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公开(公告)号：CN101681815A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200880016596.7
申请日：2008-04-30
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L21/20 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/66765 , H01L21/02532 , H01L21/02683 , H01L27/1281 , H01L27/1285
Abstract: 在基板(1)上形成栅极绝缘膜(13)以覆盖栅极电极(11)，并且形成非晶硅膜(半导体薄膜)(15)。光吸收层(19)通过缓冲层(17)形成在非晶硅膜(15)的上部上。能量照射(Lh)从诸如半导体激光器的连续波振荡激光器施加给光吸收层(19)。根据以上构造，在仅氧化光吸收层(19)的表面侧时，非晶硅膜(15)通过在光吸收层(19)中能量照射(Lh)的热转换产生的热以及氧化反应的产生的热而结晶化以形成微晶硅膜(15a)。根据上述构造，提供了一种薄膜的结晶化方法，该方法可以在具有良好可控性的同时实现较简单的工艺和较低的成本。
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公开(公告)号：CN101681815B
公开(公告)日：2011-10-26
申请号：CN200880016596.7
申请日：2008-04-30
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L21/20 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/66765 , H01L21/02532 , H01L21/02683 , H01L27/1281 , H01L27/1285
Abstract: 在基板(1)上形成栅极绝缘膜(13)以覆盖栅极电极(11)，并且形成非晶硅膜(半导体薄膜)(15)。光吸收层(19)通过缓冲层(17)形成在非晶硅膜(15)的上部上。能量照射(Lh)从诸如半导体激光器的连续波振荡激光器施加给光吸收层(19)。根据以上构造，在仅氧化光吸收层(19)的表面侧时，非晶硅膜(15)通过在光吸收层(19)中能量照射(Lh)的热转换产生的热以及氧化反应的产生的热而结晶化以形成微晶硅膜(15a)。根据上述构造，提供了一种薄膜的结晶化方法，该方法可以在具有良好可控性的同时实现较简单的工艺和较低的成本。
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公开(公告)号：CN1739903A
公开(公告)日：2006-03-01
申请号：CN200510099458.8
申请日：2005-08-26
Applicant: 索尼株式会社
Inventor： 堀田慎
CPC classification number: Y02P40/57
Abstract: 本发明提供一种可形成用以稳定地分割基板的切割线的基板加工装置及基板加工方法。从激光源(2)射出的激光经光成形光学系统(3)后成为平行，且激光的功率受控制。然后，用1/2波片(4)调整偏振方向，并用聚焦光学系统(5)会聚到基板(7)。通过将激光会聚在基板(7)上，使基板(7)内部发生多光子吸收，因多光子吸收而产生的离子化区域的玻璃升华。用XY工作台(8)，基板(7)与激光作相对移动，因此经升华而成为沟槽的部分成为切割线。本实施例中，控制1/2波片(4)的旋转，使激光相对基板(7)的移动方向与激光的偏振方向常时保持一定。
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公开(公告)号：CN1735961A
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN200380108218.9
申请日：2003-10-24
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L21/268 , H01L21/20
CPC classification number: H01L21/02675 , B23K26/064 , B23K26/0643 , B23K26/0648 , B23K26/08 , B23K26/082 , H01L21/2026 , H01L21/268
Abstract: 本发明是用于激光退火装置的光照射装置，具备控制部(9)，通过该控制部，在旋转轴(7a)的旋转从右旋向左旋变化后检测出旋转角成为+β时，使固态激光器(4)的脉冲导通，接着在检测出旋转角成为－β时，使固态激光器的脉冲截止，在旋转轴的旋转从左旋向右旋变化后检测出旋转角成为－β时使固态激光器的脉冲导通，接着在检测出旋转角成为+β时使固态激光器的脉冲截止。控制部还使可动平台(3)沿恒速移动方向恒速移动，从恒速移动方向的一端到另一端对退火对象物(2)照射光束后，使可动平台沿定距移动方向仅移动规定距离，以均匀的能量照射被照射物的整个面。
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