公开(公告)号：CN115768921A

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN202180046700.2

申请日：2021-07-16

Applicant: 秀博瑞殷株式公社

Inventor： 延昌峰 ,  金进喜 ,  郑在善 ,  金种文 ,  李承铉 ,  李锡宗

IPC: C23C16/455

Abstract: 本发明涉及薄膜形成用生长抑制剂、利用其的薄膜形成方法以及由此制造的半导体基板。具体涉及作为由化学式1表示的化合物的薄膜形成用生长抑制剂、利用其的薄膜形成方法以及由此制造的半导体基板，[化学式1]AnBmXoYiZj其中，所述A为碳或硅；所述B为氢或碳原子数为1～3的烷基；所述X为氟、氯、溴以及碘中的一种以上；所述Y与Z各自独立地为选自氧、氮、硫以及氟中的一种以上且彼此不同；所述n为1～15的整数；所述o为1以上的整数；m为0～2n+1；所述i和j分别为0～3的整数。根据本发明，提供薄膜形成用生长抑制剂、利用其的薄膜形成方法以及由此制造的半导体基板，其能够抑制副反应，以降低薄膜生长率，并去除薄膜内工艺副产物，从而即便在结构复杂的基板上形成薄膜，也能够大幅改善台阶覆盖性以及薄膜的厚度均匀度。

公开(公告)号：CN117295846A

公开(公告)日：2023-12-26

申请号：CN202280032422.X

申请日：2022-05-27

Applicant: 秀博瑞殷株式公社

Inventor： 金种文 ,  郑在善 ,  陈齐俊 ,  延昌峰

IPC: C23C16/455

Abstract: 本发明涉及一种成膜材料、成膜组合物、使用它们的成膜方法以及由此制造的半导体器件，根据本发明，具有降低生长率，从而即便在结构复杂的基板上形成薄膜，也能够提供共形的薄膜，并且提供减少薄膜中的杂质并大幅提高薄膜的密度以大幅减少在现有的高温工序中因下部电极的氧化而产生的泄漏电流的成膜材料、成膜组合物、使用它们的成膜方法以及由此制备的半导体器件的效果。

公开(公告)号：CN117941031A

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202280061565.3

申请日：2022-09-13

Applicant: 秀博瑞殷株式公社

Inventor： 郑在善 ,  延昌峰 ,  李承铉 ,  金种文

IPC: H01L21/285 ,  C23C16/34 ,  C23C16/455 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明涉及膜质改良剂，利用其的薄膜形成方法以及由此制造的半导体基板，在薄膜沉积工艺中，利用规定结构的膜质改良剂，抑制副反应，并适当控制薄膜生长速率，去除薄膜中的工艺副产物，从而即便在具有复杂结构的基板上形成薄膜时，也能大幅提高阶梯覆盖率以及薄膜的厚度均匀性，减少腐蚀或劣化，并通过提高薄膜的结晶性，改善薄膜的电特性等。

公开(公告)号：CN115735021A

公开(公告)日：2023-03-03

申请号：CN202180046637.2

申请日：2021-07-16

Applicant: 秀博瑞殷株式公社

Inventor： 延昌峰 ,  金进喜 ,  郑在善 ,  金种文 ,  李承铉 ,  李锡宗

IPC: C23C16/455

Abstract: 本发明涉及薄膜形成用生长抑制剂、利用其的薄膜形成方法以及由此制造的半导体基板，具体涉及作为由化学式1表示的化合物的薄膜形成用生长抑制剂、利用其的薄膜形成方法以及由此制造的半导体基板，[化学式1]AnBmXoYiZj其中，所述A为碳或硅；所述B为氢或碳原子数为1～3的烷基；所述X为键离解能为50～350KJ/mol的离去基团；所述Y与Z各自独立地为选自氧、氮、硫以及氟中的一种以上且彼此不同；所述n为1～15的整数；所述o为1以上的整数；所述m为0～2n+1；所述i和j分别为0～3的整数。根据本发明，提供薄膜形成用生长抑制剂、利用其的薄膜形成方法以及由此制造的半导体基板，其能够抑制副反应，以降低薄膜生长率，并去除薄膜内工艺副产物，从而即便在结构复杂的基板上形成薄膜，也能够大幅改善台阶覆盖性以及薄膜的厚度均匀度。

公开(公告)号：CN119998490A

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202380068276.0

申请日：2023-10-06

Applicant: 秀博瑞殷株式公社

Inventor： 郑在善 ,  李承铉 ,  金种文

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/34 ,  C23C16/40 ,  C23C16/06 ,  H01L21/285 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明涉及一种介电膜活化剂、使用其制造的半导体基板以及半导体器件。根据本发明，利用能够减少混入介电膜中的前体与反应气体之间的副产碳化合物含量并提供薄膜密度增加效果的介电膜活化剂，从而改善介电膜的电容，并通过简单的工序提供薄膜密度增加效果。

公开(公告)号：CN118974313A

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202380027566.0

申请日：2023-03-17

Applicant: 秀博瑞殷株式公社

Inventor： 李承铉 ,  郑在善 ,  延昌峰 ,  金种文

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/40 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明涉及一种活化剂、利用其的薄膜形成方法、由此制造的半导体基板及半导体元件，通过提供规定结构的化合物作为活化剂，有效地取代被吸附的前体中的配体，以改善反应速度，并适当地降低薄膜生长率，从而即便在结构复杂的基板上形成薄膜，也能够大幅提高台阶覆盖性和薄膜的厚度均匀性，并且具有减少杂质的效果。