公开(公告)号：CN100541744C

公开(公告)日：2009-09-16

申请号：CN200710138894.0

申请日：2007-05-10

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 荒井俊明 ,  稻垣敬夫

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L21/268 ,  H01L29/786 ,  H01L29/04 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L29/66765 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/02675 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1281 ,  H01L29/78678

Abstract: 本发明提供了一种能够抑制薄膜晶体管特性改变而不恶化其性能的薄膜晶体管的制造方法以及一种薄膜晶体管以及显示单元。在该方法种，通过经由光热转换层和缓冲层间接热处理形成晶体硅膜。通过图案化该缓冲层和绝缘膜，在晶体硅膜上对应于沟道区域的区域中选择性地形成沟道保护膜。进一步，当选择性地去除n+硅膜和金属层时，沟道保护膜作为刻蚀停止。当形成晶体硅膜时均匀提供热。进一步，在刻蚀中保护晶体硅膜的沟道区域。

公开(公告)号：CN101681815B

公开(公告)日：2011-10-26

申请号：CN200880016596.7

申请日：2008-04-30

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 梅津畅彦 ,  月原浩一 ,  松延刚 ,  稻垣敬夫 ,  田附幸一 ,  堀田慎 ,  白井克弥

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/66765 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02683 ,  H01L27/1281 ,  H01L27/1285

Abstract: 在基板(1)上形成栅极绝缘膜(13)以覆盖栅极电极(11)，并且形成非晶硅膜(半导体薄膜)(15)。光吸收层(19)通过缓冲层(17)形成在非晶硅膜(15)的上部上。能量照射(Lh)从诸如半导体激光器的连续波振荡激光器施加给光吸收层(19)。根据以上构造，在仅氧化光吸收层(19)的表面侧时，非晶硅膜(15)通过在光吸收层(19)中能量照射(Lh)的热转换产生的热以及氧化反应的产生的热而结晶化以形成微晶硅膜(15a)。根据上述构造，提供了一种薄膜的结晶化方法，该方法可以在具有良好可控性的同时实现较简单的工艺和较低的成本。

公开(公告)号：CN101681815A

公开(公告)日：2010-03-24

申请号：CN200880016596.7

申请日：2008-04-30

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 梅津畅彦 ,  月原浩一 ,  松延刚 ,  稻垣敬夫 ,  田附幸一 ,  堀田慎 ,  白井克弥

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/66765 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02683 ,  H01L27/1281 ,  H01L27/1285

Abstract: 在基板(1)上形成栅极绝缘膜(13)以覆盖栅极电极(11)，并且形成非晶硅膜(半导体薄膜)(15)。光吸收层(19)通过缓冲层(17)形成在非晶硅膜(15)的上部上。能量照射(Lh)从诸如半导体激光器的连续波振荡激光器施加给光吸收层(19)。根据以上构造，在仅氧化光吸收层(19)的表面侧时，非晶硅膜(15)通过在光吸收层(19)中能量照射(Lh)的热转换产生的热以及氧化反应的产生的热而结晶化以形成微晶硅膜(15a)。根据上述构造，提供了一种薄膜的结晶化方法，该方法可以在具有良好可控性的同时实现较简单的工艺和较低的成本。

公开(公告)号：CN101090073A

公开(公告)日：2007-12-19

申请号：CN200710138894.0

申请日：2007-05-10

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 荒井俊明 ,  稻垣敬夫

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L21/268 ,  H01L29/786 ,  H01L29/04 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L29/66765 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/02675 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1281 ,  H01L29/78678

Abstract: 本发明提供了一种能够抑制薄膜晶体管特性改变而不恶化其性能的薄膜晶体管的制造方法以及一种薄膜晶体管以及显示单元。在该方法种，通过经由光热转换层和缓冲层间接热处理形成晶体硅膜。通过图案化该缓冲层和绝缘膜，在晶体硅膜上对应于沟道区域的区域中选择性地形成沟道保护膜。进一步，当选择性地去除n+硅膜和金属层时，沟道保护膜作为刻蚀停止。当形成晶体硅膜时均匀提供热。进一步，在刻蚀中保护晶体硅膜的沟道区域。