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公开(公告)号:CN109037184A
公开(公告)日:2018-12-18
申请号:CN201810790404.3
申请日:2014-07-23
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L23/495 , H01L23/49
CPC classification number: H01L23/49811 , H01L21/561 , H01L23/3128 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L23/49894 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/29 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/78 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L24/97 , H01L25/065 , H01L25/0657 , H01L2224/04042 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05553 , H01L2224/05554 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/0612 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48228 , H01L2224/48465 , H01L2224/48471 , H01L2224/48479 , H01L2224/48499 , H01L2224/48624 , H01L2224/48644 , H01L2224/48824 , H01L2224/48844 , H01L2224/4917 , H01L2224/49171 , H01L2224/49175 , H01L2224/49431 , H01L2224/49433 , H01L2224/4945 , H01L2224/73265 , H01L2224/78301 , H01L2224/83101 , H01L2224/85181 , H01L2224/85186 , H01L2224/85203 , H01L2224/85205 , H01L2224/85986 , H01L2224/92247 , H01L2224/97 , H01L2225/0651 , H01L2225/06568 , H01L2924/00014 , H01L2924/10253 , H01L2924/10271 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/0665 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/01079 , H01L2224/4554
Abstract: 本发明公开了一种可提高半导体器件的可靠性的技术。所述半导体器件包括具有形成于芯片装载面上的多个焊点(引脚)BF的布线基板3、搭载于布线基板3上的半导体芯片、以及分别具有球形部Bnd1及接合部Bnd2的多条引线BW。多个焊点BF具有分别与引线BWa的接合部Bnd2连接的焊点BF1、以及与引线BWb的球形部Bnd1连接的焊点BF2。另外,在俯视观察时,焊点BF2配置在与多个焊点BF1的配置列Bd1上不同的位置上,而且,焊点BF2的宽度W2比焊点BF1的宽度W1大。
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公开(公告)号:CN106133894B
公开(公告)日:2018-11-16
申请号:CN201480077514.5
申请日:2014-04-04
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L21/52
CPC classification number: H01L24/29 , H01L21/52 , H01L24/26 , H01L24/83 , H01L33/641 , H01L2224/2929 , H01L2224/29339 , H01L2224/29391 , H01L2224/8321 , H01L2224/8384 , H01L2224/83862 , H01L2924/0665 , H01L2924/10272 , H01L2924/1033 , H01L2924/12041
Abstract: 本发明提供一种高热传导性、散热性优异、可以将半导体元件及发光元件通过无加压的方式与基板良好地接合的半导体粘接用热固化性树脂组合物及发光装置用热固化性树脂组合物。一种热固化性树脂组合物、将该树脂组合物作为芯片粘接膏使用的半导体装置及作为散热部件粘接用材料使用的电气电子部件,所述热固化性树脂组合物含有:(A)厚度或短径为1~200nm的银微粒、(B)除所述(A)成分以外的平均粒径大于0.2μm且30μm以下的银粉、(C)树脂粒子以及(D)热固化性树脂,将(A)成分的银微粒和(B)成分的银粉的总量设为100质量份时,(C)成分配合成0.01~1质量份、(D)成分配合成1~20质量份。
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公开(公告)号:CN108074899A
公开(公告)日:2018-05-25
申请号:CN201710057874.4
申请日:2017-01-23
Applicant: 艾马克科技公司
CPC classification number: H01L24/11 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L2224/03001 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/03462 , H01L2224/03464 , H01L2224/0347 , H01L2224/03618 , H01L2224/0384 , H01L2224/039 , H01L2224/03901 , H01L2224/0391 , H01L2224/05083 , H01L2224/05124 , H01L2224/05139 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/0518 , H01L2224/05184 , H01L2224/0519 , H01L2224/05553 , H01L2224/05555 , H01L2224/05557 , H01L2224/05576 , H01L2224/05578 , H01L2224/056 , H01L2224/05647 , H01L2224/0569 , H01L2224/0579 , H01L2224/058 , H01L2224/11 , H01L2224/11462 , H01L2224/11614 , H01L2224/13026 , H01L2224/131 , H01L2224/92 , H01L2224/94 , H01L2924/01074 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2224/034 , H01L2224/0361 , H01L21/78 , H01L2924/014 , H01L2224/033 , H01L2924/0665 , H01L2224/03 , H01L23/49 , H01L24/10 , H01L24/26 , H01L24/27
Abstract: 电子装置和其制造方法。一种半导体装置和一种制造半导体装置的方法。作为非限制性实例,本发明的各种方面提供一种制造半导体装置的方法,其包括通过至少部分地执行横向镀覆处理形成互连结构,并且提供一种通过这种方法制造的半导体装置。
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公开(公告)号:CN104584212B
公开(公告)日:2018-05-15
申请号:CN201380045244.5
申请日:2013-06-26
Applicant: 英特尔公司
Inventor: C-P·秋
