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公开(公告)号：CN109390297B
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN201711477595.X
申请日：2017-12-29
Abstract: 本发明涉及一种功率模块和包含该功率模块的功率转换系统，该功率模块包括：上基板，其包括多个由金属制成的电路图案区域和布置在多个电路图案区域之间的至少一个区域中的电介质区域；下基板，其包括多个由金属制成的电路图案区域和布置在多个电路图案区域之间的至少一个区域中的电介质区域；以及半导体元件，其具有上端子和下端子，上端子和下端子分别结合到上基板的下表面和下基板的上表面。该功率转换系统，包括：功率模块；以及被配置成与介电层表面接触的冷却器。
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公开(公告)号：CN108074888B
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN201710438265.3
申请日：2017-06-12
IPC: H01L23/367 , H01L23/373
Abstract: 本发明公开一种具有双面冷却的电源模块，其包括：半导体芯片，其被设置在上部衬底和下部衬底之间；第一电源引导部，其被设置在上部衬底和半导体芯片之间；信号引导部，其被设置在上部衬底和半导体芯片之间，并且与第一电源引导部间隔开；第二电源引导部，其被设置在下部衬底和半导体芯片之间；分隔板，其被设置在第一电源引导部、信号引导部与半导体芯片之间；其中分隔板经由形成为通过分隔板的第一孔将第一电源引导部与半导体芯片连接，并且经由形成为通过分隔板的第二孔将信号引导部与半导体芯片连接。
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公开(公告)号：CN108231709B
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN201710622726.2
申请日：2017-07-27
IPC: H01L23/367 , H01L23/373
Abstract: 一种具有双面冷却的功率模块，在功率模块的上板与下板之间设置有半导体芯片。具体地，上板包括：由介电材料制成的第一接合层；和由铜材料制成并设置在第一接合层的第一表面上的第一电极，第一电极连接至半导体芯片。下板包括：由介电材料制成的第二接合层；和由铜材料制成并设置在第二接合层的第一表面上的第二电极，第二电极连接至半导体芯片。更具体地，第一电极的厚度是第一接合层的厚度的三倍或更大，并且第二电极的厚度是第二接合层的厚度的三倍或更大。
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公开(公告)号：CN111916418A
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN201911175465.X
申请日：2019-11-26
IPC: H01L23/492 , H01L21/60
Abstract: 一种隔离件结构及其制造方法，该隔离件结构连接绝缘基板和双面冷却功率模块的半导体芯片，包括：由复合材料构成的导电材料层；底镀层，设置在导电材料层上；以及铜镀层，设置在底镀层上，其中，铜镀层与将隔离件接合到半导体芯片和绝缘基板的接合材料接触。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109390297A
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201711477595.X
申请日：2017-12-29
CPC classification number: H01L23/49575 , H01L21/50 , H01L23/051 , H01L23/10 , H01L23/473 , H01L23/492 , H01L23/4951 , H01L23/49513 , H01L23/49527 , H01L23/49537 , H01L23/49548 , H01L23/49558 , H01L23/49568 , H01L23/49586 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L2224/291 , H01L2224/32225 , H01L2224/32257 , H01L2224/32258 , H01L2224/33181 , H01L2924/15153 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L23/34 , H01L23/36
Abstract: 本发明涉及一种功率模块和包含该功率模块的功率转换系统，该功率模块包括：上基板，其包括多个由金属制成的电路图案区域和布置在多个电路图案区域之间的至少一个区域中的电介质区域；下基板，其包括多个由金属制成的电路图案区域和布置在多个电路图案区域之间的至少一个区域中的电介质区域；以及半导体元件，其具有上端子和下端子，上端子和下端子分别结合到上基板的下表面和下基板的上表面。该功率转换系统，包括：功率模块；以及被配置成与介电层表面接触的冷却器。
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公开(公告)号：CN113658925A
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202011083319.7
申请日：2020-10-12
IPC: H01L23/373 , H01L23/49 , H01L23/367
Abstract: 本发明涉及多层间隔件及包括其的双面冷却电源模块。一种热膨胀系数和热导率可控的多层间隔件，以及包括该多层间隔件的双面冷却电源模块，所述多层间隔件设置在双面冷却电源模块中的半导体芯片和基板之间。所述多层间隔件包括第一金属层和第二金属层，所述第一金属层由第一金属制成并且设置为至少各自的最外层，所述第二金属层由第二金属制成并且布置在设置为最外层的第一金属层之间，所述第二金属具有的热膨胀系数低于所述第一金属的热膨胀系数。
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公开(公告)号：CN113380735A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202010928385.3
申请日：2020-09-07
IPC: H01L23/373 , H01L23/14 , H01L23/367
Abstract: 根据本发明的双面冷却型电源模块包括：上基板，其包括绝缘层、上金属层以及下金属层，所述上金属层结合至所述绝缘层的顶部，所述下金属层结合至所述绝缘层的底部；下基板，其布置在上基板的下方并且包括绝缘层、上金属层以及下金属层，所述上金属层结合至所述绝缘层的顶部，所述下金属层结合至所述绝缘层的底部；间隔件，其布置在上基板与下基板之间并且将上基板与下基板电连接；以及半导体芯片，其布置在间隔件与上基板之间或间隔件与下基板之间，其中，所述绝缘层由一种材料制成，所述材料的热膨胀系数为上基板和下基板的金属层的热膨胀系数的0.8倍或以上且1.2倍或以下。
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公开(公告)号：CN108231709A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201710622726.2
申请日：2017-07-27
IPC: H01L23/367 , H01L23/373
Abstract: 一种具有双面冷却的功率模块，在功率模块的上板与下板之间设置有半导体芯片。具体地，上板包括：由介电材料制成的第一接合层；和由铜材料制成并设置在第一接合层的第一表面上的第一电极，第一电极连接至半导体芯片。下板包括：由介电材料制成的第二接合层；和由铜材料制成并设置在第二接合层的第一表面上的第二电极，第二电极连接至半导体芯片。更具体地，第一电极的厚度是第一接合层的厚度的三倍或更大，并且第二电极的厚度是第二接合层的厚度的三倍或更大。
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公开(公告)号：CN108074888A
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201710438265.3
申请日：2017-06-12
IPC: H01L23/367 , H01L23/373
CPC classification number: H01L23/4334 , H01L21/4882 , H01L23/3735 , H01L23/49562 , H01L2224/32245 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L23/367 , H01L23/3737
Abstract: 本发明公开一种具有双面冷却的电源模块，其包括：半导体芯片，其被设置在上部衬底和下部衬底之间；第一电源引导部，其被设置在上部衬底和半导体芯片之间；信号引导部，其被设置在上部衬底和半导体芯片之间，并且与第一电源引导部间隔开；第二电源引导部，其被设置在下部衬底和半导体芯片之间；分隔板，其被设置在第一电源引导部、信号引导部与半导体芯片之间；其中分隔板经由形成为通过分隔板的第一孔将第一电源引导部与半导体芯片连接，并且经由形成为通过分隔板的第二孔将信号引导部与半导体芯片连接。
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