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公开(公告)号：CN101740590B
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN200910208383.0
申请日：2009-11-12
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/335 , H04N5/225
CPC classification number: H01L27/14603 , H01L27/14609 , H01L27/1461 , H01L27/14612 , H01L27/1463 , H01L27/14641 , H01L27/14643 , H01L27/14689
Abstract: 本发明涉及固态成像器件及其制造方法和成像设备。固态成像器件包括：被设在半导体衬底上并且将入射光光电转换成信号电荷的光电转换部；被设在半导体衬底上并且将从光电转换部读出的信号电荷转换成电压的像素晶体管部；和被设在半导体衬底上并且将光电转换部与设有像素晶体管部的活性区分隔开的元件隔离区。像素晶体管部包括多个晶体管。在这些晶体管中，在至少一个其栅电极的栅极宽度方向朝向光电转换部的晶体管中，栅电极的至少光电转换部侧部分隔着栅绝缘膜被设在活性区内且活性区上。
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公开(公告)号：CN101640210B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200910162578.6
申请日：2009-08-03
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L29/78 , H01L29/51 , H01L21/822 , H04N5/335 , H04N5/225
CPC classification number: H01L27/14614 , H01L27/14605 , H01L27/14609 , H01L27/1461 , H01L27/14612 , H01L27/14621 , H01L27/14625 , H01L27/14627 , H01L27/14636 , H01L27/14643 , H01L27/14645 , H01L27/14683 , H01L27/14689 , H01L29/51 , H01L29/518 , H04N5/335 , H04N5/378
Abstract: 本发明提供了一种固体摄像器件及其制造方法以及包括该固体摄像器件的摄像装置。所述固体摄像器件在半导体基板中包括：设有对入射光进行光电转换以得到电信号的光电转换部的像素部，以及设在像素部周围的周边电路部，其中周边电路部中的MOS晶体管的栅极绝缘膜由氮氧化硅膜构成，像素部中的MOS晶体管的栅极绝缘膜由氮氧化硅膜构成，并且在像素部中的光电转换部的正上方设有氧化物膜。本发明可以防止隧道电流的产生，从而改善周边电路部和像素部的晶体管特性。而且，由于可以防止因光电转换部中的固定电荷所致的白色缺陷和暗电流的恶化，所以优点在于改善了图像质量。
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公开(公告)号：CN100452416C
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200610067363.2
申请日：2006-02-05
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L21/822
CPC classification number: H01L27/1463 , H01L27/14643
Abstract: 本发明涉及固态图像拾取装置及其制造方法。该固态图像拾取装置包括：阱区表面上的电隔离像素的元件隔离绝缘膜；第一隔离扩散层，其在元件隔离绝缘膜下面电隔离像素；以及第二隔离扩散层，其在第一隔离扩散层下面电隔离像素，其中电荷积累区设置于由第一和第二隔离扩散层围绕的阱区中，第一隔离扩散层的内周部分形成突出区，具有第一隔离扩散层的导电类型的杂质和具有电荷积累区的导电类型的杂质在突出区中混合，并且电荷积累区的在电荷积累区和第二隔离扩散层之间的部分在突出区下邻接或邻近第二隔离扩散层。
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公开(公告)号：CN101740590A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200910208383.0
申请日：2009-11-12
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L21/82 , H04N5/335 , H04N5/225
CPC classification number: H01L27/14603 , H01L27/14609 , H01L27/1461 , H01L27/14612 , H01L27/1463 , H01L27/14641 , H01L27/14643 , H01L27/14689
Abstract: 本发明涉及固态成像器件及其制造方法和成像设备。固态成像器件包括：被设在半导体衬底上并且将入射光光电转换成信号电荷的光电转换部；被设在半导体衬底上并且将从光电转换部读出的信号电荷转换成电压的像素晶体管部；和被设在半导体衬底上并且将光电转换部与设有像素晶体管部的活性区分隔开的元件隔离区。像素晶体管部包括多个晶体管。在这些晶体管中，在至少一个其栅电极的栅极宽度方向朝向光电转换部的晶体管中，栅电极的至少光电转换部侧部分隔着栅绝缘膜被设在活性区内且活性区上。
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公开(公告)号：CN101640210A
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：CN200910162578.6
申请日：2009-08-03
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L29/78 , H01L29/51 , H01L21/822 , H04N5/335 , H04N5/225
CPC classification number: H01L27/14614 , H01L27/14605 , H01L27/14609 , H01L27/1461 , H01L27/14612 , H01L27/14621 , H01L27/14625 , H01L27/14627 , H01L27/14636 , H01L27/14643 , H01L27/14645 , H01L27/14683 , H01L27/14689 , H01L29/51 , H01L29/518 , H04N5/335 , H04N5/378