CPC classification number: H01L25/0657 , H01L23/13 , H01L23/36 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L24/16 , H01L2224/13111 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/1703 , H01L2224/17051 , H01L2224/29109 , H01L2224/2929 , H01L2224/29339 , H01L2224/32135 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/33181 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/81191 , H01L2224/81192 , H01L2224/81815 , H01L2225/06513 , H01L2924/1515 , H01L2924/15321 , H01L2924/171 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2924/00012 , H01L2924/0665 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明描述了包括封装衬底中的管芯的堆叠管芯封装。本文中所描述的一些实施例包括装置和形成这种装置的方法。在一个这种实施例中,装置可以包括衬底、第一管芯和耦合到所述第一管芯和所述衬底的第二管芯。所述衬底可以包括开口。所述管芯的至少一部分可以占据所述衬底中的所述开口的至少一部分。描述了包括附加装置和方法的其它实施例。
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公开(公告)号:CN105453240B
公开(公告)日:2018-05-01
申请号:CN201480043694.5
申请日:2014-07-31
Applicant: 阿尔发装配解决方案有限公司
IPC: H01L21/48
CPC classification number: H01L24/81 , H01L21/563 , H01L22/12 , H01L23/293 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/92 , H01L2224/13101 , H01L2224/13111 , H01L2224/16225 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/81011 , H01L2224/81024 , H01L2224/81026 , H01L2224/81192 , H01L2224/81815 , H01L2224/81908 , H01L2224/83855 , H01L2224/92125 , H01L2924/0133 , H05K3/284 , H05K3/3436 , H05K3/3489 , H05K2201/10734 , H05K2201/10977 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2924/0665 , H01L2924/01029 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/00
Abstract: 用于半导体制造的双面加强(DSR)材料和方法。所述的DSR材料表现出传统的地步填充材料的性能同时具有在室温下的加强的稳定性。
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公开(公告)号:CN103311138B
公开(公告)日:2018-04-20
申请号:CN201210300990.1
申请日:2012-08-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/60 , H01L23/488
CPC classification number: H01L24/32 , B23K35/24 , B23K35/3612 , H01L23/49816 , H01L24/17 , H01L25/105 , H01L25/50 , H01L2224/16237 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48228 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2224/81815 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2924/0665 , H01L2924/12042 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/181 , H01L2924/18161 , H01L2924/00014 , H01L2224/48227 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 公开了封装方法和封装的半导体器件。在一个实施例中,一种封装方法包括提供第一管芯、部分封装第一管芯并且在部分封装的第一管芯的表面上形成多个焊球。环氧助焊剂设置于多个焊球上方。提供第二管芯,并且部分封装第二管芯。多个焊球连接到部分封装的第二管芯。
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公开(公告)号:CN105324454B
公开(公告)日:2018-04-03
申请号:CN201480021827.9
申请日:2014-12-12
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: C09J11/00 , C09J133/04 , C09J7/30 , H01L21/301
CPC classification number: C09J11/08 , C09J5/00 , C09J7/20 , C09J133/00 , C09J2201/128 , C09J2201/606 , C09J2203/326 , C09J2205/302 , C09J2205/31 , C09J2433/00 , C09J2463/00 , C09J2475/00 , C09J2483/00 , H01L21/26 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L2221/68336 , H01L2221/68377 , H01L2221/68381 , H01L2224/27003 , H01L2224/271 , H01L2224/27436 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/83203 , H01L2224/83204 , H01L2224/83862 , H01L2224/92 , H01L2224/92247 , H01L2224/94 , H01L2924/00014 , H01L2924/3512 , H01L2924/0665 , H01L2224/27 , H01L2924/00012 , H01L2224/83 , H01L2224/85 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明涉及一种用于形成切割膜的粘着层的组合物,其包含:含有一个以上反应性官能团的硅化合物油;粘着粘合剂;和光引发剂,其中含有一个以上反应性官能团的硅化合物油与粘着粘合剂的重量比为0.01%至4.5%;涉及一种包括含有所述组合物的粘着层的切割膜、和包括所述切割膜的切割晶片接合膜、及使用所述切割晶片接合膜的半导体晶圆的切割方法。
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公开(公告)号:CN107785347A
公开(公告)日:2018-03-09
申请号:CN201710733545.7
申请日:2017-08-24
Applicant: 三星显示有限公司
IPC: H01L23/498
