电子机械元件、电子电路装置及它们的制造方法

    公开(公告)号:CN101077766A

    公开(公告)日:2007-11-28

    申请号:CN200710092329.5

    申请日:2007-02-17

    CPC classification number: B81C1/00896 B81B2207/015 B81C2201/056

    Abstract: 一种电子机械元件,实现解决因在电子机械元件的制造过程中的可动元件上产生负荷而导致可动元件的变形、破损等课题。在牺牲层(23)上形成可动元件(5),在此可动元件(5)中形成暴露出牺牲层(23)的多个孔(5h),对于牺牲层从可动元件中形成的孔和可动元件的周边进行残留牺牲层的一部分的第一腐蚀,利用此牺牲层的残留部进行可动元件的机械支承,在此状态下,进行对可动元件施加负荷的作业,此后进行第二腐蚀,去除牺牲层的残留部,如此,在利用牺牲层的一部分进行加强的状态下,进行对上述可动元件施加负荷的作业,从而避免由于此负荷等所导致的制造过程中的可动元件的变形、破损等。

    谐振器、振荡器和通信装置

    公开(公告)号:CN101399526A

    公开(公告)日:2009-04-01

    申请号:CN200810168849.4

    申请日:2008-09-28

    Abstract: 本发明涉及谐振器、使用该谐振器的振荡器和设有该振荡器的通信装置。所述谐振器包括多个谐振器单元,各谐振器单元分别具有相面对的电极和振荡元件,同时电极和振荡元件之间具有空间,多个谐振器单元布置成封闭系统。所述的多个谐振器单元的振荡元件以一体的形式连续地形成。

    谐振器、振荡器和通信装置

    公开(公告)号:CN101399526B

    公开(公告)日:2012-04-04

    申请号:CN200810168849.4

    申请日:2008-09-28

    Abstract: 本发明涉及谐振器、使用该谐振器的振荡器和设有该振荡器的通信装置。所述谐振器包括多个谐振器单元,各谐振器单元分别具有相面对的电极和振荡元件,同时电极和振荡元件之间具有空间,多个谐振器单元布置成封闭系统。所述的多个谐振器单元的振荡元件以一体的形式连续地形成。

    半导体复合装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN1884038B

    公开(公告)日:2011-08-03

    申请号:CN200610093250.X

    申请日:2006-06-23

    CPC classification number: B81C1/00238

    Abstract: 一种半导体复合装置及其制造方法。在将半导体元件和微机电装置于不同的基板上制作并且将它们复合化的模块中,会产生由芯片间的连接导致的电力损失或寄生电容增大等的特性恶化问题。另外,也成为阻碍模块的布局设计及尺寸缩小的原因。为了解决所述问题,本发明的半导体复合装置(1)包括:形成在基板(11)上的半导体元件(21);覆盖所述半导体元件(21)且形成在所述基板(11)上的绝缘膜(41);形成在所述绝缘膜(41)上的微机电装置(31);与所述半导体元件(21)和所述微机电装置(31)连接的配线层(50)。

    电子机械元件、电子电路装置及它们的制造方法

    公开(公告)号:CN101077766B

    公开(公告)日:2011-05-18

    申请号:CN200710092329.5

    申请日:2007-02-17

    CPC classification number: B81C1/00896 B81B2207/015 B81C2201/056

    Abstract: 一种电子机械元件,实现解决因在电子机械元件的制造过程中的可动元件上产生负荷而导致可动元件的变形、破损等课题。在牺牲层(23)上形成可动元件(5),在此可动元件(5)中形成暴露出牺牲层(23)的多个孔(5h),对于牺牲层从可动元件中形成的孔和可动元件的周边进行残留牺牲层的一部分的第一腐蚀,利用此牺牲层的残留部进行可动元件的机械支承,在此状态下,进行对可动元件施加负荷的作业,此后进行第二腐蚀,去除牺牲层的残留部,如此,在利用牺牲层的一部分进行加强的状态下,进行对上述可动元件施加负荷的作业,从而避免由于此负荷等所导致的制造过程中的可动元件的变形、破损等。

    半导体复合装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN101477983A

    公开(公告)日:2009-07-08

    申请号:CN200910005061.6

    申请日:2006-06-23

    CPC classification number: B81C1/00238

    Abstract: 一种半导体复合装置及其制造方法。在将半导体元件和微机电装置于不同的基板上制作并且将它们复合化的模块中,会产生由芯片间的连接导致的电力损失或寄生电容增大等的特性恶化问题。另外,也成为阻碍模块的布局设计及尺寸缩小的原因。为了解决所述问题,本发明的半导体复合装置(1)包括:形成在基板(11)上的半导体元件(21);覆盖所述半导体元件(21)且形成在所述基板(11)上的绝缘膜(41);形成在所述绝缘膜(41)上的微机电装置(31);与所述半导体元件(21)和所述微机电装置(31)连接的配线层(50)。

    半导体复合装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN1884038A

    公开(公告)日:2006-12-27

    申请号:CN200610093250.X

    申请日:2006-06-23

    CPC classification number: B81C1/00238

    Abstract: 一种半导体复合装置及其制造方法。在将半导体元件和微型电机械装置于不同的基板上制作并且将它们复合化的模块中,会产生由芯片间的连接导致的电力损失或寄生电容增大等的特性恶化问题。另外,也成为阻碍模块的布局设计及尺寸缩小的原因。为了解决所述问题,本发明的半导体复合装置(1)包括:形成在基板(11)上的半导体元件(21);覆盖所述半导体元件(21)且形成在所述基板(11)上的绝缘膜(41);形成在所述绝缘膜(41)上的微型电机械装置(31);与所述半导体元件(21)和所述微型电机械装置(31)连接的配线层(50)。

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