公开(公告)号：CN100555650C

公开(公告)日：2009-10-28

申请号：CN200710161035.3

申请日：2007-12-19

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 北野良昭 ,  田谷圭司 ,  渡边慎也 ,  矢括幸始 ,  矶尾洋介 ,  铃木将

IPC: H01L27/146 ,  H01L27/148 ,  H04N5/225

Abstract: 本发明提供了一种固态成像器件，包括：形成有多个像素的半导体衬底，每个像素具有光电转换部分；以及形成在所述半导体衬底上的层叠膜，其中，所述层叠膜包括用于释放氢的氢释放膜和氢阻隔膜，所述氢阻隔膜被布置在所述氢释放膜的上方。

公开(公告)号：CN101207144A

公开(公告)日：2008-06-25

申请号：CN200710161035.3

申请日：2007-12-19

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 北野良昭 ,  田谷圭司 ,  渡边慎也 ,  矢括幸始 ,  矶尾洋介 ,  铃木将

IPC: H01L27/146 ,  H01L27/148 ,  H04N5/225

Abstract: 本发明提供了一种固态成像器件，包括：形成有多个像素的半导体衬底，每个像素具有光电转换部分；以及形成在所述半导体衬底上的层叠膜，其中，所述层叠膜包括用于释放氢的氢释放膜和氢阻隔膜，所述氢阻隔膜被布置在所述氢释放膜的上方。