CPC classification number: H01L23/49811 , H01L23/3171 , H01L23/3192 , H01L23/53204 , H01L23/53209 , H01L23/562 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/13 , H01L24/81 , H01L2224/0401 , H01L2224/05022 , H01L2224/0508 , H01L2224/05567 , H01L2224/0558 , H01L2224/05644 , H01L2224/05666 , H01L2224/13005 , H01L2224/13007 , H01L2224/1301 , H01L2224/13111 , H01L2224/13113 , H01L2224/13116 , H01L2224/1312 , H01L2224/13124 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13149 , H01L2224/13155 , H01L2224/13157 , H01L2224/1316 , H01L2224/13164 , H01L2224/13166 , H01L2224/13169 , H01L2224/13176 , H01L2224/13178 , H01L2224/13179 , H01L2224/1318 , H01L2224/13181 , H01L2224/13184 , H01L2224/13562 , H01L2224/1358 , H01L2224/13582 , H01L2224/13583 , H01L2224/13611 , H01L2224/13613 , H01L2224/13616 , H01L2224/1362 , H01L2224/13624 , H01L2224/13639 , H01L2224/13644 , H01L2224/13647 , H01L2224/13649 , H01L2224/13655 , H01L2224/13657 , H01L2224/1366 , H01L2224/13664 , H01L2224/13666 , H01L2224/13669 , H01L2224/13673 , H01L2224/13676 , H01L2224/13678 , H01L2224/13679 , H01L2224/1368 , H01L2224/13681 , H01L2224/13684 , H01L2224/1369 , H01L2224/16238 , H01L2224/2919 , H01L2224/73204 , H01L2224/81191 , H01L2224/81193 , H01L2924/00014 , H01L2924/013 , H01L2924/0665 , H01L23/49816
Abstract: 提供了一种半导体芯片和电子装置。该半导体芯片包括:基底;一个或更多个导电焊盘,设置在基底上;一个或更多个凸起,电连接到一个或更多个导电焊盘,其中,一个或更多个凸起包括:金属芯;聚合物层,设置在金属芯的表面的上方;导电涂层,设置在聚合物层的表面的上方并且电连接到一个或更多个导电焊盘。
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公开(公告)号:CN105017980B
公开(公告)日:2018-02-27
申请号:CN201510072094.8
申请日:2015-02-11
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C09J7/10 , C09J163/00 , C09J9/02 , H01L23/488
CPC classification number: C09J7/00 , C08K2201/001 , C08L63/00 , C09D163/00 , C09J7/10 , C09J9/02 , C09J163/00 , C09J2201/602 , C09J2201/622 , C09J2203/326 , C09J2463/00 , H01L23/488 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L2224/16227 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/293 , H01L2224/29339 , H01L2224/29344 , H01L2224/29347 , H01L2224/29355 , H01L2224/29393 , H01L2224/32225 , H01L2924/0002 , H01L2924/066 , H01L2924/0665 , H05K1/0306 , H05K1/0353 , H05K1/09 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2924/01006
Abstract: 本发明提供一种各向异性导电膜的组成物、各向异性导电膜以及通过所述各向异性导电膜连接的半导体装置。通过差示扫描热量测定法来测量,所述组成物包含放热峰值温度为80℃至110℃的第一环氧树脂和放热峰值温度为120℃至200℃的第二环氧树脂。因此,各向异性导电膜允许在低温下快速固化并且展现充足的储存稳定性,同时保证结合后的优良连接性质。
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公开(公告)号:CN104576314B
公开(公告)日:2018-02-16
申请号:CN201410524598.4
申请日:2014-10-08
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor: S·R·耶杜拉 , K·H·加瑟 , S·韦勒特 , K·迈尔 , F·J·桑托斯罗德里奎兹
CPC classification number: H01L23/562 , H01L21/288 , H01L21/4814 , H01L21/6835 , H01L23/49838 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/30 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L24/94 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2224/03002 , H01L2224/04026 , H01L2224/0508 , H01L2224/05082 , H01L2224/05083 , H01L2224/05084 , H01L2224/05571 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/05666 , H01L2224/05671 , H01L2224/05687 , H01L2224/27002 , H01L2224/27005 , H01L2224/2732 , H01L2224/2747 , H01L2224/29011 , H01L2224/29014 , H01L2224/29021 , H01L2224/29023 , H01L2224/29035 , H01L2224/29036 , H01L2224/29111 , H01L2224/29147 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/29294 , H01L2224/29339 , H01L2224/29347 , H01L2224/29393 , H01L2224/32245 , H01L2224/94 , H01L2924/12042 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/01023 , H01L2924/01015 , H01L2924/04941 , H01L2924/01014 , H01L2924/01029 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05124 , H01L2224/05187 , H01L2924/0665 , H01L2924/01006 , H01L2924/0105 , H01L2924/01047 , H01L2924/00012 , H01L2224/03 , H01L2224/27 , H01L2924/0781 , H01L2924/07802
Abstract: 本发明提供用于处理晶片的方法和晶片结构。根据各种实施例的用于处理晶片的方法可包括:从晶片的内部部分去除晶片材料,以在所述晶片的边缘区形成至少部分地包围所述晶片的内部部分的结构;以及使用所述结构作为印刷掩模,将材料印刷到所述晶片的内部部分中。根据各种实施例的用于处理晶片的方法可包括:提供托架和晶片,所述晶片具有第一面和与所述第一面相对的第二面,其中所述晶片的所述第一面附着于所述托架,所述第二面具有位于所述晶片的边缘区的结构,所述结构至少部分地包围所述晶片的内部部分;以及,将材料印刷到所述晶片的所述第二面的至少一部分上。
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