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公开(公告)号：CN1232988C
公开(公告)日：2005-12-21
申请号：CN200310101674.2
申请日：2003-10-24
Applicant: 清华大学
IPC: G21C5/00
CPC classification number: Y02E30/40
Abstract: 一种制备核反应堆用石墨表面抗氧化涂层的方法，属于核能技术领域。本发明的特征是将气相反应、浆料涂覆及高温氧化结合起来，在核反应堆用石墨表面制备SiC/SiO2复合抗氧化涂层。该方法首先将核反应堆用石墨在含有硅蒸气的气氛中进行高温处理，获得具有适当过渡层的SiC涂层；将制备了SiC涂层的石墨样品表面涂覆硅粉浆料，然后在惰性保护气体中进行高温处理，液态硅渗透到SiC涂层的孔隙中使涂层进一步致密化；将制备了致密SiC涂层的石墨样品在空气中进行高温氧化处理，在核反应堆用石墨表面获得SiC/SiO2复合涂层。本工艺方法实施简单，成本低、容易过渡到大批量生产、是一种能显著改善石墨抗氧化性能的抗氧化涂层的制备方法。
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公开(公告)号：CN1170002C
公开(公告)日：2004-10-06
申请号：CN02104076.1
申请日：2002-03-08
Applicant: 清华大学
Abstract: 一种聚酰亚胺基板的铜金属化方法，涉及微电子封装技术。本发明的特征是以乙酰丙酮铜有机金属化合物为前驱体，采用化学气相沉积法进行铜金属化。其制备方法为：首先将聚酰亚胺基板表面进行抛光清洗；利用溅射镀膜法在上述处理后的基板表面沉积TiN非晶层；以N2为载气，其流量170-350ml/min，以H2为反应气体，其流量为400-700ml/min，利用化学气相沉积法在TiN非晶层上制备Cu膜，沉积反应温度为220-280℃，前驱体挥发温度为180℃-270℃。利用本铜金属化方法，其Cu膜电阻率低，抗电迁移能力好，结合强度大，完全满足电子封装基板需要。
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公开(公告)号：CN1182029C
公开(公告)日：2004-12-29
申请号：CN03119129.0
申请日：2003-03-14
Applicant: 清华大学
IPC: C01B31/36
Abstract: 本发明涉及一种碳化硅纳米棒的制备方法，属于碳化硅材料制备技术领域。本方法以碳纳米管和聚碳硅烷溶液为原料，采用浸渍和裂解工艺制备。其制备步骤为：将碳纳米管原料空气氧化处理并在浓硝酸中浸泡，水洗后烘干；烘干后的碳纳米管浸入浓度为5wt%～30wt%的聚碳硅烷溶液，并超声分散；抽空过滤，固液分离；固体沉降物放入炉内，在惰性气体下按2～10℃/分钟的升温速度加热至1000～1300℃，保温，使碳纳米管吸附的聚碳硅烷裂解，即得碳化硅纳米棒。利用本发明的方法制备碳化硅纳米棒，其工艺实施简单、易于大批量生产、制备温度低、成本低、节能，所制备的碳化硅纳米棒管径10～40纳米，作为结构增强材料、半导体材料以及功能材料，具有广阔的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1382830A
公开(公告)日：2002-12-04
申请号：CN02104076.1
申请日：2002-03-08
Applicant: 清华大学
Abstract: 一种聚酰亚胺基板的铜金属化方法,涉及微电子封装技术。本发明的特征是以乙酰丙酮铜有机金属化合物为前驱体,采用化学气相沉积法进行铜金属化。其制备方法为:首先将聚酰亚胺基板表面进行抛光清洗;利用溅射镀膜法在上述处理后的基板表面沉积TiN非晶层;以N2为载气,其流量170－350ml/min,以H2为反应气体,其流量为400－700ml/min,利用化学气相沉积法在TiN非晶层上制备Cu膜,沉积反应温度为220－280℃,前驱体挥发温度为180－270℃。利用本铜金属化方法,其Cu膜电阻率低,抗电迁移能力好,结合强度大,完全满足电子封装基板需要。
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公开(公告)号：CN1554802A
