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公开(公告)号：CN1341956A
公开(公告)日：2002-03-27
申请号：CN01141245.3
申请日：2001-09-04
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L21/283 , H01L21/285 , H01L21/324 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66757 , H01L29/4908 , H01L29/78681 , H01L29/78684
Abstract: 通过低处理温度获得一种高品质的MOS界面和体绝缘特性。本发明的场效应晶体管的制造方法在形成成为有源层的半导体层后,(1)把衬底温度设置在100℃以下形成栅极绝缘膜,以及(2)在含水气氛中热处理栅极绝缘膜。通过在含水气氛中进行热处理,减少绝缘膜界面附近的OH结合,可提高CV特性。
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公开(公告)号：CN104280971A
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201410324607.5
申请日：2014-07-09
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: G02F1/167
CPC classification number: G02F1/167 , G02F1/1339
Abstract: 本发明提供能够抑制显示品质下降的电泳装置、电泳装置的制造方法以及电子设备。该电泳装置具有：电泳层(33)，其配置于元件基板(51)与对向基板(52)之间并具有分散有电泳微粒的分散介质(15)；分隔壁(35)，其将电泳层(33)划分为多个单元；密封件(14a、14b)，其将元件基板(51)与对向基板(52)接合并配置成包围电泳层(33)；和不含粘接材料的密封膜(62)，其至少配置于分隔壁(35)与对向基板(52)之间；其中，分隔壁(35)的顶部咬入密封膜(62)。
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公开(公告)号：CN101901814A
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN201010190503.1
申请日：2010-05-26
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 安部大介
CPC classification number: H01L21/6835 , H01L23/552 , H01L24/83 , H01L27/1218 , H01L29/402 , H01L29/78603 , H01L2221/6835 , H01L2224/2919 , H01L2224/83192 , H01L2224/838 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01047 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/09701 , H01L2924/12044 , H01L2924/19041 , H01L2924/3025 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种不受到剥离层、基板或设置面等的带电所导致的影响、电路动作稳定的薄膜装置。本发明的薄膜装置具有基板、形成在所述基板上且具有导电性的电场遮蔽板、形成在所述电场遮蔽板上且包括薄膜元件的有源层，所述电场遮蔽板与所述薄膜元件的某一电极的电位或接地电位连接。
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公开(公告)号：CN100395870C
公开(公告)日：2008-06-18
申请号：CN200510073784.1
申请日：2005-05-24
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 安部大介
IPC: H01L21/20 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/66757 , H01L29/42384 , H01L29/78675
Abstract: 在薄膜晶体管等半导体装置中，提供一种能避免在半导体膜边缘部分中电场集中，并提高可靠性的技术。本发明半导体装置的制造方法，包括：第一工序，在绝缘基板(10，11)上形成岛状半导体膜(12)；第二工序，将包括半导体膜(12)边缘部分在内的半导体膜(12)，用第1绝缘膜(13)覆盖；第三工序：将半导体膜(12)上部的第1绝缘膜(13)避开该半导体膜的边缘部形成开口；第四工序，至少在绝缘膜(13)开口部的半导体膜(12)上形成比第1绝缘膜(13)厚度相对薄的第2绝缘膜(14)；和第五工序，在第2绝缘膜(14)上形成电极配线膜(18)。
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公开(公告)号：CN101038931A
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN200710085591.7
申请日：2007-03-12
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L27/32 , H01L23/522
CPC classification number: H01L27/3244 , H01L27/3265 , H01L27/3276
Abstract: 本发明提供一种有机EL装置。本发明的有机EL装置包括：至少在一面具有导电性的基板(10)；形成在上述基板的一面上的绝缘膜(50)；分别包括源极与上述基板连接的p沟道型晶体管(58、62、64、66)，并形成于上述绝缘膜上的多个驱动电路；对应于上述驱动电路每一个而形成于上述基板上，且一个端子与上述晶体管连接，另一个端子与公共接地连接的多个有机场致发光元件(82、88、90)。另外，在形成具有导电性的基板的像素的区域的外周部设置电源供给用的焊盘。本发明的有机EL装置可以使有机EL元件的发光亮度的面内分布更均匀。
