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公开(公告)号：CN101226769B
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：CN200810004149.1
申请日：2008-01-18
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G11C11/16 , Y10S977/934 , Y10S977/935
Abstract: 本发明提供了一种存储元件和存储器，其中，该存储元件包括：用于根据磁性材料的磁化状态来保存信息的存储层；以及磁化方向固定的磁化固定层，其中，通过非磁性层相对于存储层来放置磁化固定层。通过沿层压方向施加电流来改变存储层的磁化方向，从而将信息记录在存储层中。在磁化固定层中或在磁化固定层与存储层相对的相对侧上形成分别具有沿层压方向的磁化分量和具有沿互不相同方向的磁化的多个磁化区域。
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公开(公告)号：CN101252144B
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN200810006185.1
申请日：2008-02-21
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/22 , H01L43/08 , H01L23/522 , G11C11/16 , G11C11/15
CPC classification number: H01L43/08 , G11C11/16 , Y10S977/933
Abstract: 本发明公开了存储器件和具有这种存储器件的存储器，其中，该存储器件包括基于磁体的磁化状态在其上保存信息的存储层、通过非磁性层形成在存储层上的具有固定磁化方向的磁化固定层以及邻近磁化固定层的两端形成的两条金属配线。在存储器中，通过使电流沿堆叠方向流过来改变存储层的磁化方向，以将信息记录在存储层上。通过本发明的存储器，通过降低用于记录的消耗功率以较小电功率来记录信息。
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公开(公告)号：CN101751991B
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN200910251375.4
申请日：2009-12-03
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01L43/08 , G11C11/161 , H01L27/228
Abstract: 本发明公开了一种电阻变化型存储装置，其包括：堆叠体，其构成隧道磁阻效应元件，所述隧道磁阻效应元件具有磁化方向在其中可切换的磁性层并且形成在导电层上，并且所述堆叠体包括在利用由电流注入造成的旋转转移效应来执行数据写入的电阻变化型存储单元中。所述堆叠体形成为使得连接堆叠体各个层中心的线为直线并且相对于与所述堆叠体形成在其上的所述导电层的表面相垂直的方向倾斜。
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公开(公告)号：CN101226769A
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：CN200810004149.1
申请日：2008-01-18
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G11C11/16 , Y10S977/934 , Y10S977/935
Abstract: 本发明提供了一种存储元件和存储器，其中，该存储元件包括：用于根据磁性材料的磁化状态来保存信息的存储层；以及磁化方向固定的磁化固定层，其中，通过非磁性层相对于存储层来放置磁化固定层。通过沿层压方向施加电流来改变存储层的磁化方向，从而将信息记录在存储层中。在磁化固定层中或在磁化固定层与存储层相对的相对侧上形成分别具有沿层压方向的磁化分量和具有沿互不相同方向的磁化的多个磁化区域。
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公开(公告)号：CN101202325A
公开(公告)日：2008-06-18
申请号：CN200710198739.8
申请日：2007-12-12
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01L43/10 , B82Y25/00 , G11C11/16 , G11C11/161 , H01F10/3254 , H01F10/3272 , H01F10/329 , H01F41/325 , H01L27/228 , H01L43/02 , H01L43/08
Abstract: 本发明提供了一种存储元件和存储器，其中，存储元件包括存储层、磁化固定层、自旋阻挡层、和自旋吸收层。存储层基于磁性材料的磁化状态来存储信息。通过隧道绝缘层对存储层设置磁化固定层。自旋阻挡层抑制自旋极化电子的扩散，并被设置在存储层与磁化固定层相对的一侧上。自旋吸收层由引起自旋抽运现象的非磁性金属层形成，并被设置在自旋阻挡层与存储层相对的一侧上。通过使电流沿层压方向流动注入自旋极化电子来改变存储层中的磁化方向，从而将信息记录在存储层中，并且自旋阻挡层包括从氧化物、氮化物、氟化物中选出的至少一种材料。
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公开(公告)号：CN101060160A
公开(公告)日：2007-10-24
申请号：CN200710096904.9
申请日：2007-04-16
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G11C11/16 , B82Y25/00 , H01F10/3254 , H01F10/3272 , H01F10/329 , H01F41/309 , H01L27/228 , H01L43/08
Abstract: 本发明提供了一种存储元件。该存储元件包括基于磁性材料的磁化状态来保持信息的存储层，其中，通过中间层为该存储层提供磁化固定层，该中间层由绝缘体形成，以堆叠方向注入自旋极化电子来改变存储层的磁化方向，以将信息记录在存储层中，以及使微细氧化物分散在形成了存储层的铁磁层的整个或部分中。
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公开(公告)号：CN1405754A
公开(公告)日：2003-03-26
申请号：CN02141416.5
申请日：2002-08-30
IPC: G11B5/39
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G01R33/093 , G11B5/3903 , G11B5/3948 , G11B5/3954 , G11B2005/0016 , G11B2005/0029 , G11B2005/3996 , Y10T29/49034
Abstract: 具有磁通量感应薄片的“电流垂直于平面”类型的第一和第二个磁阻效应元件(1)和(2)，通过非磁性中间间隙层(3)以这样的方式层叠在一起：它们的磁通量感应薄片彼此靠近。然后，使磁阻变化特征彼此相反，以便第一和第二个磁阻效应元件的输出之间的微分输出可以作为磁传感器输出而产生或者第一和第二个磁阻效应元件的输出之间的微分输出可以作为外部电路配置中的微分输出而产生。如此，分辨率可以通过下列配置得到改进：在该配置中，决定分辨率的间隙长度可以不受磁阻效应元件的厚度限制。因此，施加于MR磁传感器中的分辨率上的限制可以得到改进。
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公开(公告)号：CN101071628B
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200710097364.6
申请日：2007-05-11
Applicant: 索尼株式会社
IPC: G11C11/16
CPC classification number: G11C11/16
Abstract: 本发明公开了一种存储元件，该存储元件包括基于磁性材料的磁化状态而保持信息的存储层。在该存储元件中，通过中间层为所述存储层设置磁化固定层；中间层由绝缘体形成；自旋极化电子沿堆叠方向被注入，以改变存储层的磁化方向，从而将信息记录在存储层中；以及形成存储层的铁磁性层具有1×10-5或更大的磁致伸缩常数。
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公开(公告)号：CN101266831B
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN200810084068.7
申请日：2008-03-14
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G11C11/161 , G11C11/1659
Abstract: 本发明提供了一种存储元件和存储器。该存储元件包括存储层和磁化固定层。存储层基于磁性材料的磁化状态来保持信息。磁化固定层通过由绝缘材料制成的中间层形成在存储层上。利用通过沿堆叠方向注入自旋极化电子引起的存储层的磁化方向的改变来将信息记录在存储层上。存储层受到的有效去磁场的等级小于存储元件的饱和磁化等级。
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公开(公告)号：CN1967892A
公开(公告)日：2007-05-23
申请号：CN200610148694.9
申请日：2006-08-07
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G11C11/16 , H01L27/228 , H01L43/10
Abstract: 本发明提供一种存储元件，其包括基于磁性物质的磁化状态保持信息的存储层，和为该存储层设置的磁化固定层，在两者之间具有中间层，所述中间层由绝缘体组成。将自旋－极化电子在层－叠加方向上注入，以由此改变所述存储层的磁化方向，使得信息记录在存储层中。包括在存储层中的至少一种铁磁层主要由CoFeTa组成，并且具有在1原子百分比(原子％)到20原子％范围中的Ta含量。
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