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公开(公告)号：CN101170130A
公开(公告)日：2008-04-30
申请号：CN200710165522.7
申请日：2007-10-26
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L29/772 , H01L21/336 , B82B1/00 , B82B3/00 , C01B31/02
CPC classification number: H01L51/0595 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/16 , C01B2202/02 , C01B2202/22 , H01L51/0048 , H01L51/0512 , H01L51/0583 , Y10S977/742 , Y10T428/30
Abstract: 本发明披露了一种单壁碳纳米管异质结及其制造方法以及使用该单壁碳纳米管异质结的半导体器件及其制造方法。在该单壁碳纳米管异质结中，半导体单壁碳纳米管和金属单壁碳纳米管在其长度方向上彼此连接。该单壁碳纳米管异质结是通过在单壁碳纳米管的生长过程中引入缺陷以诱发手性变化而形成的。根据本发明的制造单壁碳纳米管异质结的方法，其中在该单壁碳纳米管的生长过程中引入缺陷以将五元环或七元环引入到石墨片的六元环结构中从而诱发手性变化。本发明可以根本地解决在半导体单壁碳纳米管中由于金属单壁碳纳米管的混入引起的单壁碳纳米管FET的特性劣化的问题。
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公开(公告)号：CN1729137A
公开(公告)日：2006-02-01
申请号：CN200380107040.6
申请日：2003-11-25
Applicant: 索尼株式会社
IPC: B82B3/00 , C01B31/02 , C23C16/44 , C23C16/48 , B01J37/02 , B01J37/03 , B01J37/34 , B01J23/74 , H01J9/02
CPC classification number: C30B25/18 , B01J37/34 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , C01B32/18 , C30B29/02 , C30B29/602 , G11C2213/81 , H01J9/025 , Y10S977/842 , Y10S977/876 , Y10S977/893
Abstract: 本文揭示一种产生微结构的方法，和一种生产模具的方法，这两个方法能在一种可忽略杂质的气氛中，产生比以前小得多的微孔，并藉助于这微孔还能产生具有比以前更小尺寸和更高结晶度的微结构。产生微结构的方法包括用聚焦的能量束(3)辐照，在基底(1)上制作微孔(4)以成为模具(5)的步骤，和在如此制作的微孔(4)中生长微结构(8)的步骤。生产模具的方法包括通过用聚焦的能量束(3)辐照基底(1)制作微孔(4)以成为模具(5)的步骤。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1703780A
公开(公告)日：2005-11-30
申请号：CN200380100824.6
申请日：2003-10-02
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L43/08 , H01L43/10
Abstract: 可获得一种存储元件，其中的自旋传导层具有足够的自旋相干长度和均匀的自旋场，并由此达到实际的应用和提供一种存储装置。例如，自旋导电层(顺磁层)(24)是厚为从0.5nm到5μm的球壳状碳分子薄膜。该球壳状碳分子具有尺寸为，例如，从0.1加到50nm的小孔。顺磁材料被包括在这小孔中。该球壳状碳分子薄膜的费未矢量合适地覆叠着遍及铁磁固定层(23)和铁磁自由层(25)的少数自旋带或大量自旋带。此外，能包括顺磁材料的自旋取向是随机的。而且，在球壳状碳分子中的电子自旋在伪零维空间中是在量子化的状态中。由此，在球壳状碳分子薄膜中自旋相干长度变长，并消除了自旋极化的传导电子的散射。
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公开(公告)号：CN101618855A
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN200910150450.8
申请日：2004-01-08
Applicant: 索尼株式会社
Abstract: 本发明公开了制造管状碳分子的方法和制造记录设备的方法。该制造管状碳分子的方法能够以更精细的间隔和规则排列碳纳米管。通过基于调制热分布(11)的熔化将催化剂排列在由半导体如硅(Si)组成的基材(10)上，所述基材包含作为催化剂的铁。所述热分布(11)是通过用例如衍射光栅(12)使能量束(12)衍射形成的。分布催化剂的方法包括例如将铁以平面或凸起的形式沉积对应于所述热分布(11)的位置中，或者还包括使用其原始形式来将其转印到另一种基材上。使用所述分布催化剂生长碳纳米管。所述生长纳米管可用于记录设备、场致电子发射元件或FED。
