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公开(公告)号：CN113871493A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202111083954.X
申请日：2021-09-14
Applicant: 江苏海洋大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/02 , H01L31/18 , H01L21/02 , C23C16/40 , C23C16/455
Abstract: 本发明公开了一种基于原子层沉积技术的铝掺杂氧化钛薄膜及其制备方法，该方法将原硅片进行RCA标准工艺清洗；将硅片放入ALD腔室中，基底温度150℃，腔室抽真空；ALD腔室通入三甲基铝，开阀时间16ms，抽真空25s后通入H2O，开阀时间8ms，抽真空30s，硅片表面形成1层Al2O3；向腔室通入四（二甲胺基）钛，开阀时间180ms，抽真空25s后通入H2O，开阀时间8ms，抽真空30s，硅片表面形成1层Al2O3和5层TiO2薄膜。本发明利用ALD技术，将Al引入TiO2薄膜中，这种薄膜同时具有优异的导电性和钝化性，将其应用在PERC太阳电池上，获得的转化效率优于应用了未掺杂的TiO2薄膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118398675B
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202410560763.5
申请日：2024-05-08
Applicant: 江苏海洋大学
IPC: H01L31/02 , H01L31/0216 , H01L31/18 , H01L21/02 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种基于旋涂法氧化硅的钝化接触太阳电池及其制备方法和应用。该钝化接触太阳电池包括基底，在基底的正面依次设有p+发射极、第一Al2O3钝化层、SiNx减反射层和Ag栅格，在基底的背面依次设有第二Al2O3钝化层、SiO2层、LiF层和Al电极。本发明通过简单的旋涂和低温ALD技术，制备了有效的电子选择接触太阳电池，从而实现了高的转换效率，制备简单，制备成本低，时间成本低，可广泛用于制备IBC太阳电池和TOPCon太阳电池中。
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公开(公告)号：CN118611118A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410652927.7
申请日：2024-05-24
Applicant: 江苏海洋大学
Abstract: 本发明提供一种智能监测的光伏热电氢综合储能系统，该系统包括监测系统、管理系统、光伏系统、储电系统、供热系统、制氢系统；监测系统用于获得储电系统、供热系统、制氢系统的运行状态数据，发送至管理系统；管理系统用于获得所述光伏系统产生的电流值，按照设定比例分配电流至监测系统、储电系统、供热系统、制氢系统，并控制储电系统、供热系统、制氢系统的运行；储电系统用于存储所述光伏系统多余电能；供热系统用于将光伏系统多余电能转化为热能；制氢系统用于电解纯水制备氢气并储存。本发明充分利用光伏系统的电能，实现了储氢和储热两种储能方式，提高了光伏系统的能量利用率；管理系统和监测系统的联用使综合储能系统兼具自动化、智能化特点，提升了整体工作效率与安全性。
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公开(公告)号：CN116779719A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310740974.2
申请日：2023-06-21
Applicant: 江苏海洋大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0216 , C23C16/455 , C23C16/40
Abstract: 本发明公开了一种基于原子层沉积技术的钽掺杂氧化钛薄膜及其制备方法和应用，通过原子层沉积(ALD)Ta掺TiOx(TTO)薄膜在含有氧化层(自然氧化)的c‑Si背面作为钝化接触层，来实现高的光电转换效率。本发明利用低温的ALD沉积技术制备TTO薄膜可以实现良好的钝化效果(少数载流子寿命τeff＝355.31μs)和导电性(接触电阻率ρc＝0.7mΩ·cm2)，从而实现优异的载流子选择性。本发明将钽掺杂氧化钛薄膜应用于N型TOPCon电池的背面作为电子选择性接触层，与传统的载流子选择性接触层相比可以降低寄生吸收和俄歇复合，制备好的电池在130℃空气退火15min得到电池的冠军效率21.5％。
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公开(公告)号：CN116779719B
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202310740974.2
申请日：2023-06-21
Applicant: 江苏海洋大学
IPC: H10F71/00 , H10F77/30 , C23C16/455 , C23C16/40
Abstract: 本发明公开了一种基于原子层沉积技术的钽掺杂氧化钛薄膜及其制备方法和应用，通过原子层沉积(ALD)Ta掺TiOx(TTO)薄膜在含有氧化层(自然氧化)的c‑Si背面作为钝化接触层，来实现高的光电转换效率。本发明利用低温的ALD沉积技术制备TTO薄膜可以实现良好的钝化效果(少数载流子寿命τeff＝355.31μs)和导电性(接触电阻率ρc＝0.7mΩ·cm2)，从而实现优异的载流子选择性。本发明将钽掺杂氧化钛薄膜应用于N型TOPCon电池的背面作为电子选择性接触层，与传统的载流子选择性接触层相比可以降低寄生吸收和俄歇复合，制备好的电池在130℃空气退火15min得到电池的冠军效率21.5％。
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公开(公告)号：CN118398675A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410560763.5
申请日：2024-05-08
Applicant: 江苏海洋大学
IPC: H01L31/02 , H01L31/0216 , H01L31/18 , H01L21/02 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种基于旋涂法氧化硅的钝化接触太阳电池及其制备方法和应用。该钝化接触太阳电池包括基底，在基底的正面依次设有p+发射极、第一Al2O3钝化层、SiNx减反射层和Ag栅格，在基底的背面依次设有第二Al2O3钝化层、SiO2层、LiF层和Al电极。本发明通过简单的旋涂和低温ALD技术，制备了有效的电子选择接触太阳电池，从而实现了高的转换效率，制备简单，制备成本低，时间成本低，可广泛用于制备IBC太阳电池和TOPCon太阳电池中。
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