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公开(公告)号:CN116779719B
公开(公告)日:2025-04-11
申请号:CN202310740974.2
申请日:2023-06-21
Applicant: 江苏海洋大学
IPC: H10F71/00 , H10F77/30 , C23C16/455 , C23C16/40
Abstract: 本发明公开了一种基于原子层沉积技术的钽掺杂氧化钛薄膜及其制备方法和应用,通过原子层沉积(ALD)Ta掺TiOx(TTO)薄膜在含有氧化层(自然氧化)的c‑Si背面作为钝化接触层,来实现高的光电转换效率。本发明利用低温的ALD沉积技术制备TTO薄膜可以实现良好的钝化效果(少数载流子寿命τeff=355.31μs)和导电性(接触电阻率ρc=0.7mΩ·cm2),从而实现优异的载流子选择性。本发明将钽掺杂氧化钛薄膜应用于N型TOPCon电池的背面作为电子选择性接触层,与传统的载流子选择性接触层相比可以降低寄生吸收和俄歇复合,制备好的电池在130℃空气退火15min得到电池的冠军效率21.5%。
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公开(公告)号:CN118473310B
公开(公告)日:2024-11-15
申请号:CN202410542977.X
申请日:2024-05-01
Applicant: 江苏海洋大学 , 晶海洋半导体材料(东海)有限公司
Abstract: 本发明涉及光伏板清洁技术领域,具体是涉及一种自清洁式光伏系统,包括转动套设在光伏板外围的转动带,转动带为透光材料,转动带的转动过程包括第一工作段,第一工作段倾斜的设置在光伏板的上方部,光伏板的下部设置有用于储存雨水的储水单元,第一工作段上的转动带部分将雨水引导至储水单元中。本发明避免了外界灰尘直接落在光伏板上的情况,通过对转动带清洗,避免了长期清洗对光伏板端面造成的损伤,同时还使得透过转动带的光线在到达光伏板时反射后还能被单向镜面透光膜反射回来,提高了光伏板的电能转化效率。
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公开(公告)号:CN118398675A
公开(公告)日:2024-07-26
申请号:CN202410560763.5
申请日:2024-05-08
Applicant: 江苏海洋大学
IPC: H01L31/02 , H01L31/0216 , H01L31/18 , H01L21/02 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种基于旋涂法氧化硅的钝化接触太阳电池及其制备方法和应用。该钝化接触太阳电池包括基底,在基底的正面依次设有p+发射极、第一Al2O3钝化层、SiNx减反射层和Ag栅格,在基底的背面依次设有第二Al2O3钝化层、SiO2层、LiF层和Al电极。本发明通过简单的旋涂和低温ALD技术,制备了有效的电子选择接触太阳电池,从而实现了高的转换效率,制备简单,制备成本低,时间成本低,可广泛用于制备IBC太阳电池和TOPCon太阳电池中。
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公开(公告)号:CN118398675B
公开(公告)日:2024-12-17
申请号:CN202410560763.5
申请日:2024-05-08
Applicant: 江苏海洋大学
IPC: H01L31/02 , H01L31/0216 , H01L31/18 , H01L21/02 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种基于旋涂法氧化硅的钝化接触太阳电池及其制备方法和应用。该钝化接触太阳电池包括基底,在基底的正面依次设有p+发射极、第一Al2O3钝化层、SiNx减反射层和Ag栅格,在基底的背面依次设有第二Al2O3钝化层、SiO2层、LiF层和Al电极。本发明通过简单的旋涂和低温ALD技术,制备了有效的电子选择接触太阳电池,从而实现了高的转换效率,制备简单,制备成本低,时间成本低,可广泛用于制备IBC太阳电池和TOPCon太阳电池中。
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公开(公告)号:CN118473310A
公开(公告)日:2024-08-09
申请号:CN202410542977.X
申请日:2024-05-01
Applicant: 江苏海洋大学 , 晶海洋半导体材料(东海)有限公司
Abstract: 本发明涉及光伏板清洁技术领域,具体是涉及一种自清洁式光伏系统,包括转动套设在光伏板外围的转动带,转动带为透光材料,转动带的转动过程包括第一工作段,第一工作段倾斜的设置在光伏板的上方部,光伏板的下部设置有用于储存雨水的储水单元,第一工作段上的转动带部分将雨水引导至储水单元中。本发明避免了外界灰尘直接落在光伏板上的情况,通过对转动带清洗,避免了长期清洗对光伏板端面造成的损伤,同时还使得透过转动带的光线在到达光伏板时反射后还能被单向镜面透光膜反射回来,提高了光伏板的电能转化效率。
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公开(公告)号:CN116779719A
公开(公告)日:2023-09-19
申请号:CN202310740974.2
申请日:2023-06-21
Applicant: 江苏海洋大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0216 , C23C16/455 , C23C16/40
Abstract: 本发明公开了一种基于原子层沉积技术的钽掺杂氧化钛薄膜及其制备方法和应用,通过原子层沉积(ALD)Ta掺TiOx(TTO)薄膜在含有氧化层(自然氧化)的c‑Si背面作为钝化接触层,来实现高的光电转换效率。本发明利用低温的ALD沉积技术制备TTO薄膜可以实现良好的钝化效果(少数载流子寿命τeff=355.31μs)和导电性(接触电阻率ρc=0.7mΩ·cm2),从而实现优异的载流子选择性。本发明将钽掺杂氧化钛薄膜应用于N型TOPCon电池的背面作为电子选择性接触层,与传统的载流子选择性接触层相比可以降低寄生吸收和俄歇复合,制备好的电池在130℃空气退火15min得到电池的冠军效率21.5%。
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