)号：CN113871493A

公开(公告)日：2021-12-31

申请号：CN202111083954.X

申请日：2021-09-14

Applicant: 江苏海洋大学

Inventor： 宋晓敏 ,  刘莹 ,  黄增光 ,  童锐 ,  尹海鹏 ,  顾裕华 ,  张颖 ,  钱宇昂 ,  程浩 ,  张丽娟

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/02 ,  H01L31/18 ,  H01L21/02 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455

Abstract: 本发明公开了一种基于原子层沉积技术的铝掺杂氧化钛薄膜及其制备方法，该方法将原硅片进行RCA标准工艺清洗；将硅片放入ALD腔室中，基底温度150℃，腔室抽真空；ALD腔室通入三甲基铝，开阀时间16ms，抽真空25s后通入H2O，开阀时间8ms，抽真空30s，硅片表面形成1层Al2O3；向腔室通入四（二甲胺基）钛，开阀时间180ms，抽真空25s后通入H2O，开阀时间8ms，抽真空30s，硅片表面形成1层Al2O3和5层TiO2薄膜。本发明利用ALD技术，将Al引入TiO2薄膜中，这种薄膜同时具有优异的导电性和钝化性，将其应用在PERC太阳电池上，获得的转化效率优于应用了未掺杂的TiO2薄膜。