公开(公告)号：CN110999544B

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN201880050613.2

申请日：2018-07-30

Applicant: 电化株式会社

Inventor： 酒井笃士 ,  广津留秀树 ,  市川恒希 ,  谷口佳孝

IPC: H05K1/02 ,  H01L23/12 ,  H01L23/36 ,  H05K1/03 ,  H05K1/09

Abstract: 陶瓷电路基板，其具备陶瓷基材1、和设置于陶瓷基材1两面的包含Al及/或Cu的金属层2a、2b，所述陶瓷电路基板的25℃～150℃时的线性热膨胀系数的测定值α1为5×10‑6～9×10‑6/K，所述α1相对于25℃～150℃时的线性热膨胀系数的理论值α2的比α1/α2为0.7～0.95，金属层2a、2b中的至少一者形成了金属电路。

公开(公告)号：CN110999544A

公开(公告)日：2020-04-10

申请号：CN201880050613.2

申请日：2018-07-30

Applicant: 电化株式会社

Inventor： 酒井笃士 ,  广津留秀树 ,  市川恒希 ,  谷口佳孝

IPC: H05K1/02 ,  H01L23/12 ,  H01L23/36 ,  H05K1/03 ,  H05K1/09

Abstract: 陶瓷电路基板，其具备陶瓷基材1、和设置于陶瓷基材1两面的包含Al及/或Cu的金属层2a、2b，所述陶瓷电路基板的25℃～150℃时的线性热膨胀系数的测定值α1为5×10-6～9×10-6/K，所述α1相对于25℃～150℃时的线性热膨胀系数的理论值α2的比α1/α2为0.7～0.95，金属层2a、2b中的至少一者形成了金属电路。

公开(公告)号：CN110475751A

公开(公告)日：2019-11-19

申请号：CN201880023552.0

申请日：2018-03-30

Applicant: 电化株式会社

Inventor： 佐佐木修治 ,  中村祐三 ,  市川恒希

IPC: C01G23/00 ,  C01B33/18 ,  C01F7/02 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31

Abstract: 粉末混合物，其特征在于，其是由球状钛酸钡粒子和球状氧化物粒子构成的平均粒径为2μm以上且30μm以下的粉末混合物，上述球状氧化物粒子的平均粒径为0.05μm以上且1.5μm以下，且在粉末混合物中含有0.02质量％以上且15质量％以下的所述球状氧化物粒子。球状氧化物粒子优选为非晶质二氧化硅粒子及/或氧化铝粒子。根据本发明，能够提供可制备使线偏移量及毛刺减少的高介电树脂组合物的球状钛酸钡基粉末。

公开(公告)号：CN103242832B

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201210487685.8

申请日：2012-11-26

Applicant: 电化株式会社

Inventor： 小林庆太 ,  中原史博 ,  市川恒希 ,  水谷晋 ,  伏井康人

IPC: C09K11/64 ,  H01L33/50

CPC classification number: C09K11/7706 ,  H01L33/504 ,  Y02B20/181

Abstract: 本发明提供一种荧光体及发光装置，所述荧光体具有高温特性和长期可靠性且为高亮度，所述发光装置是使用了该荧光体的白色发光装置。本发明的荧光体具有：峰值波长为540nm以上至545nm以下、荧光强度为260%以上至280%以下的氧氮化物荧光体（A）；峰值波长为625nm以上至635nm以下的氮化物荧光体（B）。荧光体（A）的配比为74质量份以上至89质量份以下，荧光体（B）的配比为11质量份以上至19质量份以下。

公开(公告)号：CN110475751B

公开(公告)日：2022-08-19

申请号：CN201880023552.0

申请日：2018-03-30

Applicant: 电化株式会社

Inventor： 佐佐木修治 ,  中村祐三 ,  市川恒希

IPC: C01G23/00 ,  C01B33/18 ,  C01F7/02 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31

Abstract: 粉末混合物，其特征在于，其是由球状钛酸钡粒子和球状氧化物粒子构成的平均粒径为2μm以上且30μm以下的粉末混合物，上述球状氧化物粒子的平均粒径为0.05μm以上且1.5μm以下，且在粉末混合物中含有0.02质量％以上且15质量％以下的所述球状氧化物粒子。球状氧化物粒子优选为非晶质二氧化硅粒子及/或氧化铝粒子。根据本发明，能够提供可制备使线偏移量及毛刺减少的高介电树脂组合物的球状钛酸钡基粉末。

公开(公告)号：CN113329970A

公开(公告)日：2021-08-31

申请号：CN202080010063.9

申请日：2020-01-28

Applicant: 电化株式会社

Inventor： 佐佐木祐辅 ,  黑川史裕 ,  市川恒希

IPC: C01B21/064 ,  C08L101/00 ,  C08K3/38

Abstract: 本发明的一个方面是氮化硼粉末，其是氮化硼的一次粒子凝集而成的，所述氮化硼粉末的平均直径为40μm以上、平均球形度低于0.70。

公开(公告)号：CN110998839A

公开(公告)日：2020-04-10

申请号：CN201880050659.4

申请日：2018-07-30

Applicant: 电化株式会社

Inventor： 广津留秀树 ,  谷口佳孝 ,  市川恒希 ,  酒井笃士

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/13 ,  H01L23/36 ,  H01L25/18 ,  H02M7/48

Abstract: 功率模块1，其具备底板2、接合于底板2上的陶瓷绝缘基板4、和接合于陶瓷绝缘基板4上的半导体元件6，底板2的与陶瓷绝缘基板4呈相反侧的面2b具有凸状的翘曲2c，温度从150℃到25℃的降温时的底板2的线性热膨胀系数α1(×10-6/K)及陶瓷绝缘基板4的线性热膨胀系数α2(×10-6/K)满足下述式(1)。

公开(公告)号：CN110998839B

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN201880050659.4

申请日：2018-07-30

Applicant: 电化株式会社

Inventor： 广津留秀树 ,  谷口佳孝 ,  市川恒希 ,  酒井笃士

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/13 ,  H01L23/36 ,  H01L25/18 ,  H02M7/48

Abstract: 功率模块1，其具备底板2、接合于底板2上的陶瓷绝缘基板4、和接合于陶瓷绝缘基板4上的半导体元件6，底板2的与陶瓷绝缘基板4呈相反侧的面2b具有凸状的翘曲2c，温度从150℃到25℃的降温时的底板2的线性热膨胀系数α1(×10‑6/K)及陶瓷绝缘基板4的线性热膨胀系数α2(×10‑6/K)满足下述式(1)。