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公开(公告)号：CN101170130B
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200710165522.7
申请日：2007-10-26
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L29/772 , H01L21/336 , B82B1/00 , B82B3/00 , C01B31/02
CPC classification number: H01L51/0595 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/16 , C01B2202/02 , C01B2202/22 , H01L51/0048 , H01L51/0512 , H01L51/0583 , Y10S977/742 , Y10T428/30
Abstract: 本发明披露了一种单壁碳纳米管异质结及其制造方法以及使用该单壁碳纳米管异质结的半导体器件及其制造方法。在该单壁碳纳米管异质结中，半导体单壁碳纳米管和金属单壁碳纳米管在其长度方向上彼此连接。该单壁碳纳米管异质结是通过在单壁碳纳米管的生长过程中引入缺陷以诱发手性变化而形成的。根据本发明的制造单壁碳纳米管异质结的方法，其中在该单壁碳纳米管的生长过程中引入缺陷以将五元环或七元环引入到石墨片的六元环结构中从而诱发手性变化。本发明可以根本地解决在半导体单壁碳纳米管中由于金属单壁碳纳米管的混入引起的单壁碳纳米管FET的特性劣化的问题。
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公开(公告)号：CN101648183B
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN200910166411.7
申请日：2009-08-12
Applicant: 索尼株式会社
Inventor： 角野宏治
IPC: B05D7/00 , B05D7/24 , B05D3/00 , B05C9/00 , B05C11/11 , B05C13/00 , C01B31/00 , H01L29/772 , H01L31/042 , B81C5/00
CPC classification number: H01B1/04 , B05D1/00 , B82Y10/00 , B82Y20/00 , G02F1/13338 , G02F2001/13324 , G02F2202/36 , G06F3/045 , H01B1/24 , H01L21/02527 , H01L21/02628 , H01L51/0003 , H01L51/0048
Abstract: 本发明涉及制造薄膜的方法和设备以及制造电子装置的方法。制造薄膜的方法包括如下步骤：将薄膜形成材料与表面活性剂混合来制备其中分散有薄膜形成材料的分散液；在环形保持装置的内周界侧由所述分散液形成分散液膜；在圆筒状支撑体与所述分散液膜保持相互接触的情况下使它们彼此相对移动以使所述分散液被转移到所述支撑体表面上形成膜状，其中所述支撑体沿着所述保持装置的内周界被放置于所述保持装置的内部空间的中央部分和其外周界之间；和使所述支撑体表面上的膜状分散液干燥形成所述薄膜。
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公开(公告)号：CN101648183A
公开(公告)日：2010-02-17
申请号：CN200910166411.7
申请日：2009-08-12
Applicant: 索尼株式会社
Inventor： 角野宏治
IPC: B05D7/00 , B05D7/24 , B05D3/00 , B05C9/00 , B05C11/11 , B05C13/00 , C01B31/00 , H01L29/772 , H01L31/042 , B81C5/00
CPC classification number: H01B1/04 , B05D1/00 , B82Y10/00 , B82Y20/00 , G02F1/13338 , G02F2001/13324 , G02F2202/36 , G06F3/045 , H01B1/24 , H01L21/02527 , H01L21/02628 , H01L51/0003 , H01L51/0048
Abstract: 本发明涉及制造薄膜的方法和设备以及制造电子装置的方法。制造薄膜的方法包括如下步骤：将薄膜形成材料与表面活性剂混合来制备其中分散有薄膜形成材料的分散液；在环形保持装置的内周界侧由所述分散液形成分散液膜；在圆筒状支撑体与所述分散液膜保持相互接触的情况下使它们彼此相对移动以使所述分散液被转移到所述支撑体表面上形成膜状，其中所述支撑体沿着所述保持装置的内周界被放置于所述保持装置的内部空间的中央部分和其外周界之间；和使所述支撑体表面上的膜状分散液干燥形成所述薄膜。
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