-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113678244B
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202080025366.8
申请日：2020-03-26
Applicant: 电化株式会社
IPC: H01L23/13 , H01L23/12 , H01L23/373 , C04B37/02 , C04B35/587 , H01L21/56 , H05K1/03
Abstract: 本发明提供氮化硅电路基板，其具备氮化硅基板、设置于上述氮化硅基板的一面的第一铜层、和设置于上述氮化硅基板的另一面的第二铜层，上述氮化硅基板的断裂韧性值Kc为5.0MPa·m0.5以上、10.0MPa·m0.5以下，将上述氮化硅基板的线膨胀率设为αB(/℃)、将上述氮化硅基板的杨氏模量设为EB(GPa)、将上述第一铜层的线膨胀率设为αA(/℃)、将上述第二铜层的线膨胀率设为αC(/℃)时，热冲击参数HS1及热冲击参数HS2各自为1.30GPa以上、2.30GPa以下。
-
公开(公告)号：CN118891961A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202380026490.X
申请日：2023-02-24
Applicant: 电化株式会社
Abstract: 陶瓷复合基板具备：陶瓷板；第1电路部，其设置于陶瓷板的主面；和第2电路部，其以沿着规定方向在与第1电路部之间隔开间隔的状态下设置于主面。第1电路部具有设置于主面的接合体、借助接合体接合到主面的金属体、和以覆盖金属体的表面及接合体中的从金属体伸出的部分的方式形成的金属被膜。接合体包含与金属体接合且银的含量为50质量％以上的银接合层。金属被膜包含以覆盖银接合层中的与第2电路部相对的侧面的方式形成的侧方部分。上述侧方部分的靠近第2电路部的端部与银接合层的靠近第2电路部的端部之间的规定方向上的距离L大于金属被膜的厚度H。
-
公开(公告)号：CN118844120A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202380026489.7
申请日：2023-02-24
Applicant: 电化株式会社
Abstract: 陶瓷复合基板具备：陶瓷板；第1电路部，其设置于陶瓷板的主面；和第2电路部，其以沿着规定方向在与第1电路部之间隔开间隔的状态下设置于主面。第1电路部具有设置于主面的接合体、借助接合体接合到主面的金属体、和以覆盖金属体的表面及接合体中的从金属体伸出的部分的方式形成的金属被膜。接合体包含与金属体接合且银的含量为50质量％以上的第1接合层、和与主面接合且银的含量比第1接合层少的第2接合层。第2接合层与第2电路部之间的规定方向上的距离D2小于第1接合层与第2电路部之间的规定方向上的距离D1。
-
-
公开(公告)号：CN113678244A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202080025366.8
申请日：2020-03-26
Applicant: 电化株式会社
IPC: H01L23/13 , H01L23/12 , H01L23/373 , C04B37/02 , C04B35/587 , H01L21/56 , H05K1/03
Abstract: 本发明提供氮化硅电路基板，其具备氮化硅基板、设置于上述氮化硅基板的一面的第一铜层、和设置于上述氮化硅基板的另一面的第二铜层，上述氮化硅基板的断裂韧性值Kc为5.0MPa·m0.5以上、10.0MPa·m0.5以下，将上述氮化硅基板的线膨胀率设为αB(/℃)、将上述氮化硅基板的杨氏模量设为EB(GPa)、将上述第一铜层的线膨胀率设为αA(/℃)、将上述第二铜层的线膨胀率设为αC(/℃)时，热冲击参数HS1及热冲击参数HS2各自为1.30GPa以上、2.30GPa以下。
-
-
-
-
Search Results
5
records
(took 0.023 seconds)
