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公开(公告)号：CN1779848B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200510107038.X
申请日：2005-09-27
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G11C11/22 , G11C13/0007 , G11C13/0038 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2013/0066 , G11C2213/79
Abstract: 本发明提出了一种存储器件，它包括：沿着行方向排列的源线；沿着列方向排列的位线；在源线和位线的相交处布置的存储元件；与位线的一端连接并且向所述位线施加预定电压的写电路；以及连接到离位线的另一端最近的存储元件的电压调整电路；其中，所述电压调整电路将被施加到离所述位线的所述另一端最近的存储元件的电压与设置电压相比较，由此调整所述写电路向位线施加的电压。
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公开(公告)号：CN1779851A
公开(公告)日：2006-05-31
申请号：CN200510114006.2
申请日：2005-10-13
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G11C13/00 , G11C13/0069 , G11C2013/0078 , G11C2013/009 , G11C2213/79
Abstract: 一种存储器件，包括：存储元件，具有这样的特性：作为被施加大于或等于第一门限信号的电信号的结果，其电阻值从高状态向低状态改变，并且作为被施加大于或等于第二门限信号的电信号的结果，其电阻值从低状态向高状态改变，其中所述第二门限信号的极性与第一门限信号的极性不同；以及电路元件，与存储元件串联，并且作为负荷，所述存储元件和电路元件形成存储单元，并且多个所述存储单元以矩阵排列，其中，在读取存储元件时的电路元件的电阻值与在写入或擦除存储元件时的电阻值不同。
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公开(公告)号：CN100527276C
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN200610110822.0
申请日：2006-06-02
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G11C11/22 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/0011 , G11C13/0061 , G11C13/0069 , G11C13/0097 , G11C2213/31 , G11C2213/79
Abstract: 一种存储设备，包括以矩阵形式排列的存储单元。每个存储单元包括：存储元件，当施加第一阈值电平或更高的电信号时，该存储元件的电阻从高状态变为低状态，并且当施加其极性不同于第一阈值电平或更高的电信号的极性的第二阈值电平或更高的电信号时，该存储元件的电阻从低状态变为高状态；以及电路元件，与该存储元件串联。在把擦除电压施加到当前正在执行擦除的至少一个存储单元的状态下，从该施加开始经过预定时间后，将擦除电压施加到随后将要执行擦除的至少一个存储单元上。
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公开(公告)号：CN1897158A
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：CN200610110822.0
申请日：2006-06-02
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G11C11/22 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/0011 , G11C13/0061 , G11C13/0069 , G11C13/0097 , G11C2213/31 , G11C2213/79
Abstract: 一种存储设备，包括以矩阵形式排列的存储单元。每个存储单元包括：存储元件，当施加第一阈值电平或更高的电信号时，该存储元件的电阻从高状态变为低状态，并且当施加其极性不同于第一阈值电平或更高的电信号的极性的第二阈值电平或更高的电信号时，该存储元件的电阻从低状态变为高状态；以及电路元件，与该存储元件串联。在把擦除电压施加到当前正在执行擦除的至少一个存储单元的状态下，从该施加开始经过预定时间后，将擦除电压施加到随后将要执行擦除的至少一个存储单元上。
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公开(公告)号：CN1779848A
公开(公告)日：2006-05-31
申请号：CN200510107038.X
申请日：2005-09-27
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G11C11/22 , G11C13/0007 , G11C13/0038 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2013/0066 , G11C2213/79
Abstract: 本发明提出了一种存储器件，它包括：沿着行方向排列的源线；沿着列方向排列的位线；在源线和位线的相交处布置的存储元件；与位线的一端连接并且向所述位线施加预定电压的写电路；以及连接到离位线的另一端最近的存储元件的电压调整电路；其中，所述电压调整电路将被施加到离所述位线的所述另一端最近的存储元件的电压与设置电压相比较，由此调整所述写电路向位线施加的电压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100524510C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200510114006.2
申请日：2005-10-13