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公开(公告)号：CN105825818A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201610035881.X
申请日：2016-01-20
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 安部大介
IPC: G09G3/34
Abstract: 本发明提供电光装置的数据线驱动电路、电光装置及电子设备。在向设置在1列～n列的各数据线供给数据信号Vx[1]～Vx[n]的数据线驱动电路中，在与n列对应的移位寄存器的n级的单位电路Un的后级，设置n+1级～n+3级的单位电路Un+1～单位电路Un+3，将传送到了n级的启动脉冲SP进而从n+1级传送到n+3级。通过OR门GT3取得从n+1级传送到n+3级为止的启动脉冲SP的逻辑和，生成脉冲宽度比启动脉冲SP宽的锁存脉冲LAT。使根据采样信号锁存到了第1锁存电路的数据信号Vx[1]～Vx[n]根据锁存脉冲LAT一齐锁存在第2锁存电路。
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公开(公告)号：CN103376611A
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201310108749.3
申请日：2013-03-29
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: G02F1/167
CPC classification number: G02F1/167 , G02F2001/1672 , G02F2201/501 , Y10T29/49826
Abstract: 本发明提供电泳显示装置用基体材料及其制造方法、电泳显示装置及其制造方法。电泳显示装置用基体材料包括：基体材料；间隔壁，设置于基体材料的一面，并且与上述一面相反侧开口；电泳材料液，包括在通过间隔壁划分的基体材料上的多个单元中向至少一部分的单元填充的分散介质和电泳微粒；和膜过滤器，设置为堵塞间隔壁的开口，并具有分散介质能够通过且电泳微粒不能够通过的孔。
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公开(公告)号：CN100473242C
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200610108478.1
申请日：2006-08-04
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 安部大介
CPC classification number: H01J1/74 , H01L27/3211 , H01L27/3253 , H01L27/3276
Abstract: 提供一种在两个基板间设置多个导电性连接体的电光学装置中，可进一步可靠地避免相邻的导电性连接体的相互间的短路的技术。所述电光学装置，具备多个像素部(A)，还具备：第一基板，具有用于构成所述多个像素部的多个发光元件；第二基板，具有用于分别进行多个发光元件的发光控制的驱动电路，并且与所述第一基板的元件形成面相对而配置；和多个导电性连接体，介于所述第一基板和所述第二基板的相互之间，并将所述多个发光元件分别与所述驱动电路电连接；所述多个导电性连接体至少沿着所述多个像素部的第一排列方向配置成交错状。
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公开(公告)号：CN1913729A
公开(公告)日：2007-02-14
申请号：CN200610108478.1
申请日：2006-08-04
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 安部大介
CPC classification number: H01J1/74 , H01L27/3211 , H01L27/3253 , H01L27/3276
Abstract: 提供一种在两个基板间设置多个导电性连接体的电光学装置中，可进一步可靠地避免相邻的导电性连接体的相互间的短路的技术。所述电光学装置，具备多个像素部(A)，还具备：第一基板，具有用于构成所述多个像素部的多个发光元件；第二基板，具有用于分别进行多个发光元件的发光控制的驱动电路，并且与所述第一基板的元件形成面相对而配置；和多个导电性连接体，介有于所述第一基板和所述第二基板的相互之间，并将所述多个发光元件分别与所述驱动电路电连接；所述多个导电性连接体至少沿着所述多个像素部的第一排列方向配置成交错状。
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公开(公告)号：CN1182570C
公开(公告)日：2004-12-29
申请号：CN01141245.3
申请日：2001-09-04
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L21/283 , H01L21/285 , H01L21/324 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66757 , H01L29/4908 , H01L29/78681 , H01L29/78684
Abstract: 通过低处理温度获得一种高品质的MOS界面和体绝缘特性。本发明的场效应晶体管的制造方法在形成成为有源层的半导体层后，(1)把衬底温度设置在100℃以下形成栅极绝缘膜，以及(2)在含水气氛中热处理栅极绝缘膜。通过在含水气氛中进行热处理，减少绝缘膜界面附近的OH结合，可提高CV特性。
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