公开(公告)号：CN101552052A

公开(公告)日：2009-10-07

申请号：CN200810089140.5

申请日：2008-04-01

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 梶浦尚志 ,  榎修 ,  李勇明 ,  张婧 ,  高濂 ,  孙静 ,  刘阳桥 ,  王家平

IPC: H01B13/00 ,  H01B5/16 ,  H01B1/24 ,  C08L81/00 ,  C08K3/04 ,  C08J5/18

CPC classification number: H01B1/24 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/162 ,  C01B32/17 ,  C01B32/174 ,  C01B2202/02 ,  C01B2202/06 ,  C01B2202/28 ,  C01B2202/30 ,  C01B2202/34 ,  C08J5/18 ,  C08J2381/08 ,  Y02P20/582

Abstract: 本发明提供了可以容易且高生产效率地制造由低电阻率的碳纳米管形成的导电膜的导电膜制造方法及这样的由低电阻率碳纳米管形成的导电膜。在溶解全氟磺酸类聚合物作为分散剂于溶剂中的溶液中分散碳纳米管。使用分散有该碳纳米管的溶液，利用真空过滤法形成由碳纳米管形成的、在碳纳米管间残留有全氟磺酸类聚合物的膜，并且通过干燥该膜而制造由碳纳米管形成的导电膜。作为溶剂，使用水、乙醇或包含水和乙醇的溶剂。

公开(公告)号：CN101552052B

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN200810089140.5

申请日：2008-04-01

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 梶浦尚志 ,  榎修 ,  李勇明 ,  张婧 ,  高濂 ,  孙静 ,  刘阳桥 ,  王家平

IPC: H01B13/00 ,  H01B5/16 ,  H01B1/24 ,  C08L81/00 ,  C08K3/04 ,  C08J5/18

CPC classification number: H01B1/24 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/162 ,  C01B32/17 ,  C01B32/174 ,  C01B2202/02 ,  C01B2202/06 ,  C01B2202/28 ,  C01B2202/30 ,  C01B2202/34 ,  C08J5/18 ,  C08J2381/08 ,  Y02P20/582

Abstract: 本发明提供了可以容易且高生产效率地制造由低电阻率的碳纳米管形成的导电膜的导电膜制造方法及这样的由低电阻率碳纳米管形成的导电膜。在溶解全氟磺酸类聚合物作为分散剂于溶剂中的溶液中分散碳纳米管。使用分散有该碳纳米管的溶液，利用真空过滤法形成由碳纳米管形成的、在碳纳米管间残留有全氟磺酸类聚合物的膜，并且通过干燥该膜而制造由碳纳米管形成的导电膜。作为溶剂，使用水、乙醇或包含水和乙醇的溶剂。