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公开(公告)号:CN101077766A
公开(公告)日:2007-11-28
申请号:CN200710092329.5
申请日:2007-02-17
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: B81C1/00896 , B81B2207/015 , B81C2201/056
Abstract: 一种电子机械元件,实现解决因在电子机械元件的制造过程中的可动元件上产生负荷而导致可动元件的变形、破损等课题。在牺牲层(23)上形成可动元件(5),在此可动元件(5)中形成暴露出牺牲层(23)的多个孔(5h),对于牺牲层从可动元件中形成的孔和可动元件的周边进行残留牺牲层的一部分的第一腐蚀,利用此牺牲层的残留部进行可动元件的机械支承,在此状态下,进行对可动元件施加负荷的作业,此后进行第二腐蚀,去除牺牲层的残留部,如此,在利用牺牲层的一部分进行加强的状态下,进行对上述可动元件施加负荷的作业,从而避免由于此负荷等所导致的制造过程中的可动元件的变形、破损等。
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公开(公告)号:CN101312338B
公开(公告)日:2012-05-30
申请号:CN200810109128.6
申请日:2008-05-23
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H03H9/2431 , H03H9/02275 , H03H9/02338 , H03H9/02433 , H03H9/2405 , H03H9/505 , H03H2009/0244 , H03H2009/02496
Abstract: 一种谐振器,使并列谐振器中各谐振器元件的结构和作用在各谐振器元件振动部的应力相等而谋求提高Q值。提供一种使用该谐振器的滤波器和通信装置。隔着空间具有下部电极(26)、(27)和振动部(24)的多个谐振器元件(21)并列连接,使多个谐振器元件(21)配置成为闭合系统,并使多个谐振器元件(21)的振动部(24)连续而形成一体。
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公开(公告)号:CN101312338A
公开(公告)日:2008-11-26
申请号:CN200810109128.6
申请日:2008-05-23
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H03H9/2431 , H03H9/02275 , H03H9/02338 , H03H9/02433 , H03H9/2405 , H03H9/505 , H03H2009/0244 , H03H2009/02496
Abstract: 一种谐振器,使并列谐振器中各谐振器元件的结构和作用在各谐振器元件振动部的应力相等而谋求提高Q值。提供一种使用该谐振器的滤波器和通信装置。隔着空间具有下部电极(26)、(27)和振动部(24)的多个谐振器元件(21)并列连接,使多个谐振器元件(21)配置成为闭合系统,并使多个谐振器元件(21)的振动部(24)连续而形成一体。
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公开(公告)号:CN1884038B
公开(公告)日:2011-08-03
申请号:CN200610093250.X
申请日:2006-06-23
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: B81C1/00238
Abstract: 一种半导体复合装置及其制造方法。在将半导体元件和微机电装置于不同的基板上制作并且将它们复合化的模块中,会产生由芯片间的连接导致的电力损失或寄生电容增大等的特性恶化问题。另外,也成为阻碍模块的布局设计及尺寸缩小的原因。为了解决所述问题,本发明的半导体复合装置(1)包括:形成在基板(11)上的半导体元件(21);覆盖所述半导体元件(21)且形成在所述基板(11)上的绝缘膜(41);形成在所述绝缘膜(41)上的微机电装置(31);与所述半导体元件(21)和所述微机电装置(31)连接的配线层(50)。
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公开(公告)号:CN101077766B
公开(公告)日:2011-05-18
申请号:CN200710092329.5
申请日:2007-02-17
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: B81C1/00896 , B81B2207/015 , B81C2201/056
Abstract: 一种电子机械元件,实现解决因在电子机械元件的制造过程中的可动元件上产生负荷而导致可动元件的变形、破损等课题。在牺牲层(23)上形成可动元件(5),在此可动元件(5)中形成暴露出牺牲层(23)的多个孔(5h),对于牺牲层从可动元件中形成的孔和可动元件的周边进行残留牺牲层的一部分的第一腐蚀,利用此牺牲层的残留部进行可动元件的机械支承,在此状态下,进行对可动元件施加负荷的作业,此后进行第二腐蚀,去除牺牲层的残留部,如此,在利用牺牲层的一部分进行加强的状态下,进行对上述可动元件施加负荷的作业,从而避免由于此负荷等所导致的制造过程中的可动元件的变形、破损等。
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公开(公告)号:CN101477983A
公开(公告)日:2009-07-08
申请号:CN200910005061.6
申请日:2006-06-23
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: B81C1/00238
Abstract: 一种半导体复合装置及其制造方法。在将半导体元件和微机电装置于不同的基板上制作并且将它们复合化的模块中,会产生由芯片间的连接导致的电力损失或寄生电容增大等的特性恶化问题。另外,也成为阻碍模块的布局设计及尺寸缩小的原因。为了解决所述问题,本发明的半导体复合装置(1)包括:形成在基板(11)上的半导体元件(21);覆盖所述半导体元件(21)且形成在所述基板(11)上的绝缘膜(41);形成在所述绝缘膜(41)上的微机电装置(31);与所述半导体元件(21)和所述微机电装置(31)连接的配线层(50)。
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公开(公告)号:CN1884038A
公开(公告)日:2006-12-27
申请号:CN200610093250.X
申请日:2006-06-23
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: B81C1/00238
Abstract: 一种半导体复合装置及其制造方法。在将半导体元件和微型电机械装置于不同的基板上制作并且将它们复合化的模块中,会产生由芯片间的连接导致的电力损失或寄生电容增大等的特性恶化问题。另外,也成为阻碍模块的布局设计及尺寸缩小的原因。为了解决所述问题,本发明的半导体复合装置(1)包括:形成在基板(11)上的半导体元件(21);覆盖所述半导体元件(21)且形成在所述基板(11)上的绝缘膜(41);形成在所述绝缘膜(41)上的微型电机械装置(31);与所述半导体元件(21)和所述微型电机械装置(31)连接的配线层(50)。
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