公开(公告)号：CN106972762B

公开(公告)日：2019-08-16

申请号：CN201610892448.8

申请日：2016-10-12

Applicant: 台达电子国际(新加坡)私人有限公司

Inventor： 黎耀威 ,  陈大容

IPC: H02M7/00 ,  H01L25/07 ,  H01L23/367

CPC classification number: H02M7/003 ,  H01L23/051 ,  H01L23/36 ,  H01L23/3675 ,  H01L23/49531 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49568 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/49861 ,  H01L23/5385 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/24 ,  H01L24/25 ,  H01L25/115 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/24175 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2224/2518 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/13055

Abstract: 本发明提供一种电源模块，包含基板、第一次模块、第二次模块及电路板。第一次模块及第二次模块的半导体开关及二极管内埋于绝缘层，借此第一次模块及第二次模块形成桥式电路的高压侧开关组件及低压侧开关组件。第一次模块与第二次模块设置于基板的第一表面上。第一次模块的电极与第二次模块的一些电极与电路板的对应导接部电连接。散热器设置于电路板的第二表面。本发明电源模块封装过程较为简单；同时电源模块的热能可通过电路板及散热器进行散热，因此达到双面散热的效果而提升散热效率；此外电源模块还可减少寄生电感，提升切换效率，减少线路阻抗，且提升电能转换效率。

公开(公告)号：CN105493275B

公开(公告)日：2018-06-19

申请号：CN201480048271.2

申请日：2014-08-21

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 浅井林太郎

IPC: H01L23/40 ,  H01L23/28

CPC classification number: H01L23/4006 ,  H01L23/051 ,  H01L23/28 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/40 ,  H01L23/4334 ,  H01L24/33 ,  H01L2023/4056 ,  H01L2023/4087 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/00

Abstract: 半导体装置(1)具备：半导体元件(2)，其具有正面与背面；一对散热板(3)，其以对半导体元件(2)进行夹持的方式而被对置配置，并且分别相对于半导体元件(2)的正面与背面而通过焊锡(21)被安装；紧固螺栓(4)，其具有绝缘性，并在对置方向上对一对散热板(3)进行紧固。在一对散热板(3)之间，于紧固螺栓(4)的轴向的至少一部分上形成有螺纹(41)。

公开(公告)号：CN104701306B

公开(公告)日：2018-05-29

申请号：CN201410738558.X

申请日：2014-12-05

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  株式会社电装

Inventor： 门口卓矢 ,  平野敬洋 ,  奥村知己 ,  福谷啓太 ,  西畑雅由

IPC: H01L25/07

CPC classification number: H01L23/047 ,  H01L21/565 ,  H01L23/051 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/49537 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 公开了一种半导体装置，其包括：半导体元件，其设置在平面上；密封树脂，其对所述半导体元件进行密封；端子，其电连接到所述半导体元件并且包括从所述密封树脂的预定表面突出的部分；以及凹部，当沿与所述平面垂直的方向观察时，所述凹部从所述预定表面朝向所述半导体元件侧凹进。当沿与所述平面垂直的方向观察时，在所述半导体元件侧的所述凹部的边包括R形状。

公开(公告)号：CN107634042A

公开(公告)日：2018-01-26

申请号：CN201710580703.X

申请日：2017-07-17

Applicant: 赛米控电子股份有限公司

Inventor： 内德察德·巴基亚 ,  克里斯蒂安·约布尔

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/049 ,  H01L23/36

CPC classification number: H01L21/52 ,  H01L23/051 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/367 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/5385 ,  H01L25/18 ,  H02M3/1588 ,  H02M2001/0058

Abstract: 本发明涉及功率电子开关装置及其功率半导体模块。该开关装置和功率半导体模块被配置为具有基底、布置在其上的功率半导体组件、以及负载连接装置，其中基底包含相互电绝缘印刷导体，其中优选地用于AC电势的负载连接装置包括至少两个局部连接装置，所述至少两个局部连接装置具有相互对应的接触表面，所述至少两个局部连接装置以压紧配合或实质性键合的方式并且在接触表面上以导电的方式来被互连，其中第一局部连接装置具有被压紧配合或实质性键合到基底的印刷导体的第一接触装置，并且其中第二局部连接装置具有用于负载连接装置的进一步连接——优选地为外部连接的第二接触装置。

