-
公开(公告)号：CN1701040A
公开(公告)日：2005-11-23
申请号：CN02820872.2
申请日：2002-09-11
Applicant: 索尼株式会社
Abstract: 一种效率高，重量轻，便宜且输送性高的物质包藏材料，采用它的电化学装置，及物质保藏材料的制备方法。物质包藏材料的物质如富勒烯分子(C60)不同于要包藏的物质如氢气，所述氢气包含在圆柱形材料如碳纳米管的内部。在物质包藏材料中，圆柱形材料如碳纳米管或杆形材料如碳纳米纤维紧密地捆扎在一起形成束结构，并且要包藏的物质如氢气被包藏在圆柱形或杆形材料之间。在物质包藏材料中，圆柱形材料形成多壁结构，且在该结构的最内部形成包藏所要包藏的物质的空间。制备物质包藏材料的方法包括在需要制备物质包藏材料时用碱处理该物质包藏材料的步骤。一种使用氢包藏材料作为物质包藏材料的电化学装置。
-
公开(公告)号：CN1378521A
公开(公告)日：2002-11-06
申请号：CN00814090.1
申请日：2000-09-11
Applicant: 索尼株式会社
IPC: C01B31/02 , C01B31/04 , C01B3/00 , H01M4/24 , H01M4/38 , H01M10/24 , H01M12/08 , H01M8/04 , B01J20/20
CPC classification number: B82Y30/00 , B01J20/20 , B82Y40/00 , C01B3/0021 , C01B32/15 , C01B32/152 , H01M4/242 , H01M8/04 , H01M8/04089 , Y02E60/325 , Y02E60/327
Abstract: 提供能以质子形式储氢的储氢碳素物。碳素物由具有弯曲结构的分子组成,其功函数是4.9eV或更大。利用碳基电极通过弧光放电工艺,可制备碳素物。这些碳素物的例子包括由通过焙烧由富勒烯制备的聚合物组成焙烧体、通过电解聚合由富勒烯制备的聚合物、通过将可与质子氢键合的基团引入到碳素物中而制备的碳素物衍生物、由具有弯曲结构部分的分子组成的碳素物、以及其上负载金属的碳素物,金属具有将氢分子分离成氢原子并进一步将氢原子分离成质子和电子的催化能力。同时,碳素物可以是在给能储氢的材料施加正电压并在含氢的气体气氛中处理得到的储氢材料。储氢碳素物用于电池例如碱性电池、空气电池和燃料电池。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101840997A
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN201010163399.7
申请日：2004-09-07
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01L51/0545 , B82Y10/00 , H01L51/0048
Abstract: 本发明公开了一种用于制造其中碳纳米管被用于沟道层(5)的场效应半导体器件例如场效应晶体管(6)的方法，该方法包括其中碳纳米管的物理或化学状态通过使碳纳米管经历等离子体处理而改变的步骤。采用该方法，能容易地制造具有电流路径例如沟道层的场效应半导体器件，所述电流路径例如沟道层中碳纳米管被均匀分散，该器件能够防止由碳纳米管的成束导致的器件特性下降。
-
公开(公告)号：CN1853277A
公开(公告)日：2006-10-25
申请号：CN200480026427.3
申请日：2004-09-07
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开了一种用于制造其中碳纳米管被用于沟道层(5)的场效应半导体器件例如场效应晶体管(6)的方法，该方法包括其中碳纳米管的物理或化学状态通过使碳纳米管经历等离子体处理而改变的步骤。采用该方法，能容易地制造具有电流路径例如沟道层的场效应半导体器件，所述电流路径例如沟道层中碳纳米管被均匀分散，该器件能够防止由碳纳米管的成束导致的器件特性下降。
-
公开(公告)号：CN1711645B
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN200380103349.8
申请日：2003-11-05
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L29/786 , B82B1/00 , B82B3/00 , H01L29/06
CPC classification number: H01L51/0595 , B82Y10/00 , H01L51/0048 , H01L51/0508 , Y10S977/762 , Y10S977/936 , Y10S977/938 , Y10S977/949
Abstract: 一种微电子器件以及制造该器件的方法可以克服现有碳分子所构成的电子器件的缺陷，并具有优于现有器件的性能。绝缘栅极场效应晶体管包括多壁碳纳米管(10)，其中，多壁碳纳米管(10)具有外部半导体碳纳米管层(1)以及部分被外部半导体碳纳米管层(1)所覆盖的内部金属化碳纳米管层(2)。金属源电极(3)和金属漏电极(5)与半导体碳纳米管层(1)的两端相接触，而金属栅极电极(4)与金属化碳纳米管层(2)相接触。在半导体碳纳米管层(1)和金属化碳纳米管层(2)之间的空间作为栅极绝缘层使用。包括外部半导体碳纳米管层(1)和内部金属化碳纳米管层(2)的两层选自多壁碳纳米管的碳纳米管层。这些层都处理成适用于用于作为多壁碳纳米管(10)使用的形式。
-
公开(公告)号：CN101618855A
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN200910150450.8
申请日：2004-01-08
Applicant: 索尼株式会社
Abstract: 本发明公开了制造管状碳分子的方法和制造记录设备的方法。该制造管状碳分子的方法能够以更精细的间隔和规则排列碳纳米管。通过基于调制热分布(11)的熔化将催化剂排列在由半导体如硅(Si)组成的基材(10)上，所述基材包含作为催化剂的铁。所述热分布(11)是通过用例如衍射光栅(12)使能量束(12)衍射形成的。分布催化剂的方法包括例如将铁以平面或凸起的形式沉积对应于所述热分布(11)的位置中，或者还包括使用其原始形式来将其转印到另一种基材上。使用所述分布催化剂生长碳纳米管。所述生长纳米管可用于记录设备、场致电子发射元件或FED。
-
公开(公告)号：CN1711645A
公开(公告)日：2005-12-21
申请号：CN200380103349.8
申请日：2003-11-05
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L29/786 , B82B1/00 , B82B3/00 , H01L29/06
CPC classification number: H01L51/0595 , B82Y10/00 , H01L51/0048 , H01L51/0508 , Y10S977/762 , Y10S977/936 , Y10S977/938 , Y10S977/949
Abstract: 一种微电子器件以及制造该器件的方法可以克服现有碳分子所构成的电子器件的缺陷，并具有优于现有器件的性能。绝缘栅极场效应晶体管包括多壁碳纳米管(10)，其中，多壁碳纳米管(10)具有外部半导体碳纳米管层(1)以及部分被外部半导体碳纳米管层(1)所覆盖的内部金属化碳纳米管层(2)。金属源电极(3)和金属漏电极(5)与半导体碳纳米管层(1)的两端相接触，而金属栅极电极(4)与金属化碳纳米管层(2)相接触。在半导体碳纳米管层(1)和金属化碳纳米管层(2)之间的空间作为栅极绝缘层使用。包括外部半导体碳纳米管层(1)和内部金属化碳纳米管层(2)的两层选自多壁碳纳米管的碳纳米管层。这些层都处理成适用于用于作为多壁碳纳米管(10)使用的形式。
-
-
-
-
-
-
Search Results
7
records
(took 0.026 seconds)
