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公开(公告)号：CN102001620A
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200910171619.8
申请日：2009-08-31
Applicant: 索尼株式会社
Abstract: 本发明提供了一种碳纳米管制造方法、碳纳米管膜制造方法以及电子设备制造方法，可以在稳定的条件下容易地修复产生在酸化的碳纳米管的侧壁上的缺陷、可以制造特性良好的碳纳米管。该方法，在利用在硝酸中回流来酸化碳纳米管之后，使用尿酸溶液或者氨水处理该碳纳米管。处理温度例如是25℃～90℃，处理时间是2天以上。在使用尿酸溶液或者氨水处理之前，优选使用氯化亚硫酰溶液等处理碳纳米管。
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公开(公告)号：CN101552052A
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200810089140.5
申请日：2008-04-01
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01B1/24 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , C01B32/17 , C01B32/174 , C01B2202/02 , C01B2202/06 , C01B2202/28 , C01B2202/30 , C01B2202/34 , C08J5/18 , C08J2381/08 , Y02P20/582
Abstract: 本发明提供了可以容易且高生产效率地制造由低电阻率的碳纳米管形成的导电膜的导电膜制造方法及这样的由低电阻率碳纳米管形成的导电膜。在溶解全氟磺酸类聚合物作为分散剂于溶剂中的溶液中分散碳纳米管。使用分散有该碳纳米管的溶液，利用真空过滤法形成由碳纳米管形成的、在碳纳米管间残留有全氟磺酸类聚合物的膜，并且通过干燥该膜而制造由碳纳米管形成的导电膜。作为溶剂，使用水、乙醇或包含水和乙醇的溶剂。
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公开(公告)号：CN101552052B
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN200810089140.5
申请日：2008-04-01
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01B1/24 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , C01B32/17 , C01B32/174 , C01B2202/02 , C01B2202/06 , C01B2202/28 , C01B2202/30 , C01B2202/34 , C08J5/18 , C08J2381/08 , Y02P20/582
Abstract: 本发明提供了可以容易且高生产效率地制造由低电阻率的碳纳米管形成的导电膜的导电膜制造方法及这样的由低电阻率碳纳米管形成的导电膜。在溶解全氟磺酸类聚合物作为分散剂于溶剂中的溶液中分散碳纳米管。使用分散有该碳纳米管的溶液，利用真空过滤法形成由碳纳米管形成的、在碳纳米管间残留有全氟磺酸类聚合物的膜，并且通过干燥该膜而制造由碳纳米管形成的导电膜。作为溶剂，使用水、乙醇或包含水和乙醇的溶剂。
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公开(公告)号：CN101885482A
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN200910142954.5
申请日：2009-05-15
Applicant: 索尼株式会社
Abstract: 本发明提供了一种碳纳米管膜及其制造方法以及电子装置及其制造方法，能够在稳定的条件下简便且有效率地除去残留在单壁碳纳米管膜等碳纳米管膜中的有机物、并且能够容易地且高生产效率地制造低方块电阻或低方块电阻且高透光率的碳纳米管膜。在基板(11)上通过过滤法形成了单壁碳纳米管膜(12)后，通过光催化处理或利用了芬顿反应的处理来除去残留在碳纳米管膜中的有机物(13)。在光催化处理中，通过将粉末状的光催化剂(14)堆积在单壁碳纳米管膜上，并对光催化剂照射紫外光，从而分解有机物。在利用了芬顿反应的处理中，通过将碳纳米管膜浸渍在含有Fe2+等的溶液中，并向所述溶液中添加过氧化氢，从而开始芬顿反应分解所述有机物。
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