公开(公告)号：CN104952815B

公开(公告)日：2017-12-15

申请号：CN201510088870.3

申请日：2015-02-26

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 益永孝幸 ,  上田和宏 ,  渡边尚威 ,  丸野広司 ,  木田敏彦

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L23/31 ,  H01L23/29 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L23/473 ,  H01L21/54 ,  H01L21/565 ,  H01L23/051 ,  H01L23/28 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/3736 ,  H01L23/42 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/49562 ,  H01L25/065 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012

Abstract: 提供一种能够容易地相对于冷却器进行固定而不会使散热性受损的半导体模块以及半导体模块的制造方法。半导体模块具备半导体元件、第一导电体、第二导电体以及封壳。所述半导体元件具有第一电极以及形成在与所述第一电极对置的面上的第二电极。所述第一导电体具有第一接合面以及第一散热面，所述第一接合面与所述第一电极电连接。所述第二导电体具有第二接合面以及第二散热面，第二接合面与第二电极电连接。所述封壳具有第一封壳部分以及第二封壳部分，所述第一封壳部分由第一绝缘材料构成，并形成为密封住所述半导体元件；所述第二封壳部分由导热率高于所述第一绝缘材料的第二绝缘材料构成，并形成为与第一散热面和第二散热面相接触。

公开(公告)号：CN104521125B

公开(公告)日：2017-11-14

申请号：CN201380041268.3

申请日：2013-07-10

Applicant: 日立汽车系统株式会社

Inventor： 高木佑辅 ,  松下晃 ,  吉成英人 ,  露野圆丈

IPC: H01L23/051 ,  H01L23/24 ,  H01L23/42 ,  H02M7/00

CPC classification number: H05K5/062 ,  H01L23/051 ,  H01L23/24 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/42 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/49562 ,  H01L24/73 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/40137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H02M7/003 ,  H05K7/20409 ,  H05K7/20418 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的功率半导体组件提高金属制壳体和功率半导体组件的密封力。功率半导体组件(3)利用第一密封树脂(6)将功率半导体元件(31U、31L)和导体板(33～36)的外周侧面覆盖而一体化。金属制壳体(40)的内表面形成有氧化层(粗糙面层)(46)。对设置在金属制壳体(40)的氧化层(46)和功率半导体组件(30)的空间(S)注入具有流动性的树脂材料，形成第二密封树脂(52)。第二密封树脂(52)进入氧化层(46)的凹陷，因此密封力提高。

公开(公告)号：CN104303289B

公开(公告)日：2017-10-24

申请号：CN201380002160.3

申请日：2013-05-13

Applicant: 新电元工业株式会社

Inventor： 池田康亮

IPC: H01L23/36 ,  H01L23/40 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L23/3672 ,  H01L21/4817 ,  H01L21/50 ,  H01L21/565 ,  H01L23/051 ,  H01L23/055 ,  H01L23/16 ,  H01L23/3675 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/3737 ,  H01L23/42 ,  H01L23/48 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/49844 ,  H01L23/49866 ,  H01L23/5385 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/071 ,  H01L25/165 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/13016 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/1318 ,  H01L2224/13294 ,  H01L2224/133 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/32013 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/3303 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/8348 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2224/9221 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1611 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/16724 ,  H01L2924/1679 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01074

Abstract: 本发明提供一种可小型化的电子模块及其制造方法。本发明涉及的电子模块1包括：电子模块10，具有包含主面11a及主面11b的基板11，并具有安装在主面11a上的电子元件12；电子模块20，具有包含主面21a及主面21b且主面21a被配置为与主面11a相对向的基板21，具有安装在主面11a上且通过连接部件18与电子元件12电连接的电子元件22，并具有安装在主面21b上且通过将基板21向厚度方向贯穿的连接部件19与电子元件电12电连接的电子元件23，并且，电子模块20通过连接部件18、19与电子模块10热连接；以及散热器30，在内部设有收纳部31a，将电子模块10、20收纳在收纳部31a中，从而使得主面11b与收纳部31a的内壁面相接触。