Abstract: 本发明提供了一种固体摄像器件及其制造方法以及包括该固体摄像器件的摄像装置。所述固体摄像器件在半导体基板中包括：设有对入射光进行光电转换以得到电信号的光电转换部的像素部，以及设在像素部周围的周边电路部，其中周边电路部中的MOS晶体管的栅极绝缘膜由氮氧化硅膜构成，像素部中的MOS晶体管的栅极绝缘膜由氮氧化硅膜构成，并且在像素部中的光电转换部的正上方设有氧化物膜。本发明可以防止隧道电流的产生，从而改善周边电路部和像素部的晶体管特性。而且，由于可以防止因光电转换部中的固定电荷所致的白色缺陷和暗电流的恶化，所以优点在于改善了图像质量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101567377B
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN200910131047.0
申请日：2009-04-20
Applicant: 索尼株式会社
Inventor： 田谷圭司
IPC: H01L27/146 , H04N5/225 , H01L21/82 , H01L21/8234
CPC classification number: H01L27/1462 , H01L27/14603 , H01L27/14609 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14627 , H01L27/1463 , H01L27/14643 , H01L27/14687
Abstract: 本发明公开了固体摄像装置、固体摄像装置制造方法以及电子设备。所述固体摄像装置包括：像素部；周边电路部；在所述像素部中除了隔离部上方的部分或全部区域之外的区域中形成的硅化阻挡层；以及在所述周边电路部中形成的具有金属硅化物层的晶体管。由于硅化阻挡层的表面面积被减小，从而降低了由硅化阻挡层的热膨胀与半导体基板的热膨胀之间的差异所引起的翘曲度。这使得翘曲应力减小，因此抑制了由任何应力所引起的噪声的产生。由于在所述像素部中没有形成金属硅化物层，因而能够抑制结漏、暗电流及白点的产生。本发明能够在不增加制造步骤数量的情况下提高固体摄像装置的像素特性，从而得到具有较高图像质量的电子设备。
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公开(公告)号：CN101728409B
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN200910209101.9
申请日：2006-01-05
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L21/82
CPC classification number: H01L27/14601 , H01L27/1463 , H01L27/14689
Abstract: 本发明公开了一种固态成像器件及其制造方法，所述固态成像器件包括：多个像素，二维地排列在设置在半导体衬底上的阱区中，每个像素包括具有聚集信号电荷的电荷聚集区的光电转换部分；元件隔离层，其设置在沿各个电荷聚集区周边的阱区表面上，且其将各个像素彼此电隔离；和扩散层，其设置在所述元件隔离层下面，以围绕各个电荷聚集区，且将各个像素彼此电隔离，所述扩散层具有比所述元件隔离层小的宽度。每个电荷聚集区设置以在元件隔离层下延伸并与扩散层形成接触或与其紧邻。
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公开(公告)号：CN101728409A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200910209101.9
申请日：2006-01-05
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L21/82
CPC classification number: H01L27/14601 , H01L27/1463 , H01L27/14689
Abstract: 本发明公开了一种固态成像器件及其制造方法，所述固态成像器件包括：多个像素，二维地排列在设置在半导体衬底上的阱区中，每个像素包括具有聚集信号电荷的电荷聚集区的光电转换部分；元件隔离层，其设置在沿各个电荷聚集区周边的阱区表面上，且其将各个像素彼此电隔离；和扩散层，其设置在所述元件隔离层下面，以围绕各个电荷聚集区，且将各个像素彼此电隔离，所述扩散层具有比所述元件隔离层小的宽度。每个电荷聚集区设置以在元件隔离层下延伸并与扩散层形成接触或与其紧邻。
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公开(公告)号：CN101640209A
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：CN200910161720.5
申请日：2009-07-31
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L21/8249 , H01L21/71 , H04N5/335
Abstract: 本发明提供固体摄像器件、其制造方法以及摄像装置。该固体摄像器件包括：半导体基板，其包括具有光电转换部的像素部和周边电路部；第一侧壁部，其由侧壁膜构成并被布置在像素部中的MOS晶体管的栅极电极的各个侧壁上；第二侧壁部，其由上述侧壁膜构成并被布置在周边电路部中的MOS晶体管的栅极电极的各个侧壁上；第一硅化物阻挡膜，其由上述侧壁膜构成并被布置在光电转换部和像素部中的部分MOS晶体管上；以及第二硅化物阻挡膜，其被布置在像素部中的MOS晶体管上并与部分第一硅化物阻挡膜重叠，其中，像素部中的MOS晶体管被第一和第二硅化物阻挡膜覆盖着。本发明的固体摄像器件、其制造方法及摄像装置能够降低随机噪声、白点数量和暗电流。
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公开(公告)号：CN101567377A
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200910131047.0
申请日：2009-04-20
Applicant: 索尼株式会社
Inventor： 田谷圭司
IPC: H01L27/146 , H04N5/225 , H01L21/82 , H01L21/8234
CPC classification number: H01L27/1462 , H01L27/14603 , H01L27/14609 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14627 , H01L27/1463 , H01L27/14643 , H01L27/14687
Abstract: 本发明公开了固体摄像装置、固体摄像装置制造方法以及电子设备。所述固体摄像装置包括：像素部；周边电路部；在所述像素部中除了隔离部上方的部分或全部区域之外的区域中形成的硅化阻挡层；以及在所述周边电路部中形成的具有金属硅化物层的晶体管。由于硅化阻挡层的表面面积被减小，从而降低了由硅化阻挡层的热膨胀与半导体基板的热膨胀之间的差异所引起的翘曲度。这使得翘曲应力减小，因此抑制了由任何应力所引起的噪声的产生。由于在所述像素部中没有形成金属硅化物层，因而能够抑制结漏、暗电流及白点的产生。本发明能够在不增加制造步骤数量的情况下提高固体摄像装置的像素特性，从而得到具有较高图像质量的电子设备。
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