公开(公告)日：2004-12-15
申请号：CN200310121765.2
申请日：2003-12-23
Applicant: 清华大学
IPC: C23C20/08
Abstract: 本发明公开了属于核反应材料制造技术领域的一种制备核反应堆用石墨表面抗氧化涂层碳化硅的方法。该方法首先把聚碳硅烷(PCS)溶液涂覆在基体表面，在溶剂挥发后在基体表面获得PCS涂层；将上述制备了PCS涂层的样品在含有Si的保护气体中进行高温裂解，通过独立调节裂解温度和裂解气氛来控制硅烷的含量来实现碳化硅的碳/硅比，在裂解气氛中加入含有硅组分的气体，可以使PCS在裂解的过程中与含有硅组分的气体反应来避免制备的SiC中的游离碳，且不降低陶瓷产率。此方法可以在一定温度范围内的任意温度通过控制裂解气氛中含有硅组分的气体的含量来改变制备的碳化硅的碳/硅比，裂解温度和裂解气氛组成可以独立控制。
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公开(公告)号：CN1538463A
公开(公告)日：2004-10-20
申请号：CN200310101674.2
申请日：2003-10-24
Applicant: 清华大学
IPC: G21C5/00
CPC classification number: Y02E30/40
Abstract: 一种制备核反应堆用石墨表面抗氧化涂层的方法，属于核能技术领域。本发明的特征是将气相反应、浆料涂覆及高温氧化结合起来，在核反应堆用石墨表面制备SiC/SiO2复合抗氧化涂层。该方法首先将核反应堆用石墨在含有硅蒸气的气氛中进行高温处理，获得具有适当过渡层的SiC涂层；将制备了SiC涂层的石墨样品表面涂覆硅粉浆料，然后在惰性保护气体中进行高温处理，液态硅渗透到SiC涂层的孔隙中使涂层进一步致密化；将制备了致密SiC涂层的石墨样品在空气中进行高温氧化处理，在核反应堆用石墨表面获得SiC/SiO2复合涂层。本工艺方法实施简单、成本低，容易过渡到大批量生产。是一种能显著改善石墨抗氧化性能的抗氧化涂层的制备方法。
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公开(公告)号：CN1436724A
公开(公告)日：2003-08-20
申请号：CN03119129.0
申请日：2003-03-14
Applicant: 清华大学
IPC: C01B31/36
Abstract: 本发明涉及一种碳化硅纳米棒的制备方法，属于碳化硅材料制备技术领域。本方法以碳纳米管和聚碳硅烷溶液为原料，采用浸渍和裂解工艺制备。其制备步骤为：将碳纳米管原料空气氧化处理并在浓硝酸中浸泡，水洗后烘干；烘干后的碳纳米管浸入浓度为5wt％～30wt％的聚碳硅烷溶液，并超声分散；抽空过滤，固液分离；固体沉降物放入炉内，在惰性气体下按2～10℃/分钟的升温速度加热至1000～1300℃保温，使碳纳米管吸附的聚碳硅烷裂解，即得碳化硅纳米棒。利用本发明的方法制备碳化硅纳米棒，其工艺实施简单、易于大批量生产、制备温度低、成本低、节能，所制备的碳化硅纳米棒管径10～40纳米，作为结构增强材料、半导体材料以及功能材料，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN1304638C
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：CN200310121765.2
申请日：2003-12-23
Applicant: 清华大学
IPC: C23C20/08
Abstract: 本发明公开了属于核反应材料制造技术领域的一种制备核反应堆用石墨表面抗氧化涂层碳化硅的方法。该方法首先把聚碳硅烷(PCS)溶液涂覆在基体表面，在溶剂挥发后在基体表面获得PCS涂层；将上述制备了PCS涂层的样品在含有Si的保护气体中进行高温裂解，通过独立调节裂解温度和裂解气氛来控制硅烷的含量来实现碳化硅的碳/硅比，在裂解气氛中加入含有硅组分的气体，可以使PCS在裂解的过程中与含有硅组分的气体反应来避免制备的SiC中的游离碳，且不降低陶瓷产率。此方法可以在一定温度范围内的任意温度通过控制裂解气氛中含有硅组分的气体的含量来改变制备的碳化硅的碳/硅比，裂解温度和裂解气氛组成可以独立控制。
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