公开(公告)号：CN104425473B

公开(公告)日：2017-09-29

申请号：CN201410450460.4

申请日：2014-09-05

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： G.比尔 ,  I.埃舍尔-珀佩尔 ,  J.赫格尔 ,  O.霍尔费尔德 ,  P.坎沙特

IPC: H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L25/072 ,  H01L21/561 ,  H01L21/566 ,  H01L21/568 ,  H01L23/051 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/48 ,  H01L23/492 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/562 ,  H01L24/24 ,  H01L24/33 ,  H01L24/72 ,  H01L24/82 ,  H01L24/83 ,  H01L24/96 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/03002 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/24195 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/96 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/2064 ,  H01L2924/20643 ,  H01L2924/20644 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及半导体装置及制造和运行方法和制造多个芯片组件的方法。该半导体装置包括上和下接触板、多个芯片组件、介电填料以及控制电极互连结构。每个芯片组件具有拥有半导体本体的半导体芯片，半导体本体具有上侧和对置的在垂直方向上隔开的下侧。每个半导体芯片具有在上和下侧上的上和下主电极、在上侧上的控制电极和导电上补偿小板，通过填料将芯片组件以材料决定的方式彼此连接成固定复合体。每个芯片组件的上补偿小板的背离半导体本体的侧并不或至少不完全被填料覆盖。控制电极互连结构布置在复合体上并且将芯片组件的控制电极彼此导电连接。每个芯片组件布置在上与下接触板之间，使得上补偿小板的背离半导体本体的侧电接触上接触板。

公开(公告)号：CN104412383B

公开(公告)日：2017-09-26

申请号：CN201380033827.6

申请日：2013-06-20

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 石野宽 ,  渡边友和

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/433 ,  H01L23/492 ,  H02M7/00

CPC classification number: H05K7/2039 ,  H01L23/051 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/492 ,  H01L24/06 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/97 ,  H01L25/07 ,  H01L25/072 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83424 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/8346 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10271 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/351 ,  H02M7/003 ,  H02M7/48 ,  H05K1/11 ,  H05K1/185 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 在半导体装置中，散热板(11、12)分别配置在上支路(51、53、55)以及下支路(52、54、56)的半导体芯片(10)的表面侧以及背面侧。引出导体部具有平行导体，该平行导体具有正极端子(13)、负极端子(14)、及配置在正极端子与负极端子间的绝缘膜(15)，正极端子与负极端子夹着该绝缘膜而对置配置。所述半导体芯片被树脂模制部(18)覆盖，所述散热板中的与所述半导体芯片相反一侧的面和正极端子的一部分以及负极端子的一部分从所述树脂模制部露出，至少引出导体部中的平行导体的一部分进入到所述树脂模制部。

公开(公告)号：CN106098766A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201610680376.0

申请日：2013-05-31

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： D.阿勒斯 ,  D.博纳特 ,  L.博鲁基 ,  M.聪德尔

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H02M7/00

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L23/051 ,  H01L23/24 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/086 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/36 ,  H01L29/7391 ,  H01L29/861 ,  H01L2924/0002 ,  H02J7/14 ,  H02J7/242 ,  H01L2924/00 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/083 ,  H02M7/003

Abstract: 本发明涉及栅控二极管、电池充电组件和发电机组件。一种栅控二极管可以包括均为第一导电类型的源极区域和漏极区域。源极区域直接毗邻半导体管芯的第一表面，并且漏极区域直接毗邻半导体管芯的相对的第二表面。漏极区域包括在半导体管芯的外延层中形成的漂移区域。第二导电类型的基极区域被提供在漏极区域和源极区域之间，该第二导电类型与第一导电类型相反。漂移区域还包括调节区域，该调节区域直接毗邻基极区域并且分布布置在相应基极区域和第二表面之间。调节区域中的净掺杂剂浓度为第二子区域中的净掺杂剂浓度的至少两倍。调节区域精确地定义反向击穿电压。