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公开(公告)号：CN106711323A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201611185367.0
申请日：2016-12-20
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明提供一种利用二维材料的磁性异质结构磁性隧道结，其整体上为垂直堆叠的三明治结构，上层为铁磁性层或非铁磁性材料层，下层为铁磁性层或非铁磁性材料层，上层和下层之间为二维材料层。本发明使用二维材料作为隧穿层构成一种新型的新型磁性异质结构，可实现真正的2D原子级厚度和连续可调控的能带特性，为下一代磁存储、磁传感、自旋逻辑、量子计算等应用提供了巨大的尺寸缩小空间和灵活应用的潜力。
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公开(公告)号：CN102976879B
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201210506453.2
申请日：2012-11-30
Applicant: 清华大学
IPC: C07B35/02 , C07C17/354 , C07C25/02 , C07C45/62 , C07C49/233 , C07C51/36 , C07C57/58 , C07C67/303 , C07C69/65 , C07C69/78 , C07C67/283 , C07D403/06 , B01J23/52
Abstract: 负载型PtAu催化剂及其催化还原烯键或炔键的方法，属于多相催化技术领域。本发明所提供的负载型PtAu催化剂，是以乙酰丙酮铂和四水合氯金酸为前体，以活性炭为载体，将两种前体放在十八胺中还原制备出双金属PtAu，再将得到的双金属PtAu负载在活性炭上。所提供的负载型PtAu催化还原烯键或炔键的方法，是以卤代芳烃为底物，以负载型PtAu为催化剂，在室温常压氢气氛下，将底物和催化剂置于有机溶剂中进行反应，选择性还原底物分子中的烯键或炔键。本发明方法具有催化剂制备程序简单、反应条件温和、催化剂活性和选择性及稳定性较高等优点，可以实现一系列卤代芳烃分子中烯键或炔键的高度选择性还原。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102964194A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201210507338.7
申请日：2012-11-30
Applicant: 清华大学
IPC: C07B43/04 , C07C209/36 , C07C211/46 , C07C211/58 , C07C211/47 , C07C221/00 , C07C223/06 , C07C211/51 , C07C213/02 , C07C215/68 , C07C225/22 , C07C211/52 , C07C211/50 , C07C217/84 , C07C227/04 , C07C229/60 , B01J23/89
CPC classification number: Y02P20/584
Abstract: 一种Rh3Ni1催化剂及其催化还原硝基芳烃制备芳胺的方法，属于多相催化技术领域。本发明提供的Rh3Ni1催化还原硝基芳烃制备芳胺的方法，是以硝基芳烃为底物，以双金属Rh3Ni1为催化剂，在室温常压氢气氛下，将底物和催化剂置于有机溶剂中进行反应，选择性还原硝基芳烃制备芳胺。所用双金属Rh3Ni1，是以三水合三氯化铑和乙酰丙酮镍为前体，在十八胺中制备出双金属Rh3Ni1纳米合金。本发明方法具有催化剂制备程序简单、反应条件温和（常温常压）、催化剂活性和选择性高等优点。
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公开(公告)号：CN105428964B
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201510767570.8
申请日：2015-11-11
Applicant: 清华大学
IPC: H01S1/02
Abstract: 本发明提供一种石墨烯太赫兹发射器及其制作方法，包括：基底以及依次设置在基底上的石墨烯纳米带、第一电极、绝缘层和第二电极；所述石墨烯纳米带位于所述基底上；所述第一电极位于所述石墨烯纳米带部分区域上；所述绝缘层位于所述石墨烯纳米带及所述第一电极上；所述第二电极位于与所述石墨烯纳米带对应的绝缘层之上；所述石墨烯纳米带的中部宽度大于两边的宽度。本发明有效地提高了太赫兹的发射效率，同时缩小设备体积，可在常温条件下生成太赫兹波。
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公开(公告)号：CN102976879A
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201210506453.2
申请日：2012-11-30
Applicant: 清华大学
IPC: C07B35/02 , C07C17/354 , C07C25/02 , C07C45/62 , C07C49/233 , C07C51/36 , C07C57/58 , C07C67/303 , C07C69/65 , C07C69/78 , C07C67/283 , C07D403/06 , B01J23/52
Abstract: 负载型PtAu催化剂及其催化还原烯键或炔键的方法，属于多相催化技术领域。本发明所提供的负载型PtAu催化剂，是以乙酰丙酮铂和四水合氯金酸为前体，以活性炭为载体，将两种前体放在十八胺中还原制备出双金属PtAu，再将得到的双金属PtAu负载在活性炭上。所提供的负载型PtAu催化还原烯键或炔键的方法，是以卤代芳烃为底物，以负载型PtAu为催化剂，在室温常压氢气氛下，将底物和催化剂置于有机溶剂中进行反应，选择性还原底物分子中的烯键或炔键。本发明方法具有催化剂制备程序简单、反应条件温和、催化剂活性和选择性及稳定性较高等优点，可以实现一系列卤代芳烃分子中烯键或炔键的高度选择性还原。
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公开(公告)号：CN102766108A
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：CN201210228460.0
申请日：2012-07-02
Applicant: 清华大学
IPC: C07D263/58 , B01J23/75
Abstract: 本发明公开了一种苯并恶唑C2位氨化衍生物的制备方法，该制备方法是以苯并恶唑和胺为底物，以钴纳米晶或钴粉或钴箔为催化剂，以叔丁基过氧化氢为氧化剂，以乙酸为添加剂；在常温常压空气氛下，将底物、催化剂、氧化剂和添加剂溶解于乙腈中进行反应，制备一系列苯并恶唑C2位氨化衍生物。本发明方法具有温和、低廉、高效等突出优点，避免了已有合成路线中需要高温、需要昂贵的金属催化剂或配体等缺点，可以制取一系列苯并恶唑C2位氨化衍生物。
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公开(公告)号：CN105428964A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201510767570.8
申请日：2015-11-11
Applicant: 清华大学
IPC: H01S1/02
CPC classification number: H01S1/02
Abstract: 本发明提供一种石墨烯太赫兹发射器及其制作方法，包括：基底以及依次设置在基底上的石墨烯纳米带、第一电极、绝缘层和第二电极；所述石墨烯纳米带位于所述基底上；所述第一电极位于所述石墨烯纳米带部分区域上；所述绝缘层位于所述石墨烯纳米带及所述第一电极上；所述第二电极位于与所述石墨烯纳米带对应的绝缘层之上；所述石墨烯纳米带的中部宽度大于两边的宽度。本发明有效地提高了太赫兹的发射效率，同时缩小设备体积，可在常温条件下生成太赫兹波。
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