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公开(公告)号：CN1479911A
公开(公告)日：2004-03-03
申请号：CN02802806.6
申请日：2002-08-02
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G02F1/136259 , G02F2001/136254 , G09G3/3648
Abstract: 一种测试形成液晶显示设备的半导体衬底的方法，该方法使得甚至在像素电容对布线电容的比率随着液晶显示设备的尺寸降低或液晶显示设备的分辨率提高而降低时也能准确检测到对应于像素单元驱动电路的缺陷状态的电势改变。该方法包括：电荷保持步骤，用于使连接于从连接一个数据线的所有像素开关中选择出的多个像素开关的像素电容保持电荷；以及检测步骤，用于从该一个数据线同时检测在电荷保持步骤中保持在多个像素电容中的电荷。
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公开(公告)号：CN1556937A
公开(公告)日：2004-12-22
申请号：CN03801094.1
申请日：2003-06-11
Applicant: 索尼株式会社
IPC: G02F1/1368
CPC classification number: G02F1/1368 , G02F1/136213 , G02F1/136277 , G02F2203/02 , H01L27/12 , H01L27/1214 , H01L27/13
Abstract: 本发明公开了一种在不减弱噪声电阻的同时能实现每个象素面积减小的半导体器件。开关晶体管(13)和信号积累电容(15)以构成象素(Px)的每个单元区为基础地形成在第一导电型的半导体基底(底部半导体区)(11)上。开关晶体管(13)具有这样的结构，即在半导体基底(11)上形成第二导电类型的源极区(13S)和漏极区(13D)，并且在源极区(13S)和漏极区(13D)之间的区域上的绝缘层(12a)上形成栅电极(13G)。信号积累电容(15)具有这样的结构，即在半导体基底(11)上形成第一导电型的高浓度半导体区(15D，15S)，并在半导体区(15D)和(15S)之间的区域上的绝缘层12a上形成电极(15G)。取代形成偏置半导体区(17)，将半导体区(15D)和(15S)用作该偏置半导体区。
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公开(公告)号：CN100354741C
公开(公告)日：2007-12-12
申请号：CN03801094.1
申请日：2003-06-11
Applicant: 索尼株式会社
IPC: G02F1/1368
CPC classification number: G02F1/1368 , G02F1/136213 , G02F1/136277 , G02F2203/02 , H01L27/12 , H01L27/1214 , H01L27/13
Abstract: 本发明公开了一种在不减弱噪声电阻的同时能实现每个象素面积减小的半导体器件。开关晶体管(13)和信号积累电容(15)以构成象素(Px)的每个单元区为基础地形成在第一导电型的半导体基底(底部半导体区)(11)上。开关晶体管(13)具有这样的结构，即在半导体基底(11)上形成第二导电类型的源极区(13S)和漏极区(13D)，并且在源极区(13S)和漏极区(13D)之间的区域上的绝缘层(12a)上形成栅电极(13G)。信号积累电容(15)具有这样的结构，即在半导体基底(11)上形成第一导电型的高浓度半导体区(15D，15S)，并在半导体区(15D)和(15S)之间的区域上的绝缘层12a上形成电极(15G)。取代形成偏置半导体区(17)，将半导体区(15D)和(15S)用作该偏置半导体区。
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公开(公告)号：CN1232937C
公开(公告)日：2005-12-21
申请号：CN02802806.6
申请日：2002-08-02
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G02F1/136259 , G02F2001/136254 , G09G3/3648
Abstract: 一种测试形成液晶显示设备的半导体衬底的方法，该方法使得甚至在像素电容对布线电容的比率随着液晶显示设备的尺寸降低或液晶显示设备的分辨率提高而降低时也能准确检测到对应于像素单元驱动电路的缺陷状态的电势改变。该方法包括：电荷保持步骤，用于使连接于从连接一个数据线的所有像素开关中选择出的多个像素开关的像素电容保持电荷；以及检测步骤，用于从该一个数据线同时检测在电荷保持步骤中保持在多个像素电容中的电荷。
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