公开(公告)号：CN100502011C

公开(公告)日：2009-06-17

申请号：CN200580024194.8

申请日：2005-07-08

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 荒谷胜久 ,  对马朋人 ,  成泽浩亮 ,  大塚涉 ,  八野英生

IPC: H01L27/10

CPC classification number: G11C13/0011 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/009 ,  G11C2213/56 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2472 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/141 ,  H01L45/145 ,  H01L45/146 ,  H01L45/148 ,  H01L45/149 ,  H01L45/1675

Abstract: 提供了一种其构造能够容易以高密度制造的存储元件。该存储元件包括两个电极(1、4)之间的记录层(2、3)，且向两个电极(1、4)施加不同极性的电势，从而由电阻变化元件(10)构造存储单元，用于可逆地改变记录层(2、3)的电阻值。在多个相邻的存储单元中，至少一部分构成电阻变化元件(10)的记录层的层(2、3)是由相同层共同形成的。

公开(公告)号：CN1989619A

公开(公告)日：2007-06-27

申请号：CN200580024194.8

申请日：2005-07-08

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 荒谷胜久 ,  对马朋人 ,  成泽浩亮 ,  大塚涉 ,  八野英生

IPC: H01L27/10

CPC classification number: G11C13/0011 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/009 ,  G11C2213/56 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2472 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/141 ,  H01L45/145 ,  H01L45/146 ,  H01L45/148 ,  H01L45/149 ,  H01L45/1675

Abstract: 提供了一种其构造能够容易以高密度制造的存储元件。该存储元件包括两个电极(1、4)之间的记录层(2、3)，且向两个电极(1、4)施加不同极性的电势，从而由电阻变化元件(10)构造存储单元，用于可逆地改变记录层(2、3)的电阻值。在多个相邻的存储单元中，至少一部分构成电阻变化元件(10)的记录层的层(2、3)是由相同层共同形成的。

公开(公告)号：CN1218246A

公开(公告)日：1999-06-02

申请号：CN98122534.9

申请日：1998-11-20

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 高田昭夫 ,  阿部守晃 ,  本田忠行 ,  成泽浩亮 ,  柴田拓二

IPC: G11B5/39

CPC classification number: B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/3903 ,  G11B2005/3996 ,  Y10S428/90 ,  Y10T428/1121

Abstract: 一种使用旋转球形膜的磁阻效应型磁头,包括:平面基本为矩形的磁阻效应膜,其长度方向基本垂直于磁记录介质的滑动面、与磁阻效应膜长度方向一端相连的第一电极、与磁阻效应膜长度方向另一端相连的第二电极以及沿磁阻效应膜宽度方向设置在其两端的硬磁膜。磁阻效应膜由第一铁磁层、非磁性层、第二铁磁层以及反铁磁层一起层叠而成。硬磁膜具有比磁阻效应膜更大的电阻。