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公开(公告)号：CN101587840A
公开(公告)日：2009-11-25
申请号：CN200910143362.5
申请日：2009-05-22
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L21/268 , H01L21/324 , H01L21/66
CPC classification number: G01N21/956 , G01N2021/9513 , H01L21/02532 , H01L21/02675 , H01L22/12 , H01L27/1285 , H01L29/66765 , H01L29/78678
Abstract: 本发明提供了一种半导体薄膜的制造方法，其包括以下步骤：在基板上形成非晶半导体薄膜；通过对非晶半导体薄膜照射激光以对非晶半导体薄膜有选择地进行加热处理，从而使被激光照射的区域中的非晶半导体薄膜结晶，由此在每个元件区域中局部地形成结晶半导体薄膜；以及检查结晶半导体薄膜的结晶度。检查的步骤包括如下步骤：通过对结晶半导体薄膜和非晶半导体薄膜照射光以确定结晶区域的亮度与未结晶区域的亮度之间的对比度，并根据所确定的对比度对结晶半导体薄膜进行筛选。由于对结晶半导体薄膜的筛选是根据结晶区域的亮度和未结晶区域的亮度之间的对比度，从而可以实现比以往更可靠的筛选。
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公开(公告)号：CN101587840B
公开(公告)日：2011-03-02
申请号：CN200910143362.5
申请日：2009-05-22
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L21/268 , H01L21/324 , H01L21/66
CPC classification number: G01N21/956 , G01N2021/9513 , H01L21/02532 , H01L21/02675 , H01L22/12 , H01L27/1285 , H01L29/66765 , H01L29/78678
Abstract: 本发明提供了一种半导体薄膜的制造方法，其包括以下步骤：在基板上形成非晶半导体薄膜；通过对非晶半导体薄膜照射激光以对非晶半导体薄膜有选择地进行加热处理，从而使被激光照射的区域中的非晶半导体薄膜结晶，由此在每个元件区域中局部地形成结晶半导体薄膜；以及检查结晶半导体薄膜的结晶度。检查的步骤包括如下步骤：通过对结晶半导体薄膜和非晶半导体薄膜照射光以确定结晶区域的亮度与未结晶区域的亮度之间的对比度，并根据所确定的对比度对结晶半导体薄膜进行筛选。由于对结晶半导体薄膜的筛选是根据结晶区域的亮度和未结晶区域的亮度之间的对比度，从而可以实现比以往更可靠的筛选。
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公开(公告)号：CN101681815B
公开(公告)日：2011-10-26
申请号：CN200880016596.7
申请日：2008-04-30
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L21/20 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/66765 , H01L21/02532 , H01L21/02683 , H01L27/1281 , H01L27/1285
Abstract: 在基板(1)上形成栅极绝缘膜(13)以覆盖栅极电极(11)，并且形成非晶硅膜(半导体薄膜)(15)。光吸收层(19)通过缓冲层(17)形成在非晶硅膜(15)的上部上。能量照射(Lh)从诸如半导体激光器的连续波振荡激光器施加给光吸收层(19)。根据以上构造，在仅氧化光吸收层(19)的表面侧时，非晶硅膜(15)通过在光吸收层(19)中能量照射(Lh)的热转换产生的热以及氧化反应的产生的热而结晶化以形成微晶硅膜(15a)。根据上述构造，提供了一种薄膜的结晶化方法，该方法可以在具有良好可控性的同时实现较简单的工艺和较低的成本。
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公开(公告)号：CN101681815A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200880016596.7
申请日：2008-04-30
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L21/20 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/66765 , H01L21/02532 , H01L21/02683 , H01L27/1281 , H01L27/1285
Abstract: 在基板(1)上形成栅极绝缘膜(13)以覆盖栅极电极(11)，并且形成非晶硅膜(半导体薄膜)(15)。光吸收层(19)通过缓冲层(17)形成在非晶硅膜(15)的上部上。能量照射(Lh)从诸如半导体激光器的连续波振荡激光器施加给光吸收层(19)。根据以上构造，在仅氧化光吸收层(19)的表面侧时，非晶硅膜(15)通过在光吸收层(19)中能量照射(Lh)的热转换产生的热以及氧化反应的产生的热而结晶化以形成微晶硅膜(15a)。根据上述构造，提供了一种薄膜的结晶化方法，该方法可以在具有良好可控性的同时实现较简单的工艺和较低的成本。
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