公开(公告)号：CN113748502A

公开(公告)日：2021-12-03

申请号：CN202080030507.5

申请日：2020-04-17

Applicant: 电化株式会社

Inventor： 中原史博 ,  青野良太 ,  矢野清治

IPC: H01L23/13 ,  H05K1/02

Abstract: 本发明的陶瓷电路基板具备：氮化硅基板；铜散热板，其设置于氮化硅基板的一面；和铜电路板，其设置于氮化硅基板的另一面，其中，所述陶瓷电路基板具备银镀层，其设置于铜电路板的另一面的至少一部分，银镀层形成于设置在铜电路板的另一面上的凹部内。

公开(公告)号：CN110731129B

公开(公告)日：2024-01-09

申请号：CN201880037182.6

申请日：2018-06-07

Applicant: 电化株式会社

Inventor： 青野良太 ,  中原史博 ,  西村浩二 ,  津川优太

IPC: H05K3/18 ,  B23K1/00 ,  C23C18/42 ,  H01L23/13 ,  H01L23/36 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H05K3/32

Abstract: 课题在于得到适于半导体元件的银纳米粒子接合、与功率模块密封树脂的密合性优异的陶瓷电路基板。解决方案在于一种陶瓷电路基板，其为在使用了氮化铝或氮化硅的陶瓷基板的两主面介由钎料而接合铜板、在至少一主面的铜板上实施了镀银的陶瓷电路基板，其特征在于，铜板侧面不实施镀银，银镀层的厚度为0.1μm至1.5μm，镀银后的电路基板的表面粗糙度的算术平均粗糙度Ra为0.1μm至1.5μm。

公开(公告)号：CN103242832B

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201210487685.8

申请日：2012-11-26

Applicant: 电化株式会社

Inventor： 小林庆太 ,  中原史博 ,  市川恒希 ,  水谷晋 ,  伏井康人

IPC: C09K11/64 ,  H01L33/50

CPC classification number: C09K11/7706 ,  H01L33/504 ,  Y02B20/181

Abstract: 本发明提供一种荧光体及发光装置，所述荧光体具有高温特性和长期可靠性且为高亮度，所述发光装置是使用了该荧光体的白色发光装置。本发明的荧光体具有：峰值波长为540nm以上至545nm以下、荧光强度为260%以上至280%以下的氧氮化物荧光体（A）；峰值波长为625nm以上至635nm以下的氮化物荧光体（B）。荧光体（A）的配比为74质量份以上至89质量份以下，荧光体（B）的配比为11质量份以上至19质量份以下。

公开(公告)号：CN110731129A

公开(公告)日：2020-01-24

申请号：CN201880037182.6

申请日：2018-06-07

Applicant: 电化株式会社

Inventor： 青野良太 ,  中原史博 ,  西村浩二 ,  津川优太

IPC: H05K3/18 ,  B23K1/00 ,  C23C18/42 ,  H01L23/13 ,  H01L23/36 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H05K3/32

Abstract: 课题在于得到适于半导体元件的银纳米粒子接合、与功率模块密封树脂的密合性优异的陶瓷电路基板。解决方案在于一种陶瓷电路基板，其为在使用了氮化铝或氮化硅的陶瓷基板的两主面介由钎料而接合铜板、在至少一主面的铜板上实施了镀银的陶瓷电路基板，其特征在于，铜板侧面不实施镀银，银镀层的厚度为0.1μm至1.5μm，镀银后的电路基板的表面粗糙度的算术平均粗糙度Ra为0.1μm至1.5μm。