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公开(公告)号：CN100481482C
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200480011816.9
申请日：2004-03-05
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/148 , H04N5/335
Abstract: 通过以良好平衡的方法改善噪声特性和读出特性从而提供了一种具有满意的噪声特性和读出特性的固态成像装置。所述固态成像装置具有如此的结构使得在构成像素的光接收传感器部分11的一侧提供读信号电荷；将预定的电压信号V施加到形成以覆盖除了光接收传感器部分11之外的图像拾取区的光屏蔽膜9；在构成光接收传感器部分11的光电转换区的第一导电型半导体区2的表面上的中心形成第二导电型半导体区6，且包含比第二导电型半导体区6的掺杂浓度更低的掺杂浓度的区10(10A、10B)形成于第一导电型半导体区2的表面上在电极8侧的端部和像素隔离区3侧的相对端部。
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公开(公告)号：CN101714563A
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200910176080.5
申请日：2009-09-28
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L21/82 , G02B6/122 , H04N5/225
CPC classification number: H01L27/14818 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14629 , H01L27/14812
Abstract: 本发明公开了固体摄像器件及其制造方法以及电子装置，所述固体摄像器件包括：作为像素的感光部；以及各自包括中心层和覆层的波导部，每个波导部被设置在对应于一个感光部的位置处。在摄像面的水平方向上得到的波导部的截面结构与在摄像面的垂直方向上得到的波导部的截面结构不同。所述固体摄像器件制造方法包括如下步骤：循着层状结构形成覆层，所述层状结构被形成为使得对应于感光部的各个开口在摄像面的水平方向上的截面形状与对应于感光部的各个开口在摄像面的垂直方向上的截面形状不同；将覆层图形化；以及将中心层埋入到与感光部对应的开口中。本发明由于在波导部中不容易产生驻波，因而能抑制光谱波纹的出现，并且改善摄像特性。
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公开(公告)号：CN100555650C
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200710161035.3
申请日：2007-12-19
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L27/148 , H04N5/225
Abstract: 本发明提供了一种固态成像器件，包括：形成有多个像素的半导体衬底，每个像素具有光电转换部分；以及形成在所述半导体衬底上的层叠膜，其中，所述层叠膜包括用于释放氢的氢释放膜和氢阻隔膜，所述氢阻隔膜被布置在所述氢释放膜的上方。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101714563B
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN200910176080.5
申请日：2009-09-28
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L21/82 , G02B6/122 , H04N5/225
CPC classification number: H01L27/14818 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14629 , H01L27/14812
Abstract: 本发明公开了固体摄像器件及其制造方法以及电子装置，所述固体摄像器件包括：作为像素的感光部；以及各自包括中心层和覆层的波导部，每个波导部被设置在对应于一个感光部的位置处。在摄像面的水平方向上得到的波导部的截面结构与在摄像面的垂直方向上得到的波导部的截面结构不同。所述固体摄像器件制造方法包括如下步骤：循着层状结构形成覆层，所述层状结构被形成为使得对应于感光部的各个开口在摄像面的水平方向上的截面形状与对应于感光部的各个开口在摄像面的垂直方向上的截面形状不同；将覆层图形化；以及将中心层埋入到与感光部对应的开口中。本发明由于在波导部中不容易产生驻波，因而能抑制光谱波纹的出现，并且改善摄像特性。
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公开(公告)号：CN101207144A
公开(公告)日：2008-06-25
申请号：CN200710161035.3
申请日：2007-12-19
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L27/148 , H04N5/225
Abstract: 本发明提供了一种固态成像器件，包括：形成有多个像素的半导体衬底，每个像素具有光电转换部分；以及形成在所述半导体衬底上的层叠膜，其中，所述层叠膜包括用于释放氢的氢释放膜和氢阻隔膜，所述氢阻隔膜被布置在所述氢释放膜的上方。
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公开(公告)号：CN100382327C
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：CN200410071405.0
申请日：2004-04-02
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/14 , H01L27/146 , H04N5/335
CPC classification number: H01L27/14843 , H01L27/14623 , H01L27/14689 , H01L27/14837
Abstract: 一种固态图像拾取装置，包括：位于一衬底上的用于接收入射光以进行光电转换的多个光电转换区域；一读取栅，用于读取来自光电转换区域的信号电荷；和一转移寄存器(垂直寄存器)，用于转移由读取栅读取的信号电荷。其中，在所述衬底的表面侧上形成有一个凹槽，和所述转移寄存器和读取栅被形成在所述凹槽的底部处。根据这种结构，在所述固态图像拾取装置中，可实现拖影特性、读取电压、噪音等的减小。
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公开(公告)号：CN1781192A
公开(公告)日：2006-05-31
申请号：CN200480011816.9
申请日：2004-03-05
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/148 , H04N5/335
Abstract: 通过以良好平衡的方法改善噪声特性和读出特性从而提供了一种具有满意的噪声特性和读出特性的固态成像装置。所述固态成像装置具有如此的结构使得在构成像素的光接收传感器部分11的一侧提供读信号电荷；将预定的电压信号V施加到形成以覆盖除了光接收传感器部分11之外的图像拾取区的光屏蔽膜9；在构成光接收传感器部分11的光电转换区的第一导电型半导体区2的表面上的中心形成第二导电型半导体区6，且包含比第二导电型半导体区6的掺杂浓度更低的掺杂浓度的区10(10A、10B)形成于第一导电型半导体区2的表面上在电极8侧的端部和像素隔离区3侧的相对端部。
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公开(公告)号：CN1571163A
公开(公告)日：2005-01-26
申请号：CN200410071405.0
申请日：2004-04-02
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/14 , H01L27/146 , H04N5/335
CPC classification number: H01L27/14843 , H01L27/14623 , H01L27/14689 , H01L27/14837
Abstract: 一种固态图像拾取装置，包括：位于一衬底上的用于接收入射光以进行光电转换的多个光电转换区域；一读取栅，用于读取来自光电转换区域的信号电荷；和一转移寄存器(垂直寄存器)，用于转移由读取栅读取的信号电荷。其中，在所述衬底的表面侧上形成有一个凹槽，和所述转移寄存器和读取栅被形成在所述凹槽的底部处。根据这种结构，在所述固态图像拾取装置中，可实现拖影特性、读取电压、噪音等的减小。
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