半导体器件、半导体集成电路以及凸点电阻测定方法

    公开(公告)号:CN101154654A

    公开(公告)日:2008-04-02

    申请号:CN200710142757.4

    申请日:2007-08-23

    CPC classification number: G01R31/31855 G01R31/318513

    Abstract: 本发明的半导体器件、半导体集成电路及凸点电阻测定方法可容易高精度并低成本地测定将芯片间连接的内部凸点的连接电阻。半导体器件包括主芯片(2)和副芯片(3),副芯片(3)通过主凸点(Ba,Bb,…)和测定/控制输入凸点(B1~B4)与主芯片(2)连接,上述两个芯片分别包括:每个主凸点的多个电压路径开关(T12a,T12b,…或T13a,T13b,…);主凸点和测定路径开关的各个连接点(Na2,Nb2,…或Na3,Nb3,…)上所连接的多个电流路径开关(T22a,T22b,…或T23a,T23b,…);以及控制电路(移位寄存器42或43),主芯片(2)还包括:用于控制输入、供给固定电流以及电压测定的多个测定/控制端子(Ta~Tf)。

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