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G11C13/00 , G11C13/0069 , G11C2013/0078 , G11C2013/009 , G11C2213/79
Abstract: 一种存储器件，包括：存储元件，具有这样的特性：作为被施加大于或等于第一门限信号的电信号的结果，其电阻值从高状态向低状态改变，并且作为被施加大于或等于第二门限信号的电信号的结果，其电阻值从低状态向高状态改变，其中所述第二门限信号的极性与第一门限信号的极性不同；以及电路元件，与存储元件串联，并且作为负荷，所述存储元件和电路元件形成存储单元，并且多个所述存储单元以矩阵排列，其中，在读取存储元件时的电路元件的电阻值与在写入或擦除存储元件时的电阻值不同。
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公开(公告)号：CN100502011C
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200580024194.8
申请日：2005-07-08
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/10
CPC classification number: G11C13/0011 , G11C13/0069 , G11C2013/009 , G11C2213/56 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L27/2472 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/1266 , H01L45/141 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/148 , H01L45/149 , H01L45/1675
Abstract: 提供了一种其构造能够容易以高密度制造的存储元件。该存储元件包括两个电极(1、4)之间的记录层(2、3)，且向两个电极(1、4)施加不同极性的电势，从而由电阻变化元件(10)构造存储单元，用于可逆地改变记录层(2、3)的电阻值。在多个相邻的存储单元中，至少一部分构成电阻变化元件(10)的记录层的层(2、3)是由相同层共同形成的。
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公开(公告)号：CN1790540A
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN200510120135.2
申请日：2005-11-04
Applicant: 索尼株式会社
IPC: G11C7/00 , G11C16/06 , H01L27/10 , H01L27/115
CPC classification number: G11C13/0064 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2013/0054 , G11C2213/79
Abstract: 一种存储器包括：以矩阵形式排列的存储元件，每个存储元件具有下述特性，当将电平等于或者高于第一阈值信号的电平的电信号施加给存储元件时，其电阻从高值变为低值，以及当将电平等于或者高于第二阈值信号的电平的电信号施加给存储元件时，其电阻从低值变为高值，所述第一和第二阈值信号的极性彼此不同；电路，用于施加电信号给存储元件；以及检测单元，每个用于测量从开始施加电信号时起流过对应存储元件的电流或者施加给对应存储元件的电压，以便检测电阻是高还是低。
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公开(公告)号：CN1881466B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200610106195.3
申请日：2006-06-09
Applicant: 索尼株式会社
IPC: G11C11/21
CPC classification number: G11C13/003 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C2013/0078 , G11C2213/15 , G11C2213/34 , G11C2213/76 , G11C2213/79
Abstract: 一种存储设备，包括具有第一端子和第二端子的存储元件，在施加第一门限电平或者更高的电信号时引起第一电特性变化，并且在施加第二门限电平或者更高的电信号时引起第二电特性变化，第二电特性变化与第一电特性变化不对称，所述第二门限电平或者更高的电信号的极性与所述第一门限电平或者更高的电信号的极性不同；和与存储元件串联的单极晶体管。存储元件的第一端子和第二端子只有一个电连接于单极晶体管。单极晶体管根据第一端子或者第二端子电连接于单极晶体管而具有负极性或者正极性。
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公开(公告)号：CN100511473C
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200610103086.6
申请日：2006-07-10
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G11C13/0011 , G11C11/5614 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C2013/0071 , G11C2013/0076 , G11C2213/79
Abstract: 本发明提供一种存储器件，它包括存储元件、电路元件和写入控制部件。所述存储单元具有下述特性：所述特性表现出由于施加至少等于第一门限信号的电信号，电阻从大值改变到小值，而由于施加至少等于第二门限信号的电信号，电阻从小值改变到大值，所述第二门限信号具有与第一门限信号相反的极性。所述电路元件与所述存储元件串联。所述写入控制部件被配置成执行第一写入操作，检测在第n写入操作后由存储元件表现出的电阻，其中n大于等于1，将所检测到的电阻与所述设置值相比较，并且执行第(n+1)写入操作。
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