-
公开(公告)号：CN1479911A
公开(公告)日：2004-03-03
申请号：CN02802806.6
申请日：2002-08-02
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G02F1/136259 , G02F2001/136254 , G09G3/3648
Abstract: 一种测试形成液晶显示设备的半导体衬底的方法，该方法使得甚至在像素电容对布线电容的比率随着液晶显示设备的尺寸降低或液晶显示设备的分辨率提高而降低时也能准确检测到对应于像素单元驱动电路的缺陷状态的电势改变。该方法包括：电荷保持步骤，用于使连接于从连接一个数据线的所有像素开关中选择出的多个像素开关的像素电容保持电荷；以及检测步骤，用于从该一个数据线同时检测在电荷保持步骤中保持在多个像素电容中的电荷。
-
公开(公告)号：CN1954253B
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN200580015490.1
申请日：2005-04-14
Applicant: 索尼株式会社
IPC: G02F1/1343 , G02F1/133 , G02F1/1368
CPC classification number: G02F1/133512 , G02F1/133553 , G02F1/136259 , G02F1/136277 , G02F1/136286 , G02F2001/136218 , G09G3/3648 , G09G2300/0426 , G09G2320/0209
Abstract: 一种液晶显示器，其中，通过降低与相邻线路或元件的耦合噪声以及由其进入的噪声提高图像质量，即使在像素内发生线路短路时也能够告知冗余，并且能够将故障看作好像没有故障一样。在多条垂直信号线(15)和多条水平信号线(17)的交叉处分别设置显示像素，向每条垂直信号线(15)和水平信号线(17)提供屏蔽线(3)，并将屏蔽线(3)的电势设置为使显示像素显示黑色的电平上。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1954253A
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：CN200580015490.1
申请日：2005-04-14
Applicant: 索尼株式会社
IPC: G02F1/1343 , G02F1/133 , G02F1/1368
CPC classification number: G02F1/133512 , G02F1/133553 , G02F1/136259 , G02F1/136277 , G02F1/136286 , G02F2001/136218 , G09G3/3648 , G09G2300/0426 , G09G2320/0209
Abstract: 一种液晶显示器，其中，通过降低与相邻线路或元件的耦合噪声以及由其进入的噪声提高图像质量，即使在像素内发生线路短路时也能够告知冗余，并且能够将故障看作好像没有故障一样。在多条垂直信号线(15)和多条水平信号线(17)的交叉处分别设置显示像素，向每条垂直信号线(15)和水平信号线(17)提供屏蔽线(3)，并将屏蔽线(3)的电势设置为使显示像素显示黑色的电平上。
-
公开(公告)号：CN100354741C
公开(公告)日：2007-12-12
申请号：CN03801094.1
申请日：2003-06-11
Applicant: 索尼株式会社
IPC: G02F1/1368
CPC classification number: G02F1/1368 , G02F1/136213 , G02F1/136277 , G02F2203/02 , H01L27/12 , H01L27/1214 , H01L27/13
Abstract: 本发明公开了一种在不减弱噪声电阻的同时能实现每个象素面积减小的半导体器件。开关晶体管(13)和信号积累电容(15)以构成象素(Px)的每个单元区为基础地形成在第一导电型的半导体基底(底部半导体区)(11)上。开关晶体管(13)具有这样的结构，即在半导体基底(11)上形成第二导电类型的源极区(13S)和漏极区(13D)，并且在源极区(13S)和漏极区(13D)之间的区域上的绝缘层(12a)上形成栅电极(13G)。信号积累电容(15)具有这样的结构，即在半导体基底(11)上形成第一导电型的高浓度半导体区(15D，15S)，并在半导体区(15D)和(15S)之间的区域上的绝缘层12a上形成电极(15G)。取代形成偏置半导体区(17)，将半导体区(15D)和(15S)用作该偏置半导体区。
-
公开(公告)号：CN101377914A
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200810215110.4
申请日：2008-09-01
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G09G3/3655 , G09G3/3266 , G09G3/3677 , G09G2300/0823 , G09G2300/0866 , G09G2320/0238 , G09G2320/029
Abstract: 一种显示装置包括：像素部分，其具有二维布置的多个像素电路，每个像素电路作为包括开关器件、显示元件和存储电容器的电路被设在扫描线和信号线的交点处；和校正电路，其用于校正提供给所述存储电容器的存储电容器电压，其中所述校正电路采用：比较器，其用于检测从像素部分的一部分接收的各电位、作为具有正极性的像素电位和具有负极性的像素电位之间的差值，和用于比较所述电位的差值与参考电压；和输出电压控制电路，其用于将所述比较器输出的比较结果转换成用于校正所述存储电容器电压的校正信号，所述校正信号将被施加在用于提供所述存储电容器电压的存储电容器线上。
-
公开(公告)号：CN1232937C
公开(公告)日：2005-12-21
申请号：CN02802806.6
申请日：2002-08-02
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G02F1/136259 , G02F2001/136254 , G09G3/3648
Abstract: 一种测试形成液晶显示设备的半导体衬底的方法，该方法使得甚至在像素电容对布线电容的比率随着液晶显示设备的尺寸降低或液晶显示设备的分辨率提高而降低时也能准确检测到对应于像素单元驱动电路的缺陷状态的电势改变。该方法包括：电荷保持步骤，用于使连接于从连接一个数据线的所有像素开关中选择出的多个像素开关的像素电容保持电荷；以及检测步骤，用于从该一个数据线同时检测在电荷保持步骤中保持在多个像素电容中的电荷。
-
公开(公告)号：CN1556937A
公开(公告)日：2004-12-22
申请号：CN03801094.1
申请日：2003-06-11
Applicant: 索尼株式会社
IPC: G02F1/1368
CPC classification number: G02F1/1368 , G02F1/136213 , G02F1/136277 , G02F2203/02 , H01L27/12 , H01L27/1214 , H01L27/13
Abstract: 本发明公开了一种在不减弱噪声电阻的同时能实现每个象素面积减小的半导体器件。开关晶体管(13)和信号积累电容(15)以构成象素(Px)的每个单元区为基础地形成在第一导电型的半导体基底(底部半导体区)(11)上。开关晶体管(13)具有这样的结构，即在半导体基底(11)上形成第二导电类型的源极区(13S)和漏极区(13D)，并且在源极区(13S)和漏极区(13D)之间的区域上的绝缘层(12a)上形成栅电极(13G)。信号积累电容(15)具有这样的结构，即在半导体基底(11)上形成第一导电型的高浓度半导体区(15D，15S)，并在半导体区(15D)和(15S)之间的区域上的绝缘层12a上形成电极(15G)。取代形成偏置半导体区(17)，将半导体区(15D)和(15S)用作该偏置半导体区。
-
-
-
-
-
-
Search Results
7
records
(took 0.015 seconds)
