公开(公告)号：CN100354741C

公开(公告)日：2007-12-12

申请号：CN03801094.1

申请日：2003-06-11

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 安部仁 ,  折井俊彦 ,  秋元修 ,  持田利彦 ,  中山正大

IPC: G02F1/1368

CPC classification number: G02F1/1368 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/136277 ,  G02F2203/02 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/13

Abstract: 本发明公开了一种在不减弱噪声电阻的同时能实现每个象素面积减小的半导体器件。开关晶体管(13)和信号积累电容(15)以构成象素(Px)的每个单元区为基础地形成在第一导电型的半导体基底(底部半导体区)(11)上。开关晶体管(13)具有这样的结构，即在半导体基底(11)上形成第二导电类型的源极区(13S)和漏极区(13D)，并且在源极区(13S)和漏极区(13D)之间的区域上的绝缘层(12a)上形成栅电极(13G)。信号积累电容(15)具有这样的结构，即在半导体基底(11)上形成第一导电型的高浓度半导体区(15D，15S)，并在半导体区(15D)和(15S)之间的区域上的绝缘层12a上形成电极(15G)。取代形成偏置半导体区(17)，将半导体区(15D)和(15S)用作该偏置半导体区。

公开(公告)号：CN1556937A

公开(公告)日：2004-12-22

申请号：CN03801094.1

申请日：2003-06-11

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 安部仁 ,  折井俊彦 ,  秋元修 ,  持田利彦 ,  中山正大

IPC: G02F1/1368

CPC classification number: G02F1/1368 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/136277 ,  G02F2203/02 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/13

Abstract: 本发明公开了一种在不减弱噪声电阻的同时能实现每个象素面积减小的半导体器件。开关晶体管(13)和信号积累电容(15)以构成象素(Px)的每个单元区为基础地形成在第一导电型的半导体基底(底部半导体区)(11)上。开关晶体管(13)具有这样的结构，即在半导体基底(11)上形成第二导电类型的源极区(13S)和漏极区(13D)，并且在源极区(13S)和漏极区(13D)之间的区域上的绝缘层(12a)上形成栅电极(13G)。信号积累电容(15)具有这样的结构，即在半导体基底(11)上形成第一导电型的高浓度半导体区(15D，15S)，并在半导体区(15D)和(15S)之间的区域上的绝缘层12a上形成电极(15G)。取代形成偏置半导体区(17)，将半导体区(15D)和(15S)用作该偏置半导体区。