公开(公告)号：CN118871617A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202380026984.8

申请日：2023-02-10

Applicant: 秀博瑞殷株式公社

Inventor： 李承铉 ,  郑在善 ,  延昌峰 ,  陈齐俊 ,  曹德贤 ,  南知贤

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/04 ,  C23C16/40 ,  C23C16/34 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明涉及一种遮蔽化合物、利用其的薄膜形成方法、由该方法制备的半导体基板及半导体器件，其中，提供规定结构的化合物作为遮蔽剂，基于所述遮蔽剂的吸附分布度差异，在基板上形成厚度均匀的堆积层作为遮蔽区域，从而减少薄膜的沉积速度，并适当地降低薄膜生长率，即使在结构复杂的基板上形成薄膜时，也具有能够显著提高台阶覆盖性(step coverage)及薄膜的厚度均匀性并减少杂质的效果。

公开(公告)号：CN117295846A

公开(公告)日：2023-12-26

申请号：CN202280032422.X

申请日：2022-05-27

Applicant: 秀博瑞殷株式公社

Inventor： 金种文 ,  郑在善 ,  陈齐俊 ,  延昌峰

IPC: C23C16/455

Abstract: 本发明涉及一种成膜材料、成膜组合物、使用它们的成膜方法以及由此制造的半导体器件，根据本发明，具有降低生长率，从而即便在结构复杂的基板上形成薄膜，也能够提供共形的薄膜，并且提供减少薄膜中的杂质并大幅提高薄膜的密度以大幅减少在现有的高温工序中因下部电极的氧化而产生的泄漏电流的成膜材料、成膜组合物、使用它们的成膜方法以及由此制备的半导体器件的效果。